一种陶瓷电容器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种陶瓷电容器，其包括：陶瓷电容芯片，为多个且间隔并排设置；第一导电连接片，依序与多个陶瓷电容芯片的一端面铆接固定，且第一导电连接片的一端延伸形成第一引脚；第二导电连接片，依序与多个陶瓷电容芯片的另一端面铆接固定，且第二导电连接片的一端延伸形成第二引脚；绝缘部，包覆于多个陶瓷电容芯片、第一导电连接片和第二导电连接片上；其中，第一引脚和第二引脚均外露在绝缘部之外；本方案巧妙性通过第一导电连接片和第二导电连接片将多个陶瓷电容芯片进行并联，再通过绝缘部进行封装，而引脚可根据装配电路板需要，成型指定形状，实现大容量、小尺寸陶瓷电容器设计，同时兼具组装简单、实施可靠和电学性能高的优点。能高的优点。能高的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷电容器


[0001]本技术涉及电容器件领域，尤其涉及一种陶瓷电容器。

技术介绍

[0002]常规陶瓷电容器都是单颗芯片，而为了提高容量，通常需要将芯片尺寸做大，而这也将导致电容器整体体积随之变大，令其在电路板上占用空间更多，因此，不利于客户端电路集成化，且在成本增加的同时，芯片体积加大内部结构容易发生缺陷，使产品性能降低。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本技术的目的在于提出一种结构紧凑、便于安装且使用灵活的陶瓷电容器。
[0004]为了实现上述的技术目的，本技术所采用的技术方案为：
[0005]一种陶瓷电容器，其包括：
[0006]陶瓷电容芯片，为多个且间隔并排设置；
[0007]第一导电连接片，依序与多个陶瓷电容芯片的一端面铆接固定，且第一导电连接片的一端延伸形成第一引脚；
[0008]第二导电连接片，依序与多个陶瓷电容芯片的另一端面铆接固定，且第二导电连接片的一端延伸形成第二引脚；
[0009]绝缘部，包覆于多个陶瓷电容芯片、第一导电连接片和第二导电连接片上，将多个陶瓷电容芯片、第一导电连接片和第二导电连接片封装其中；
[0010]其中，所述第一引脚和第二引脚均外露在绝缘部之外。
[0011]作为一种可能的实施方式，进一步，所述第一导电连接片上间隔形成有多个第一片状连接部，多个第一片状连接部与多个陶瓷电容芯片的一端面一一对应且铆接固定。
[0012]作为一种较优的实施选择，优选的，所述第一片状连接部与陶瓷电容芯片的一端面铆接固定，该铆接固定的铆接点为2～4个。
[0013]作为一种较优的实施选择，优选的，所述第一片状连接部之间的第一导电连接片部分沿远离陶瓷电容芯片方向拱起，且拱起高度为0.1～3mm。
[0014]作为一种可能的实施方式，进一步，所述第二导电连接片上间隔形成有多个第二片状连接部，多个第二片状连接部与多个陶瓷电容芯片的另一端面一一对应且铆接固定。
[0015]作为一种较优的实施选择，优选的，所述第二片状连接部与陶瓷电容芯片的另一端面铆接固定，该铆接固定的铆接点为2～4个。
[0016]作为一种较优的实施选择，优选的，所述第二片状连接部之间的第二导电连接片部分沿远离陶瓷电容芯片方向拱起，且拱起高度为0.1～3mm。
[0017]作为一种较优的实施选择，优选的，所述陶瓷电容芯片的数量为两颗；
[0018]所述绝缘部为环氧树脂材质成型。
[0019]作为一种较优的实施选择，优选的，所述第一引脚由绝缘部一端引出且沿远离陶
瓷电容芯片方向翻折形成C形结构；
[0020]所述第二引脚由绝缘部另一端引出，且横跨陶瓷电容芯片翻折形成C形结构。
[0021]作为一种较优的实施选择，优选的，所述第一导电连接片和第二导电连接片的厚度为0.1～2mm。
[0022]采用上述的技术方案，本技术与现有技术相比，其具有的有益效果为：本方案巧妙性通过第一导电连接片和第二导电连接片将多个陶瓷电容芯片进行并联，再通过绝缘部将并联好的两颗陶瓷电容芯片整体用绝缘材料进行封装，而引脚可根据装配电路板需要，成型指定形状，如C形、外折型型、内折型、插件型等，实现大容量、小尺寸陶瓷电容器设计，另外，本方案陶瓷电容器还具有组装简单、实施可靠、结构紧凑和电学性能高的优点。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1是本技术方案的简要三维结构示意图之一；
