层叠陶瓷烧结体基板、电子器件、片式电阻器及制造方法技术

本公开提供一种电子器件用层叠陶瓷烧结体基板、电子器件、片式电阻器以及片式电阻器的制造方法。所述电子器件用层叠陶瓷烧结体基板具备：陶瓷烧结体基板；和平坦化膜，设置在所述陶瓷烧结体基板的上表面，在所述平坦化膜中包含导热性填料。包含导热性填料。包含导热性填料。

【技术实现步骤摘要】
层叠陶瓷烧结体基板、电子器件、片式电阻器及制造方法


[0001]本公开涉及电子器件用层叠陶瓷烧结体基板、电子器件、片式电阻器以及片式电阻器的制造方法。

技术介绍

[0002]以片式电阻器为首的电子器件的一部分被形成在表现出高强度和绝缘性的陶瓷烧结体基板上。例如，薄膜片式电阻器具备绝缘基板、设置在该绝缘基板的上表面的两端部的一对上部电极、和设置在绝缘基板的上表面且连接在一对上部电极之间的电阻体。
[0003]所述片式电阻器还具备：保护膜，设置为至少覆盖电阻体；一对端面电极，以与一对上部电极电连接的方式设置在绝缘基板的两端面；和镀层，形成在上部电极的一部分和一对端面电极的表面。
[0004]在上述电子器件的制造中，在大型的陶瓷烧结体基板的表面上形成多个包括电阻体等的构造体之后，通过切割刀片切断为格子状，或者，在陶瓷烧结体基板预先格子状地形成分割槽，沿着该分割槽进行分割，从而获得作为单片的元件。
[0005]然而，由于陶瓷烧结体基板通过将陶瓷粒子与各种粘合剂一起烧结来制作，因而陶瓷烧结体基板的表面存在由上述陶瓷粒子的形状引起的细微的凹凸、起伏，从而不平滑。由此，存在形成在陶瓷烧结体基板的表面的表面电极、电阻体的形状难以稳定这样的问题。特别是，在陶瓷烧结体基板的表面通过成膜工艺、光刻法将表面电极、电阻体形成为薄膜的情况下，作为薄膜的表面电极、电阻体受到氧化铝基板的表面状态的影响，会产生局部的形变、膜厚的不均匀、裂纹等，从而存在产生特性的偏差、不良这样的问题。
[0006]为了解决上述问题，例如在专利文献1中，提出了使氧化铝基板自身含有微量的二氧化硅玻璃，在该氧化铝基板的整个表面形成玻璃涂层，并在该玻璃涂层上形成上部电极、电阻体等的技术。
[0007]在先技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：日本特开2017
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168749号公报

