跨芯板层凹槽基板的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种跨芯板层凹槽基板的制作方法，将单面芯板标记为N层，制作对位标靶，不制作图形；铜箔作为N+1层，参照N层制作出N+1层标靶，选取N与N+1层之间介质层，制作标靶；将双面胶带大粘力面贴合到介质层，凹槽位置开窗切割；压合形成双面板，胶带小粘力面朝向N+1层，盲孔加工和图形制作；选取N+1与N+2层之间介质层并制作标靶；将双面胶带大粘力面贴合到介质层，开窗切割；叠加介质层、N

【技术实现步骤摘要】
跨芯板层凹槽基板的制作方法


[0001]本专利技术涉及电路板领域，尤其涉及一种跨芯板层凹槽基板的制作方法。

技术介绍

[0002]目前，随着电子电路技术发展，电子电路板趋向于轻、薄、短、小。为了充分利用空间，部分HDI板和封装基板，将原来安装在基板表面的部分元器件，改成嵌入或放入到基板的凹槽中，这样可以极大地节省元器件安装的空间，增加安装密度，所以含凹槽的电子电路板出现了。
[0003]但是，现有的含凹槽的电子电路板存在以下缺陷：
[0004]HDI板和封装基板，都是在芯板制作的基础上，往两端不断进行增层制作而成，其板上面的凹槽，如果采用成品后机械钻机锣槽，或者激光钻机烧蚀的方式，受到设备深度控制的缺陷，均无法有效地将槽底层控制在想要的铜层与介质层的交界面。如要将凹槽深度精确地控制在预想的铜层，只能采用预贴胶带开盖工艺，但这种预贴胶带开盖工艺制作的凹槽，只能出现在芯板的一侧，凹槽深度无法跨过芯板层。但随着电子电路板变薄的发展趋势，如凹槽只出现在芯板一侧，其深度受限制，所能放置在凹槽内的元器件高度受到限制，无法满足部分元器件埋放在凹槽内的要求，凹槽加工不便。

