本发明专利技术涉及一种发光器件及其制作方法。该发光器件包括第一电极、空穴传输层、界面层、量子点发光层以及第二电极,空穴传输层设置在第一电极上,界面层设置在空穴传输层上,界面层包含碳材料,量子点发光层设置在界面层上,第二电极设置在量子点发光层上。界面层的存在能够避免量子点溶液中的溶剂溶解空穴传输层材料,并且界面层良好的导电性降低了空穴传输层和量子点发光层之间的接触电阻,促进空穴的注入与传输,使得空穴和电子能够更好地在量子点发光层复合,提高发光器件的效率。另外,界面层可以阻挡过量的电子在空穴传输层和量子点发光层之间的积累,抑制部分漏电子对空穴传输层的破坏,提高空穴传输层的稳定性,提高器件寿命。命。命。
【技术实现步骤摘要】
发光器件及其制作方法
[0001]本专利技术涉及显示
,特别是涉及一种发光器件及其制作方法。
技术介绍
[0002]近年来,随着显示技术的快速发展,以半导体量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)受到了广泛的关注。半导体量子点材料具有色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等优点,使得量子点发光二极管在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。
[0003]采用溶液法制备QLED器件的过程中,空穴传输层材料如TFB(1,2,4,5
‑
四(三氟甲基)苯)、PVK(聚乙烯基咔唑)、苯乙烯、NiO(氧化镍)、MoO3(三氧化钼)等,容易被量子点发光层的溶剂溶解,并且空穴传输层与量子点发光层之间接触电阻较大,使得载流子容易在空穴传输层和量子点发光层的界面复合,进而导致QLED器件的效率和寿命滚降。
技术实现思路
[0004]基于此,有必要提供一种发光器件及其制作方法,以提高QLED器件的效率和寿命。
[0005]本专利技术的一个目的是提供一种发光器件,方案如下:
[0006]一种发光器件,其特征在于,包括:
[0007]第一电极;
[0008]空穴传输层,设置在所述第一电极上;
[0009]界面层,设置在所述空穴传输层上,所述界面层包含碳材料;
[0010]量子点发光层,设置在所述界面层上;
[0011]第二电极,设置在所述量子点发光层上。
[0012]在其中一个实施例中,所述界面层由所述碳材料构成。
[0013]在其中一个实施例中,所述空穴传输层的表面修饰有第一官能团,所述界面层朝向所述空穴传输层的一侧表面修饰有第二官能团,所述第一官能团与所述第二官能团通过静电作用连接。
[0014]在其中一个实施例中,所述第一官能团为羟基,所述第二官能团为羧基和/或胺基。
[0015]在其中一个实施例中,所述界面层朝向所述量子点发光层的一侧表面修饰有第三官能团,所述量子点发光层的表面修饰有第四官能团,所述第三官能团与所述第四官能团通过静电作用连接。
[0016]在其中一个实施例中,所述第三官能团为羟基,所述第四官能团为羧基和/或胺基。
[0017]在其中一个实施例中,所述碳材料选自碳纳米管、碳量子点以及碳纤维中的一种或多种。
[0018]在其中一个实施例中,所述界面层的厚度为2nm~10nm。
[0019]本专利技术的另一个目的是提供一种发光器件的制作方法,方案如下:
[0020]一种发光器件的制作方法,包括以下步骤:
[0021]在第一电极上制作空穴传输层;
[0022]在所述空穴传输层上制作界面层,所述界面层包含碳材料;
[0023]在所述界面层上制作量子点发光层;
[0024]在所述量子点发光层上制作第二电极。
[0025]在其中一个实施例中,在所述空穴传输层上制作界面层的步骤包括:
[0026]在所述空穴传输层的表面修饰第一官能团;
[0027]在所述空穴传输层上沉积界面层,所述界面层朝向所述空穴传输层的一侧表面修饰有第二官能团,所述第一官能团能够与所述第二官能团通过静电作用连接。
[0028]在其中一个实施例中,在所述空穴传输层的表面修饰第一官能团的方法包括采用第一碱溶液浸泡所述空穴传输层的表面;
[0029]所述第二官能团为羧基和/或胺基。
[0030]在其中一个实施例中,所述第一碱溶液选自氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液以及氢氧化钙溶液中的一种或多种。
[0031]在其中一个实施例中,所述第一碱溶液的浓度为2mol/l~5mol/l。
[0032]在其中一个实施例中,在所述界面层上制作量子点发光层的步骤包括:
[0033]在所述界面层的表面修饰第三官能团;
[0034]在所述界面层上沉积表面修饰有第四官能团的量子点材料,使所述第三官能团能够与所述第四官能团通过静电作用连接。