[0025]图2是本技术方案的简要三维结构示意图之二；
[0026]图3是本技术方案隐去绝缘部的简要三维结构示意图；
[0027]图4是本技术方案隐去绝缘部的简要二维结构示意图之一；
[0028]图5是本技术方案隐去绝缘部的简要二维结构示意图之二；
[0029]图6是本技术方案隐去绝缘部的简要二维结构示意图之三；
[0030]图7是本技术方案隐去绝缘部的简要二维结构示意图之四。
具体实施方式
[0031]下面结合附图和实施例，对本技术作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本技术，但不对本技术的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本技术的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
[0032]如图1至图7之一所示，本技术一种陶瓷电容器，其包括：
[0033]陶瓷电容芯片1，为多个且间隔并排设置；
[0034]第一导电连接片2，依序与多个陶瓷电容芯片1的一端面铆接固定，且第一导电连接片2的一端延伸形成第一引脚21；
[0035]第二导电连接片3，依序与多个陶瓷电容芯片1的另一端面铆接固定，且第二导电连接片3的一端延伸形成第二引脚31；
[0036]绝缘部4，包覆于多个陶瓷电容芯片1、第一导电连接片2和第二导电连接片3上，将多个陶瓷电容芯片1、第一导电连接片2和第二导电连接片3封装其中；
[0037]其中，所述第一引脚21和第二引脚31均外露在绝缘部3之外。
[0038]为了提高连接可靠性和增大接触面，使陶瓷电容芯片1的装配更为可靠，本方案中，作为一种可能的实施方式，进一步，所述第一导电连接片2上间隔形成有多个第一片状
连接部22，多个第一片状连接部22与多个陶瓷电容芯片1的一端面一一对应且铆接固定；所述第二导电连接片3上间隔形成有多个第二片状连接部32，多个第二片状连接部32与多个陶瓷电容芯片1的另一端面一一对应且铆接固定。
[0039]本方案中，为了提高铆接固定的稳定性和避免因为器件发热引起的翘边等不良问题，作为一种较优的实施选择，优选的，所述第一片状连接部22与陶瓷电容芯片1的一端面铆接固定，该铆接固定的铆接点221为2～4个；所述第二片状连接部32与陶瓷电容芯片1的另一端面铆接固定，该铆接固定的铆接点321为2～4个。
[0040]而为了避免出现触电粘连等不良状况，本方案中，作为一种较优的实施选择，优选的，所述第一片状连接部22之间的第一导电连接片2部分沿远离陶瓷电容芯片1方向拱起，且拱起高度为0.1～3mm；所述第二片状连接部32之间的第二导电连接片3部分沿远离陶瓷电容芯片1方向拱起，且拱起高度为0.1～3mm。
[0041]经本方案结构连接的陶瓷电容芯片1形成并联式结构，而可以将第一导电连接片2和第二导电连接片3作为长边或异形件进行连接更多的陶瓷电容芯片1，实现电容的扩充和配对电路板的结构进行适应性调整结构，而本实施例中，所述陶瓷电容芯片1的数量为两颗；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷电容器，其特征在于，其包括：陶瓷电容芯片，为多个且间隔并排设置；第一导电连接片，依序与多个陶瓷电容芯片的一端面铆接固定，且第一导电连接片的一端延伸形成第一引脚；第二导电连接片，依序与多个陶瓷电容芯片的另一端面铆接固定，且第二导电连接片的一端延伸形成第二引脚；绝缘部，包覆于多个陶瓷电容芯片、第一导电连接片和第二导电连接片上，将多个陶瓷电容芯片、第一导电连接片和第二导电连接片封装其中；其中，所述第一引脚和第二引脚均外露在绝缘部之外。2.如权利要求1所述的陶瓷电容器，其特征在于，所述第一导电连接片上间隔形成有多个第一片状连接部，多个第一片状连接部与多个陶瓷电容芯片的一端面一一对应且铆接固定。3.如权利要求2所述的陶瓷电容器，其特征在于，所述第一片状连接部与陶瓷电容芯片的一端面铆接固定，该铆接固定的铆接点为2～4个。4.如权利要求2所述的陶瓷电容器，其特征在于，所述第一片状连接部之间的第一导电连接片部分沿远离陶瓷电容芯片方向拱起，且拱起高度为0....

【专利技术属性】
技术研发人员：黄景林，
申请(专利权)人：厦门万明电子有限公司，
类型：新型
国别省市：