技术实现思路

[0005]为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的之一在于提供一种跨芯板层凹槽基板的制作方法，其能解决元器件放置凹槽内深度受限的问题。
[0006]本专利技术的目的之一采用如下技术方案实现：
[0007]一种具有跨芯板层凹槽的电子电路板制作方法，包括以下步骤：
[0008]S10步骤：取一张单面芯板标记为N层，制作出N层表面的对位标靶，不制作图形；
[0009]S11步骤：选取铜箔作为N+1层，参照第N层的标靶，按照1:1 比例制作出N+1层的铜箔面标靶，选取N、N+1层之间的介质层，按照1:1比例制作出标靶；
[0010]S12步骤：将双面粘力的保护胶带中粘力大的一面贴合到N、N+1 层之间的介质层上，采用激光设备对胶带进行凹槽位置的开窗切割，清除掉多余的胶带并保留凹槽位置的保护胶带；
[0011]S13步骤：将N层的单面芯板、包含保护胶带的N
‑
N+1层之间的介质层、N+1层铜箔拍板压合，形成N/N+1层双面板，使保护胶带中粘力小的一面朝向N+1层的铜箔，进行相应的盲孔加工和图形制作；
[0012]S14步骤：选取N+1、N+2层之间的介质层并在该介质层上制作出标靶；
[0013]S15步骤：将双面粘力的保护胶带中粘力大的一面贴合到N+1、 N+2层之间的介质层上，采用激光设备对胶带进行凹槽位置的开窗切割，清除掉多余的胶带并保留凹槽位置的保护胶带；
[0014]S16步骤：在N/N+1层双面板的N层面一侧叠加介质层、N
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1 层铜箔；在N+1层面叠加
贴有胶带的N+1
‑
N+2层之间的介质层、N+2 铜箔层，排板压合，形成N
‑1‑
N+2四层板，使胶带低粘力的一面朝向N+2层；
[0015]S17步骤：将N
‑1‑
N+2四层板进行盲孔加工、图形制作，按照正常流程制作，直至完成最外层的阻焊、字符制作；
[0016]S18步骤：采用激光烧蚀，进行凹槽位置开盖，分别将N+1、N+2 层的凹槽盖子揭掉，露出处于N+1、N+2层界面的凹槽，这些凹槽均跨过了整板的中间层N
‑
N+1芯板，形成跨芯板凹槽；其中N为≥3 的自然数。
[0017]进一步地，在所述S10步骤中，制作第N层表面的对位标靶之前，检验标靶位置是否符合要求，若是，制作标靶，若否，重新对位。
[0018]进一步地，在所述S11步骤中，制作出标靶之后，检查标靶位置是否符合要求，若是执行下一步，若否，返工处理。
[0019]进一步地，在所述S12步骤中，保护胶带选用亚克力胶带，两面粘力分别是3.2g/mm和6.4g/mm。
[0020]进一步地，在所述S12步骤中，检验开窗切割之后的胶带是否符合要求，若是，执行下一步，若否，返工处理。
[0021]进一步地，在所述S15步骤中，使用双面粘力的保护胶带之前，检验保护胶带的完整度。
[0022]进一步地，在所述S16步骤中，检验胶带朝向是否正确，若是，执行下一步，若否，返工处理。
[0023]进一步地，在所述S17步骤中，加工盲孔之前，检验盲孔位置是否正确，若是，执行加工指令，若否，停止加工。
[0024]进一步地，在所述S18步骤中：采用CO2或UV激光烧蚀进行凹槽位置开盖。
[0025]相比现有技术，本专利技术的有益效果在于：
[0026]采用上述步骤进行凹槽跨芯板层制作，凹槽底部能精准实现在铜层与介质层的交界面，如此制作增加了凹槽深度，扩大了能埋置元件的选择范围，解决了凹槽加工不便的问题。
[0027]上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
[0028]图1为本专利技术跨芯板层凹槽基板的制作方法中一较佳实施例的流程图；
[0029]图2为具有跨芯板层凹槽的8层电路板的制作示意图。
具体实施方式
[0030]下面，结合附图以及具体实施方式，对本专利技术做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。
[0031]需要说明的是，当组件被称为“固定于”另一个组件，它可以直接在另一个组件上
或者也可以存在居中的组件。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中组件。当一个组件被认为是“设置于”另一个组件，它可以是直接设置在另一个组件上或者可能同时存在居中组件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0032]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0033]请参阅图1
‑
2，一种跨芯板层凹槽基板的制作方法，包括以下步骤：
[0034]S10步骤：取一张单面芯板标记为N层，制作出N层表面的对位标靶，不制作图形；在所述S10步骤中，制作第N层表面的对位标靶之前，检验标靶位置是否符合要求，若是，制作标靶，若否，重新对位。在S10步骤中，“制作出N层表面的对位标靶，不制作图形”为重点，为后续加工提供基础。
[0035]S11步骤：选取铜箔作为N+1层，参照第N层的标靶，按照1:1 比例制作出N+1层的铜箔面标靶，选取N、N+1层之间的介质本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种跨芯板层凹槽基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S10步骤：取一张单面芯板标记为N层，制作出N层表面的对位标靶，不制作图形；S11步骤：选取铜箔作为N+1层，参照第N层的标靶，按照1:1比例制作出N+1层的铜箔面标靶，选取N、N+1层之间的介质层，按照1:1比例制作出标靶；S12步骤：将双面粘力的保护胶带中粘力大的一面贴合到N、N+1层之间的介质层上，采用激光设备对胶带进行凹槽位置的开窗切割，清除掉多余的胶带并保留凹槽位置的保护胶带；S13步骤：将N层的单面芯板、包含保护胶带的N
‑
N+1层之间的介质层、N+1层铜箔排板压合，形成N/N+1层双面板，使保护胶带中粘力小的一面朝向N+1层的铜箔，进行相应的盲孔加工和图形制作；S14步骤：选取N+1、N+2层之间的介质层并在该介质层上制作出标靶；S15步骤：将双面粘力的保护胶带中粘力大的一面贴合到N+1、N+2层之间的介质层上，采用激光设备对胶带进行凹槽位置的开窗切割，清除掉多余的胶带并保留凹槽位置的保护胶带；S16步骤：在N/N+1层双面板的N层面一侧叠加介质层、N
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1层铜箔；在N+1层面叠加贴有胶带的N+1
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N+2层之间的介质层、N+2铜箔层，排板压合，形成N
‑1‑
N+2四层板，使胶带低粘力的一面朝向N+2层；S17步骤：将N
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N+2四层板进行盲孔加工、图形制作，按照正常流程完成制作，直至完成最外层的阻焊、字符制作；S18步骤：采用激光烧蚀，进行凹槽位置开...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴少晖，郭沐杰，
申请(专利权)人：广州美维电子有限公司，
类型：发明
国别省市：