一种微发光二极管显示器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种微发光二极管显示器的制作方法，且所述微发光二极管显示器的制作方法至少包括步骤：提供一显示基板；在所述显示基板上设置多个微发光二极管；在所述微发光二极管上形成第一胶材层，且所述第一胶材层填满相邻所述微发光二极管之间的区域；以及采用光照射所述第一胶材层，在相邻所述微发光二极管之间形成遮光层。通过本发明专利技术提供的一种微发光二极管显示器的制作方法，可提高微发光二极管显示器的出光效果。显示器的出光效果。显示器的出光效果。

【技术实现步骤摘要】
一种微发光二极管显示器及其制作方法


[0001]本专利技术属于半导体制造
，特别涉及一种微发光二极管显示器及其制作方法。

技术介绍

[0002]微发光二极管(包括MiniLED和Micro LED)显示器是新一代显示技术，相较于液晶显示器而言，具有亮度更高、发光效率更好和功耗更低的优点。
[0003]在将微发光二极管转移到显示基板上后，需要将微发光二极管封装起来，并需要在相邻的发光二极管之间沉积遮光层，以避免相邻的微发光二极管之间出现串色。目前需要通过多次封装，分层制成遮光层，制作工艺比较复杂。或通过液态的环氧树脂和含碳材料制成遮光层，但是环氧树脂和含碳材料形成的遮光层遮光能力较差，易造成串色。
[0004]因此，如何简化遮光层形成的步骤，同时提高其遮光能力是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0005]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种微发光二极管显示器及其制作方法，旨在解决简化遮光层形成的步骤，同时提高其遮光能力的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：
[0007]本专利技术提供一种微发光二极管显示器的制作方法，包括：
[0008]提供一显示基板；
[0009]在所述显示基板上设置多个微发光二极管；
[0010]在所述微发光二极管上形成第一胶材层，且所述第一胶材层填满相邻所述微发光二极管之间的区域；以及
[0011]采用光照射所述第一胶材层，在相邻所述微发光二极管之间形成遮光层。
[0012]上述所述的微发光二极管的制造方法，通过在所述微发光二极管上，以及相邻的所述微发光二极管之间形成第一胶材层，并采用光照射第一胶材层，在相邻的所述微发光二极管之间形成遮光层。形成方法简单有效，简化了流程工艺，且形成的遮光层可有效避免相邻的不同色的所述微发光二极管之间混色，进而提微发光二极管显示器的出光效果。
[0013]可选地，在所述微发光二极管上形成第一胶材层的步骤包括：
[0014]在所述微发光二极管上和相邻的所述微发光二极管之间喷涂第一类型胶材；
[0015]在预设压力下热压所述第一类型胶材，使所述第一类型胶材填满相邻所述微发光二极管之间的区域。
[0016]可选地，所述预设压力的范围为4.5MPa
‑
7MPa，热压时的温度为150℃
‑
220℃。
[0017]可选地，所述第一类型胶材中包括卤化银，氯化银或氟化银。
[0018]可选地，所述遮光层形成的步骤包括：
[0019]在第一胶材层上形成第一光阻层，且所述第一光阻层覆盖所述微发光二极管；以及
[0020]以所述第一光阻层为掩膜，采用光照射所述第一胶材层，使得被照射的所述第一胶材层变黑，形成所述遮光层。
[0021]上述第一类型胶材和第一光阻层的设置，可先在微发光二极管上和微发光二极管之间形成透明的第一胶材层，经过光照射后，相邻的微发光二极管之间的第一胶材层变为黑色，形成遮光层。过程简单可控，且形成的遮光层较平整。
[0022]可选地，照射光的波长范围为190～400nm，且所述照射光垂直于所述第一胶材层所在的平面。可保证被第一光阻层覆盖的第一胶材层不被光照射，仍为透明的第一胶材层，方便后续将第一胶材层蚀刻。
[0023]可选地，所述微发光二极管显示器的制作方法还包括：
[0024]在所述遮光层上形成第二光阻层；以及
[0025]以所述第二光阻层为掩膜，蚀刻所述第一胶材层的非遮光层区域。
[0026]可选地，所述微发光二极管显示器的制作方法还包括：
[0027]在所述微发光二极管和所述遮光层上形成第二胶材层，且所述第二胶材层为透明胶材层。
[0028]可选地，在所述微发光二极管上形成第一胶材层的步骤包括：
[0029]在所述微发光二极管上和相邻的所述微发光二极管之间喷涂第二类型胶材；以及
[0030]在预设压力下热压所述第二类型胶材，使所述第二类型胶材填满所相邻所述微发光二极管之间的区域。
[0031]可选地，所述第二类型胶材中包括黑色光敏剂，且所述黑色光敏剂经过光照射后变透明。
[0032]可选地，所述遮光层形成的步骤包括：
[0033]在第一胶材层上形成第一光阻层，且所述第一光阻层覆盖相邻所述微发光二极管之间的区域；以及
