电极、发光器件和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种电极、发光器件和电子装置。电极包括：导电层界面层，其通过静电自组装的方式结合在所述导电层的表面，所述电极的功函数小于所述导电层的功函数。该电极通过静电自组装的方式在导电层的表面形成界面层，不但降低了电极的功函数，利于电子的提取和注入，还能够提高电极层的均匀性，提高器件的发光效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
电极、发光器件和电子装置


[0001]本专利技术涉及显示和照明
，特别是涉及电极、发光器件和电子装置。

技术介绍

[0002]近年来，随着显示技术的快速发展，以半导体量子点材料作为量子点发光二极管(QLED)受到了广泛的关注，其色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点使得量子点发光二极管在平板显示、固态照明等领域具有广泛有应用前景。
[0003]现阶段QLED屏幕的制备主要可以通过喷墨印刷加蒸镀的方法制备。特别地，倒置QLED器件制备仅需要在ITO(掺锡氧化铟)阴极上打印ZnO电子传输层和QD发光层，而空穴传输层、空穴注入层和阳极层等均可以采用OLED(有机发光二极管)的蒸镀条件进行制备，这样使得倒置QLED器件极具商业化前景。
[0004]然而，ITO薄膜具有极高的功函数，导致其在作为阴极时电子较难提取和注入到电子传输层。同时，随着使用时间的延长，在ZnO电子传输层与ITO电极界面处，缺陷会增加，使得电子注入势垒增大，进而影响器件的寿命。

