大视场光敏接收器制造技术

本实用新型专利技术属于半导体技术领域中用于大视场范围的一种光敏接收器，解决光敏器件视场角小的问题，它是采用柱面形或者球面形的半导体衬底（４），在衬底（４）上形成杂质扩散层（３）构成柱面形或者球面形的ＰＮ结，在ＰＮ结的两面制作上电极（２）和（５），非光敏区用二氧化硅层（１）做ＰＮ结的保护，本实用新型专利技术构成了具有柱面形或者球面形的光敏接收器。可用于用于大视场角的测量系统。（*该技术在2002年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体
中用于大视场范围的一种光敏接收器。现有的硅光敏接收器是在平面的硅衬底上用半导体平面工艺技术制作成平面形的PN结，这种器件如果不附加其它的光学系统，则它的视场角很小，它的视场角最大只有±45℃，它不能满足测量动态发光体空间位置的需要。本技术的目的是解决光敏器件视场角小的问题，满足测量动态发光体空间位置的需要。本技术如附图说明图1和图2所示半导体衬底(4)上形成杂质扩散层(3)构成PN结，在PN结的两面制作上电极(2)和(5)，非光敏区用二氧化硅层(1)做PN结的保护，本技术的特点是采用柱面形或者球面形的半导体衬底(4)，形成柱面形或者球面形的PN结。当一定波长的光入射到接收器的光敏面时，就在外路形成光电流。本技术由于半导体衬底采用柱面形和球面形，则接收器的光敏面是柱面形或球面形，所以不用附加其它的光学系统，接收器就具有很大的视场角，从而满足了测量动态发光体的空间位置的需要。本技术的最佳实施例如图1所示首先把半导体材料加工成圆桶形的衬底(4)。如图2所示首先把半导体材料加工成球面形的衬底的衬底(4)，然后在衬底(4)上做成PN结，在PN结两面形成欧姆接触并且做上电极2和5的外引线，半导体衬底(4)可选用硅单晶、砷化镓、锗等材料。图1是本技术柱面形光敏接收器的结构示意图。图2是本技术球面形光敏接收器的结构示意图。

【技术保护点】
一种属于半导体技术领域中用于大视场范围的光敏接收器，采用在半导体衬底（４）上形成杂质扩散层（３）构成ＰＮ结，在ＰＮ结的两面制作上电极（２）和（５），非光敏区用二氧化硅层（１）做ＰＮ结的保护，其特征在于：采用柱面形或者球面形的半导体衬底（４），在衬底（４）上形成柱面形或者球面形的ＰＮ结。

【技术特征摘要】
1.一种属于半导体技术领域中用于大视场范围的光敏接收器，采用在半导体衬底(4)上形成杂质扩散层(3)构成PN结，在PN结的两面制作上电极(2)和...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁振芳，王志强，李哲，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械研究所，
类型：实用新型
国别省市：22[中国|吉林]