GIL三结合点表面等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种GIL三结合点表面等离子体处理装置，GIL三结合点表面等离子体处理装置中，等离子体矩管尖端对准GIL绝缘子、导体和气体接触结合处的GIL三结合点表面，气瓶经由气管连接所述等离子体矩管相反于所述尖端的尾端，放电电极环绕地套设于所述等离子体矩管，匹配器连接所述放电电极的两端，射频电源连接所述匹配器以构成等离子体发生电路。连接所述匹配器以构成等离子体发生电路。连接所述匹配器以构成等离子体发生电路。

【技术实现步骤摘要】
GIL三结合点表面等离子体处理装置


[0001]本专利技术涉及GIS盆式绝缘子绝缘
，尤其涉及一种GIL三结合点表面等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]复合绝缘结构在均匀或稍不均匀电场作用下，两种不同介质分界面附近的电场，导致电场加强。这一理论实际上就是复合绝缘结构中放电往往发生在不同介质分界面的内在原因。通常认为带有固体绝缘介质的气体间隙由于介质沿面放电导致了整个绝缘结构击穿强度的降低。
[0003]产生沿面放电的内在原因是：气体和固体绝缘的介电常数不同，在电场垂直分量作用下固体绝缘表面电场发生畸变，使沿面固体绝缘表面局部电场增强，导致三结合点处气体放电。目前主要的优化方法为，改善结合点处电场结构，未能根本上提高三结合点绝缘能力。
[0004]在
技术介绍
部分中公开的上述信息仅仅用于增强对本专利技术背景的理解，因此可能包含不构成本领域普通技术人员公知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种GIL三结合点表面等离子体处理装置，显著提高GIL三结合点绝缘性。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0007]本专利技术的一种GIL三结合点表面等离子体处理装置包括，
[0008]等离子体矩管，其尖端对准GIL绝缘子、导体和气体接触结合处的GIL三结合点表面，
[0009]气瓶，其经由气管连接所述等离子体矩管相反于所述尖端的尾端，
[0010]放电电极，其环绕地套设于所述等离子体矩管，r/>[0011]匹配器，其连接所述放电电极的两端，
[0012]射频电源，其连接所述匹配器以构成等离子体发生电路。
[0013]所述的一种GIL三结合点表面等离子体处理装置中，所述等离子体炬管为石英炬管。
[0014]所述的一种GIL三结合点表面等离子体处理装置中，所述等离子体炬管直径为40mm。
[0015]所述的一种GIL三结合点表面等离子体处理装置中，所述气管为尼龙气管。
[0016]所述的一种GIL三结合点表面等离子体处理装置中，所述气管外径为6mm。
[0017]所述的一种GIL三结合点表面等离子体处理装置中，所述气瓶为氩气气瓶。
[0018]所述的一种GIL三结合点表面等离子体处理装置中，所述放电电极为紫铜管绕制线圈。
[0019]所述的一种GIL三结合点表面等离子体处理装置中，所述放电电极匝数为3。
[0020]所述的一种GIL三结合点表面等离子体处理装置中，所述射频电源为13.56MHz射频电源，额定功率为1000W。
[0021]所述的一种GIL三结合点表面等离子体处理装置中，所述匹配器包括L型匹配网络，额定功率为1500W。
[0022]在上述技术方案中，本专利技术提供的一种GIL三结合点表面等离子体处理装置，具有以下有益效果：本专利技术所述的一种GIL三结合点表面等离子体处理装置可实现对GIL三结合点表面进行等离子体处理，改善GIL三结合点处表面绝缘特性，提高GIL三结合点处绝缘强度。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1是GIL三结合点表面等离子体处理装置一个实施例的结构示意图；
[0025]图2是GIL三结合点表面等离子体处理装置一个实施例的结构示意图。
具体实施方式
[0026]为使本专利技术实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施方式中的附图图1至图2，对本专利技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本专利技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。
[0027]因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。
[0028]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0029]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0030]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0031]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等
术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0032]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0033]为了使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面将结合附图对本专利技术作进一步的详细介绍。
[0034]在一个实施例中，如图1至图2所示，GIL三结合点表面等离子体处理装置包括，
[0035]等离子体矩管1，其尖端对准GIL绝缘子、导体和气体接触结合处的GIL三结合点表面，
[0036]气瓶3，其经由气管2连接所述等离子体矩管1相反于所述尖端的尾端，
[0037]放电电极4，其环绕地套设于所述等离子体矩管1，
[0038]匹配器5，其连接所述放电电极4的两端，
[0039]射频电源6，其连接所述匹配本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GIL三结合点表面等离子体处理装置，其特征在于，其包括，等离子体矩管，其尖端对准GIL绝缘子、导体和气体接触结合处的GIL三结合点表面，气瓶，其经由气管连接所述等离子体矩管相反于所述尖端的尾端，放电电极，其环绕地套设于所述等离子体矩管，匹配器，其连接所述放电电极的两端，射频电源，其连接所述匹配器以构成等离子体发生电路。2.根据权利要求1所述的一种GIL三结合点表面等离子体处理装置，其特征在于，优选的，所述等离子体炬管为石英炬管。3.根据权利要求1所述的一种GIL三结合点表面等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体炬管直径为40mm。4.根据权利要求1所述的一种GIL三结合点表面等离子体处理装置，其特征在于，所述气管为尼龙气管。5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚聪伟，王增彬，孙帅，杨贤，宋坤宇，李兴旺，邰彬，庞小峰，吴勇，高超，周福升，黄若栋，杨芸，熊佳明，王国利，
申请(专利权)人：南方电网科学研究院有限责任公司，
类型：发明
国别省市：