[0035]在其中一个实施例中,在所述界面层的表面修饰第三官能团的方法包括采用第二碱溶液浸泡所述界面层的表面;
[0036]表面修饰有第四官能团的量子点材料是具有含羧基和/或胺基的表面配体的量子点材料。
[0037]在其中一个实施例中,所述第二碱溶液选自氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液以及氢氧化钙溶液中的一种或多种。
[0038]在其中一个实施例中,所述第二碱溶液的浓度为2mol/l~5mol/l。
[0039]与现有方案相比,上述发光器件及其制作方法具有以下有益效果:
[0040]上述发光器件及其制作方法在空穴传输层和量子点发光层之间设置有界面层,界面层包含碳材料,在溶液法制作发光器件时,避免量子点溶液中的溶剂溶解空穴传输层材料,并且界面层良好的导电性降低了空穴传输层和量子点发光层之间的接触电阻,促进空穴的注入与传输,使得空穴和电子能够更好地在量子点发光层复合,提高器件的载流子平衡,提高发光器件的效率。另外,由于界面层的存在,可以阻挡过量的电子在空穴传输层和量子点发光层之间的积累,抑制部分漏电子对空穴传输层的破坏,提高空穴传输层的稳定性,进而提高器件寿命。
附图说明
[0041]图1为一实施例的发光器件的结构示意图。
[0042]图2为空穴传输层和界面层之间通过阳离子和阴离子吸附的示意图。
[0043]附图标记说明:
[0044]100、发光器件;110、第一电极;120、空穴传输层;130、界面层;140、量子点发光层;150、第二电极;160、基板;170、空穴注入层;180、电子传输层。
具体实施方式
[0045]为了便于理解本专利技术,下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的较佳实施例。但是,本专利技术可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。
[0046]需要说明的是,当元件被称为“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
[0047]除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0048]请参考图1所示,本专利技术一实施例的发光器件100,包括第一电极110、空穴传输层120、界面层130、量子点发光层140以及第二电极150。
[0049]空穴传输层120设置在第一电极110上。界面层130设置在空穴传输层120上,界面层130包含碳材料。量子点发光层140设置在界面层130上。第二电极150设置在量子点发光层140上。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光器件,其特征在于,包括:第一电极;空穴传输层,设置在所述第一电极上;界面层,设置在所述空穴传输层上,所述界面层包含碳材料;量子点发光层,设置在所述界面层上;第二电极,设置在所述量子点发光层上。2.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述空穴传输层的表面修饰有第一官能团,所述界面层朝向所述空穴传输层的一侧表面修饰有第二官能团,所述第一官能团与所述第二官能团通过静电作用连接。3.如权利要求2所述的发光器件,其特征在于,所述第一官能团为羟基,所述第二官能团为羧基和/或胺基。4.如权利要求1~3中任一项所述的发光器件,其特征在于,所述界面层朝向所述量子点发光层的一侧表面修饰有第三官能团,所述量子点发光层的表面修饰有第四官能团,所述第三官能团与所述第四官能团通过静电作用连接。5.如权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述第三官能团为羟基,所述第四官能团为羧基和/或胺基。6.如权利要求1~3、5中任一项所述的发光器件,其特征在于,所述碳材料选自碳纳米管、碳量子点以及碳纤维中的一种或多种。7.如权利要求1~3、5中任一项所述的发光器件,其特征在于,所述界面层的厚度为2nm~10nm。8.一种发光器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:在第一电极上制作空穴传输层;在所述空穴传输层上制作界面...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱佩,
申请(专利权)人:广东聚华印刷显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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