MOSFET和肖特基二极管结合的瘦小外形封装制造技术

本实用新型专利技术提供一种ＭＯＳＦＥＴ和肖特基二极管结合的瘦小外形封装，其包含ＭＯＳＦＥＴ　　Ｓ极，ＭＯＳＦＥＴ　　Ｇ极，ＭＯＳＦＥＴ　　Ｄ极，肖特基二极管的Ｋ极和Ａ极，该ＭＯＳＦＥＴ的Ｄ极与肖特基二极管的Ａ极位于同一侧；还包含一引线框架，该引线框架包含第一引线为肖特基二极管的Ｋ极，与肖特基二极管的第二载片台相连；第四引线为ＭＯＳＦＥＴ的Ｄ极，其和ＭＯＳＦＥＴ的第一载片台相连；ＭＯＳＦＥＴ的Ｄ极与肖特基二极管的Ｋ极位于相对的两侧。本实用新型专利技术使ＭＯＳＦＥＴ的Ｄ极与肖特基二极管的Ｋ极位于封装器件的同一侧，简化外部输出的结构，缩短电流路径，有效提升了电源的效率，降低设计的复杂程度，延长电池的使用时间。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种瘦小外形封装，具体地说，是涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与肖特基二极管(Shottky Diode)结合的瘦小外形封装(TSOP，Thin Small Outline Package)。
技术介绍
DC-DC的电源转换器(图1)应用于便携式电子产品显得越来越重要。现有技术中的瘦小外形金属氧化物半导体场效应晶体管20’(MOSFET)与肖特基二极管30’(Shottky Diode)结合的封装使用双芯片引线框架10’，如图2所示，其第一引线1’为肖特基二极管30’的A极，呈T形结构；第二引线2’为MOSFET S极，呈I形结构；第三引线3’为MOSFET G极，呈T形结构；第四引线4’为MOSFET D1极，与MOSFET的第一载片台11’相连；第五引线5’为N/A极，呈I形结构；第六引线6’为肖特基二极管K极，与肖特基二极管的第二载片台12’相连。上述封装作为一种电池和适配器之间的保护开关被广泛使用。然而，在使用此封装作为DC-DC的电源转换器时，会有如下问题。如图3所示，为该瘦小外形封装引线框架应用于便携式电子产品的DC-DC的电源转换器的实施方式，其具体内部电路图见图1。电流由电感L(图1中的40’)流向第一引线1’(肖特基二极管的A极)，即外部电流，后经肖特基二极管(图1中的30’)流向第六引线6’(肖特基二极管的K极)，即内部电流，然后流向外设输出(如图3中红色线条标识)。可以看出，应用此结构，外部电流的路径很长，而电源转换器的效率和电流路径的长短有关。电流路径越长，电源转换器的效率越低。同时也增加了电源转换器的设计复杂程度。
技术实现思路
本技术提供一种瘦小外形封装，其使MOSFET的D极与肖特基二极管管的A极位于封装器件的同一侧，以简化外部输出的结构，缩短电流路径，有效的提升了电源的效率，降低设计的复杂程度，延长电池的使用时间。为达到上述目的，本技术提供一种瘦小外形封装，其包含一引线框架，该引线框架包含第二引线为MOSFET的S极；第三引线为MOSFET的G极，第四引线为MOSFET的D1极，第五引线为空置或MOSFET的D2极，该D2极可做为MOSFET备用的D极；第四引线D1极和MOSFET的第一载片台相连，特点是，其MOSFET的D极与肖特基二极管的A极位于封装器件的同一侧，具体表现为其第一引线为肖特基二极管的K极，与肖特基二极管的第二载片台相连，第六引线为肖特基二极管的A极；这样，在实际应用过程中，电源转换器的电流路径就大大缩短了，从而提高电源转换器的效能。且降低了外部印刷线路板(PCB)的排线的复杂程度。所述的第六引线A极呈T形结构；所述第二引线的打线区域为L形，有利于提供结构强度，同时也增大了打线面积；所述第五引线和MOSFET的第一载片台相连，这样有利于散热，提高结构强度。所述的第六引线的打线区域可加长，这样有利于结构稳定并可增加打线数量。附图说明图1为
技术介绍
内部的具体应用的电路示意图；图2为