技术实现思路

[0010]本公开的实施方式涉及的电子器件用层叠陶瓷烧结体基板具备：陶瓷烧结体基板；和平坦化膜，设置在所述陶瓷烧结体基板的上表面，包含导热性填料。
附图说明
[0011]图1是本公开的一个实施方式涉及的电子器件用层叠陶瓷烧结体基板的剖面示意图。
[0012]图2是本公开的一个实施方式涉及的片式电阻器的剖面示意图。
[0013]图3是本公开的一个实施方式涉及的片式电阻器的图2的X
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X剖面示意图。
[0014]图4是示出实施例中的电子器件用层叠陶瓷烧结体基板的剖面的扫描型电子显微镜观察照片的一个例子的图。
[0015]图5是示出实施例中的用于具有导热性填料的平坦化膜的效果确认的热模拟结果的图。
[0016]图6是例示陶瓷烧结体基板的图。
[0017]图7是示出代表性的陶瓷等的导热率和线膨胀系数的图。
[0018]符号说明
[0019]1：陶瓷烧结体基板；
[0020]2：平坦化膜；
[0021]3：导热性填料；
[0022]4：电阻体；
[0023]5：上部电极；
[0024]6：下部电极；
[0025]7：端面电极；
[0026]8：保护膜；
[0027]11：层叠陶瓷烧结体基板；
[0028]21：片式电阻器。
具体实施方式
[0029]近年来，对于电子器件，如车载用途所代表的那样，希望在苛刻的环境中的高可靠性、投入功率的增大。与此相应地，对电子器件的元件构造的热负荷变大，因而对于该电子器件，要求适当地向外部散热。
[0030]在上述专利文献1的构成片式电阻器的氧化铝基板和玻璃涂层之中，氧化铝基板的导热率作为一个例子为26W/(m
·
K)，相对于此，玻璃(SiO2)的导热率作为一个例子为0.01W/(m
·
K)左右，上述玻璃涂层的导热率远小于氧化铝基板。由此，在对元件构造的热负荷较大的情况下，不能充分地散热，其结果是，可能产生元件特性的恶化，进而产生破损。
[0031]本公开是鉴于上述事情而完成的，其目的在于，提供散热性优异且抑制了由陶瓷烧结体基板表面的凹凸导致的对特性的不良影响的片式电阻器等电子器件、片式电阻器的制造方法以及使用于片式电阻器等电子器件的层叠陶瓷烧结体基板。
[0032]为了实现散热性优异且抑制了由陶瓷烧结体基板的表面的凹凸导致的对特性的不良影响的片式电阻器等电子器件，特别是对使用于该片式电阻器等电子器件的层叠陶瓷烧结体基板进行了潜心研究。其结果发现，只要使得上述层叠陶瓷烧结体基板具备陶瓷烧结体基板和设置在该陶瓷烧结体基板的上表面且包含导热性填料的平坦化膜即可。另外，以下有时将“电子器件用层叠陶瓷烧结体基板”仅称为“层叠陶瓷烧结体基板”。
[0033]根据本公开的实施方式，能够提供散热性优异并且抑制了由陶瓷烧结体基板表面的凹凸导致的对特性的不良影响的片式电阻器等电子器件、片式电阻器的制造方法以及使用于片式电阻器等电子器件的层叠陶瓷烧结体基板。
[0034]以下，对于本公开的实施方式涉及的层叠陶瓷烧结体基板以及具备该层叠陶瓷烧结体基板的片式电阻器，分别一边参照附图一边进行说明。另外，本公开的实施方式不限于
下述附图所示的方式，能够在不破坏本公开的效果的范围内进行适当变更。在以下的说明中，对相同的结构部分标注相同的符号，并适当省略了说明。
[0035][层叠陶瓷烧结体基板][0036]首先，使用图1对本公开的实施方式中的层叠陶瓷烧结体基板进行说明。本公开的一个实施方式中的层叠陶瓷烧结体基板11具有图1所示的结构。即，层叠陶瓷烧结体基板11在陶瓷烧结体基板1的整个上表面形成有包含导热性填料3的平坦化膜2。
[0037](陶瓷烧结体基板)
[0038]对陶瓷烧结体基板1的陶瓷的种类不进行限定，作为陶瓷烧结体基板，例如可举出具有图6的表1所示的物理特性的氧化铝基板、氧化铝
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氧化锆基板、氮化硅基板、氮化铝基板等。所述陶瓷烧结体基板优选为氧化铝基板。另外，即便陶瓷的种类相同，如果陶瓷粒子的粒径、陶瓷粒子在陶瓷烧结体中所占的密度不同，则有时也会表现出与表1的数值不同的物理特性。
[0039]上述陶瓷烧结体基板1通过将各种陶瓷粒子和粘合剂混合后成形，并进行烧结而被制造。陶瓷烧结体基板的表面由于构成烧结体的上述陶瓷粒子的形状而具有凹凸。作为陶瓷烧结体基板的一个例子，京瓷株式会社制造的氧化铝基板(A476)的表面粗糙度Ra为0.3～0.5微米，另一产品编号的氧化铝基板(A493)的表面粗糙度Ra为0.05～0.08微米。在本公开的实施方式中，在上述陶瓷烧结体基板1的上表面，如下所述设置平坦化膜，由此例如能够不受陶瓷烧结体基板的表面状态的影响地设置上部电极、电阻体。
[0040](平坦化膜)
[0041]在本公开的实施方式中，在陶瓷烧结体基板1的上表面形成有平坦化膜2。通过形成平坦化膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子器件用层叠陶瓷烧结体基板，具备：陶瓷烧结体基板；和平坦化膜，设置在所述陶瓷烧结体基板的上表面，包含导热性填料。2.根据权利要求1所述的电子器件用层叠陶瓷烧结体基板，其中，所述陶瓷烧结体基板为氧化铝烧结体基板。3.根据权利要求1或2所述的电子器件用层叠陶瓷烧结体基板，其中，所述导热性填料为电绝缘性。4.根据权利要求1～3中任一项所述的电子器件用层叠陶瓷烧结体基板，其中，所述导热性填料为从由氧化锌ZnO、氧化镁MgO、氧化钡BeO、氮化铝AlN、氮化硼BN、氮化硅SiNx以及金刚石构成的组中选择的1种以上的化合物。5.根据权利要求1～4中任一项所述的电子器件用层叠陶瓷烧结体基板，其中，所述平坦化膜的母相包括二氧化硅SiO2或氧化铝Al2O3。6.一种电子器件，具备权利要求1～5中任一项所述的电子器件用层叠陶瓷烧结体基板。7.一种片式电阻器，具备：权利要求1～5中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：野口宪路，三上正晃，丰岛健司，小田裕贵，末次大辅，浦川达也，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：