[0034]以所述第一光阻层为掩膜，采用光照射所述第一胶材层，使得被光照射的所述第一胶材层变透明，所述第一光阻层覆盖的相邻所述微发光二极管之间的所述第一胶材层形成所述遮光层。
[0035]上述第二类型胶材和第一光阻层的设置，可先在微发光二极管上和微发光二极管之间形成黑色的第一胶材层，经过光照射后，微发光二极管上的第一胶材层变为透明，微发光二极管之间的第一胶材层仍为黑色，形成遮光层。
[0036]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种微发光二极管显示器，包括：
[0037]显示基板；
[0038]多个微发二极管，设置在所述显示基板上；以及
[0039]遮光层，设置在相邻所述微发光二极管之间，且所述遮光层的形成方法包括：
[0040]在所述微发光二极管上和相邻的所述微发光二极管之间喷涂第一类型胶材，形成第一胶材层；
[0041]在所述第一胶材层上形成第一光阻层，且所述第一光阻层覆盖所述微发光二极管；以及
[0042]以所述第一光阻层为掩膜，采用光照射所述第一胶材层，使得被照射的所述第一胶材层变黑，形成所述遮光层。
[0043]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种微发光二极管显示器，包括：
[0044]显示基板；
[0045]多个微发二极管，设置在所述显示基板上；以及
[0046]遮光层，设置在相邻所述微发光二极管之间，且所述遮光层的形成方法包括：
[0047]在所述微发光二极管上和相邻的所述微发光二极管之间喷涂第二类型胶材，形成第一胶材层；
[0048]在所述第一胶材层上形成第一光阻层，且所述第一光阻层覆盖相邻所述微发光二极管之间的区域；以及
[0049]以所述第一光阻层为掩膜，采用光照射所述第一胶材层，使得被光照射的所述第一胶材层变透明，所述第一光阻层覆盖的相邻所述微发光二极管之间的所述第一胶材层形成所述遮光层。
[0050]可选地，所述第一胶材层的厚度为20～60um，以形成高于所述微发光二极管的遮光层。
[0051]可选地，所述遮光层高于所述微发光二极管10～50um。较高的遮光层可保证微发光二极管正向出光干涉较少，进一步避免相邻的不同色的微发光二极管之间混色，进而避免混光导致的导致色偏。
[0052]当然，实施本专利技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
[0053]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：提供一显示基板；在所述显示基板上设置多个微发光二极管；在所述微发光二极管上形成第一胶材层，且所述第一胶材层填满相邻所述微发光二极管之间的区域；以及采用光照射所述第一胶材层，在相邻所述微发光二极管之间形成遮光层。2.如权利要求1所述的微发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，在所述微发光二极管上形成第一胶材层的步骤包括：在所述微发光二极管上和相邻的所述微发光二极管之间喷涂第一类型胶材；以及在预设压力下热压所述第一类型胶材，使所述第一类型胶材填满相邻所述微发光二极管之间的区域。3.如权利要求2所述的微发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述第一类型胶材中包括卤化银，氯化银或氟化银。4.如权利要求2所述的微发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述遮光层形成的步骤包括：在第一胶材层上形成第一光阻层，且所述第一光阻层覆盖所述微发光二极管；以及以所述第一光阻层为掩膜，采用光照射所述第一胶材层，使得被照射的所述第一胶材层变黑，形成所述遮光层。5.如权利要求1所述的微发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述微发光二极管显示器的制作方法还包括：在所述遮光层上形成第二光阻层；以及以所述第二光阻层为掩膜，蚀刻所述第一胶材层的非遮光层区域；以及在所述微发光二极管和所述遮光层上形成第二胶材层，且所述第二胶材层为透明胶材层。6.如权利要求1所述的微发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，在所述微发光二极管上形成第一胶材层的步骤包括：在所述微发光二极管上和相邻的所述微发光二极管之间喷涂第二类型胶材；以及在预设压力下热压所述第二类型胶材，使所述第二类型胶材填满所相邻所述微发光二极管之间的区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：张朋月，黄嘉桦，蒲大文，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：