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瘦小外形封装引线框架的结构示意图；图3为
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瘦小外形封装引线具体应用的示意图；图4为本技术6脚瘦小外形封装引线框架的结构示意图；图5为本技术6脚瘦小外形封装引线具体应用的示意图；图6为本技术内部的具体应用的电路示意图。具体实施方式以下根据图4和图5，以MOSFET和肖特基二极管结合的6脚瘦小外形封装为例，说明本技术的一种较佳实施方式。本技术提供的MOSFET和肖特基二极管结合的6脚瘦小外形封装，其包含一引线框架10，如图4所示，为本技术提供的6脚瘦小外形封装引线框架10的结构示意图；其包含第二引线2为MOSFET的S极；第三引线3为MOSFET的G极，第四引线4为MOSFET的D1极，第五引线5为空置或MOSFET的D2极(该第五引线也可以视不同的工作场合省略)；第四引线4为MOSFET的D1极和MOSFET(如图6所示20)的第一载片台11相连，且第四引线4为MOSFET的D极与第六引线6，即肖特基二极管的A极位于封装器件的同一侧，该引线框架还包含第一引线1为肖特基二极管(如图6所示30)的K极，与肖特基二极管(如图6所示30)的第二载片台12相连。所述的第六引线6，肖特基二极管的A极呈T形结构；第二引线2，MOSFET的S极的打线区域为L形，有利于提供结构强度，同时也增大了打线面积；所述第五引线5和MOSFET的第一载片台11相连，这样有利于散热，提高结构强度。同时，第六引线6的打线区域可加长，这样有利于该封装器件的结构稳定并可增加打线数量。如图5所示，为本技术6脚瘦小外形封装引线具体应用的示意图。电感(如图6所示40)电流(即外部电流)流经第六引线A极，以最短路径流出肖特基二极管(如图6所示30)的K极，即为内部电流(如图5中红色线条标识)。可以看出，应用此结构，外部电流的路径有效缩短，有效的提升了电源的效率。也降低了设计复杂程度，延长电池的使用时间。上述实施方式只是用于更好的说明本技术，而不是限定本技术的范围，例如第5引线可以省略或是第4，5和6引线可以在封装的外部或内部相连，或者MOSFET的G极和S极位置互换。本技术的范围以权利要求书界定的范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＭＯＳＦＥＴ和肖特基二极管结合的瘦小外形封装，其包含ＭＯＳＦＥＴＳ极，ＭＯＳＦＥＴＧ极，ＭＯＳＦＥＴＤ极，肖特基二极管的Ｋ极和Ａ极，特征在于，ＭＯＳＦＥＴ的Ｄ极与肖特基二极管的Ａ极位于同一侧。

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET和肖特基二极管结合的瘦小外形封装，其包含MOSFET S极，MOSFET G极，MOSFET D极，肖特基二极管的K极和A极，特征在于，MOSFET的D极与肖特基二极管的A极位于同一侧。2.如权利要求1所述的MOSFET和肖特基二极管结合的瘦小外形封装，其特征在于，还包含一引线框架，该引线框架包含第一引线(1)为肖特基二极管的K极，与肖特基二极管的第二载片台(12)相连；第四引线(4)为MOSFET的D极，其和MOSFET的第一载片台(11)相连；MOSFET的D极与肖特基二极管的A极位于该封装引线伸出端的同一侧。3.如权利要求2所述的MOSFET和肖特基二极管结合的瘦小外形封装，其特征在于，该引线框架还包含一第五引线，该第五引线(5)和MOSFET的第一载片台(11)相连。4.如权利要求2或3所述的MOSFET和肖特基二极管结合的瘦小外形封装，其特征在于，该引线框架...

【专利技术属性】
技术研发人员：施震宇，汪利民，石磊，
申请(专利权)人：万代半导体元件上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]