技术实现思路

[0005]基于以上问题，作出本专利技术。本专利技术旨在提供能够避免上述问题的电极、发光器件和电子装置。
[0006]根据本专利技术的第一方面，提供一种电极，包括：
[0007]导电层；
[0008]界面层，其通过静电自组装的方式结合在所述导电层的表面，
[0009]所述电极的功函数小于所述导电层的功函数。
[0010]本专利技术的电极通过静电自组装的方式在导电层的表面形成界面层，对导电层进行修饰，减小导电层的功函数，从而降低了电极的功函数，利于电子从电极提取和注入到电子传输层中；同时，通过静电自组装的方式形成界面层可以在精确调控界面层的薄膜层数、厚度和带电性质，提高薄膜覆盖率和稳定性，保证电极的导电率和均匀性，提高器件的发光效率。
[0011]在其中一些实施例中，所述界面层包括至少一层阳离子层和至少一层阴离子层，
[0012]所述阳离子层和所述阴离子层交替层叠且层数相同，
[0013]所述界面层通过所述阳离子层与所述导电层的表面结合。
[0014]在其中一些实施例中，所述导电层的材料包括ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、IGZO(氧化铟镓锌)和AZO(Al:ZnO，掺铝氧化锌)中的至少一种，
[0015]所述阳离子层的材料包括纳米级的阳离子胺基聚合物、纳米级的阳离子甲基聚合物和纳米级的阳离子甲基丙烯酸中的至少一种，
[0016]所述阴离子层的材料包括纳米级的阴离子胺基聚合物、纳米级的阴离子甲基聚合物和纳米级的阴离子甲基丙烯酸中的至少一种。
[0017]在其中一些实施例中，所是阳离子层的材料包括纳米级的季胺壳聚糖、阳离子聚丙烯酰胺和阳离子聚丙烯酸羟乙酯中的至少一种，
[0018]所述阴离子层的材料包括纳米级的氧羟甲基壳聚糖、阴离子聚丙稀酰胺和阴离子聚丙烯酸羟乙酯中的至少一种。
[0019]在其中一些实施例中，所述电极的功函数为4.2eV以下。
[0020]本专利技术又一目的在于提供一种发光器件，所述发光器件包括阴极，所述阴极为如上所述的电极。
[0021]在其中一些实施例中，所述发光器件还包括与所述阴极接触的电子传输层，
[0022]所述电子传输层的材料包括电子传输材料和阳离子表面活性剂。
[0023]在其中一些实施例中，所述电子传输材料包括氧化锌、氧化钛和含硅杂环化合物中的至少一种，
[0024]所述阳离子表面活性剂包括胺丙基三乙氧硅烷、三烷基氯化铵和二烷基乙醇胺酯甲基硫酸甲酯铵中的至少一种。
[0025]在其中一些实施例中，所述发光器件是OLED或QLED。
[0026]本专利技术又一目的在于提供一种电子装置，所述电子装置包括上述的电极；或者包括上述的发光器件。
[0027]值得说明的是，该电子装置可以为显示装置或照明装置。显示装置可为平板显示、电视显示、电子纸、逻辑与存储电路、柔性显示等。
附图说明
[0028]图1为本专利技术一实施例的发光器件的结构示意图。
具体实施方式
[0029]为了便于理解本专利技术，下面将对本专利技术进行更全面的描述，并给出了本专利技术的较佳实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。
[0030]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0031]为了解决ITO薄膜作为阴极时电子较难提取和注入到电子传输层的问题，本专利技术对ITO薄膜表面进行修饰，一方面降低ITO薄膜的功函数，另一方面提高ITO薄膜的均匀性。本专利技术以带羟胺基基团的材料为修饰材料、采用静电自组装的方法对ITO薄膜进行表面修饰，使带羟胺基基团的材料在纳米尺度上精确调控薄膜层数和薄膜性质来调节ITO薄膜的功函数，同时提高薄膜的覆盖率，保证薄膜导电率和薄膜均匀性。
[0032]本专利技术一实施例提供了一种电极，包括：导电层和界面层；其中，界面层通过静电自组装的方式结合在导电层的表面，所述电极的功函数小于所述导电层的功函数。
[0033]静电自组装技术是基于相反电荷组分之间的静电吸引力，在经活化带电荷的基材表面逐层吸附上带相反电荷的聚电解质从而形成多层膜；同时，同种电荷的排斥力又使每
一层的吸附量不会无止尽地增加，在一定时间内达到饱和，从而确保膜层稳定的线性增长。该技术制备方法简单，每层膜的厚度可以精确控制在分子级水平，且膜的稳定性好。
[0034]上述电极通过静电自组装的方式在导电层的表面逐层形成界面层，导电层和界面层通过静电作用形成偶极，从而降低了电极的功函数，利于电子从电极提取和注入到电子传输层中；同时，通过静电自组装的方式在导电层上逐层自组装形成界面层可以精确调控界面层的薄膜层数、厚度和带电性质，提高薄膜覆盖率和稳定性，保证电极的导电率和均匀性，提高器件的发光效率。
[0035]在一些实施例中，界面层包括至少一层阴离子层和至少一层阳离子层。
[0036]在一些实施例中，界面层包括交替层叠的阳离子层和阴离子层。
[0037]在一些实施例中，阳离子层和阴离子层交替层叠且层数相同。
[0038]进一步地，界面层通过阳离子层与导电层的表面结合。也就是说，界面层相对于导电层的最外层为阴离子层。
[0039]进一步地，阳离子层和阴离子层的层数均为1～4层。
[0040]如此，通过精确控制阳离子层和阴离子层的层数为1～4层，且自组装的最后一层为阴离子层，不但能够控制界面层的厚度为纳米级，且界面层表面带负电荷，从而易于在电极表面沉积带正电荷的电子传输层材料，使电子传输层与电极之间能够本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电极，其特征在于，包括：导电层；界面层，其通过静电自组装的方式结合在所述导电层的表面，所述电极的功函数小于所述导电层的功函数。2.根据权利要求1所述的电极，其特征在于，所述界面层包括至少一层阳离子层和至少一层阴离子层，所述阳离子层和所述阴离子层交替层叠且层数相同，所述界面层通过所述阳离子层与所述导电层的表面结合。3.根据权利要求2所述的电极，其特征在于，所述导电层的材料包括ITO、IZO、IGZO和AZO中的至少一种，所述阳离子层的材料包括纳米级的阳离子胺基聚合物、纳米级的阳离子甲基聚合物和纳米级的阳离子甲基丙烯酸中的至少一种，所述阴离子层的材料包括纳米级的阴离子胺基聚合物、纳米级的阴离子甲基聚合物和纳米级的阴离子甲基丙烯酸中的至少一种。4.根据权利要求3所述的电极，其特征在于，所述阳离子层的材料包括纳米级的季胺壳聚糖、阳离子聚丙烯酰胺和阳离子聚丙烯酸羟乙酯中的至少一种，所述阴离子层的材料包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱佩，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：