当前位置: 首页 > 专利查询>河北工学院专利>正文

带有保护膜的硅抛光片与外延片制造技术

技术编号:3226913 阅读:268 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
该实用新型专利技术属于半导体材料,即带有保护膜的硅抛光片与外延片.保护膜的厚度500A以上;保护膜可是有机物,也可是无机物,如SiO-[2]、Al-[2]O-[3]、或光刻胶、硅油等等.合格的硅抛光片与外延片加上保护膜以后,可以用袋装或盒装长期存放和远途运输,使硅抛光片与外延片不沾污、不划伤,以保持其高完美度与高洁净度.以利提高半导体材料的质量,从而提高半导体器件的质量.此保护膜生产工艺简单、成本低.(*该技术在1995年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
该技术属于半导材料。目前半导体器件厂所用的半导体材料是材料厂生产的硅抛光片与外延片。而硅抛光片与外延片的存放和运输大多是用盒装或袋装,这样硅抛光片与外延片表面容易划伤,又因长期在空气中暴露而容易使镜面污染。这就影响了硅材料的质量,从而影响半导体器件的质量。虽然象美国Mon Sante公司等采用外金属壳、内硬塑盒、间隙立插式、高纯密封包装,可使硅抛光片与外延片少沾污、少划伤,但是工艺复杂、占空间大、成本高。该技术的目的是使硅抛光片与外延片在使用之前便于保存和运输,并且不划伤、不沾污,以保持硅抛光片与外延片镜面的高完美度和高洁净度,从而提高半导体器件的性能。该技术是在原来合格的硅抛光片或外延片上用热氧化方法或气相淀积法等器件制备中的钝化方法生长一层保护膜。此膜的厚度为500以上。此保护膜可是有机物,也可是无机物,如SiO2、Al2O3、Si3N4、和光刻胶、硅油等。带有保护膜的硅抛光片和外延片可根据保护膜的不同及不同的厚度而呈现不同的颜色。其结构示意图如附图所示。图1 为带保护膜的硅抛光片(外延片)的俯视图,内部为硅抛光片或外延片,阴影部分为保护膜,厚度500以上。图2 为全保护硅抛光片(外延片)的侧视图,内部为硅抛光片或外延片,阴影部分为保护膜,厚度500以上。图3 为镜面保护硅抛光片(外延片)的侧视图,内部为硅抛光片(外延片),阴影部分为保护膜,其厚度为500以上。硅抛光片与外延片因外加一层致密而坚硬的保护膜,所以用袋装或盒接触存放及运输方便,而且不沾污、不划伤。使用之前用漂洗液进行漂洗即可去除保护膜。这样就有效地保持了硅抛光片与外延片的高完美度和高洁净度,从而提高了硅材料的质量,相应也可以提高半导体器件的质量。同时此保护膜生长工艺简单、成本低。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的硅抛光片与外延片,其长期保存和运输是用软塑或纸袋分片包装,或外部用硬塑盒、内底聚丙烯刻槽、间隙立插式,高纯密封包装;本实用新型的特征是:在合格的硅抛光片与外延片的表面有一层用热氧化方法或气相淀积法等器件制备中的钝化方法生长的保护膜,目的是取代硅抛光片与外延片长期保存和运输用袋装或盒装的方法。

【技术特征摘要】
1.一种用于制造半导体器件的硅抛光片与外延片,其长期保存和运输是用软塑或纸袋分片包装,或外部用硬塑盒、内底聚丙烯刻槽、间隙立插式,高纯密封包装;本实用新型的特征是在合格的硅抛光片与外延片的表面有一层用热氧化方法或气相淀积法等器件制备中的钝化方法生长的保护膜,目的是取代硅抛光片...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘玉岭
申请(专利权)人:河北工学院
类型:实用新型
国别省市:12[中国|天津]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1