一种能够发射平行光的发光二极管制造技术

一种能够发射平行光的发光二极管，包括封装体和ＬＥＤ发光芯，其特征是，ＬＥＤ发光芯位于前端球头的焦点上。（*该技术在2012年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体发光二极管(LED)，特别是一种能够发射平行光或近似于平行光的发光二极管。现有的半导体发光二极管(LED)，是由发光管管芯安装在支架上，外壳由环氧树脂塑封成型，由管芯的位置和环氧树脂的不同，决定了其发光特点。如图2示，一般发光二极管由半球型元头和柱体组成，发光芯处于球头焦点(3)的上方即在发光点(4)处，其位置决定了发光角度和光通量，发光芯距焦点越远，发光角度越大，光通量越大，侧面光通量减少，但随着与LED距离的增大，光强迅速减小(球面光)，因发光芯不在LED的焦点，导致不能发射平行光或者说含有平行光的比率非常少，因为平行光可以远距离传输，如果将现有的LED直接应用于诸如矿灯、手电筒、铁路交通信号灯、飞机指示灯这些非常需要远距离传输的照明装置，显然是有严重缺陷的，即使配合良好的反射镜也难于取得好的效果。本技术目的实现由以下技术方案实现本技术包括封装体和LED发光芯，其特征是LED发光芯即其发光点位置位于前端球头的焦点上；LED发光芯采用高亮度LED发光芯，发光芯是指GaN(氮化镓)、AlGaInP(铝嫁铟磷)。本技术的优点是能够发射平行光或者说含有平行光的比率非常大，因平行光可以远距离传输，因此本技术可直接应用于诸如矿灯、手电筒、铁路交通信号灯、飞机指示灯这些非常需要远距离传输的照明装置，特别是配合合理的反射镜完全可以取得满意的效果，使高亮度LED应用更加广泛。如附附图说明图1示，本技术包括封装体(1)，LED发光芯(2)。采用浅插式封装，即其发光点位置位于前端球头的焦点(3)上，该焦点的确定是根据前端球头的半径及封装体的折射率通过几何光学计算，所采用的计算方法为同行业技术人员所熟知，LED发光芯采用高亮度LED发光芯，最好是GaN(氮化镓)、AlGaInP(铝嫁铟磷)等可以获得从红外到紫外的所有颜色的LED，根据不同需要，选择不同的发光芯。另，本技术说明书中所述的平行光并非绝对的平行，而是近似于平行光，这为同行业技术人员容易理解，或者说，采用本技术结构的产品达到近似于平行光即实现了本专利技术目的。虽然以上已经参照附图对按照本技术目的的构思和实施例作了详尽说明，但本领域普通技术人员可以认识到，在没有脱离权利要求限定范围的前提条件下，仍然可以对本技术作出各种改进和变换，比如，封装体形状的变化，导致焦点位置确定所需的计算方法随之变化，而这种改进和变换仍然应当属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种能够发射平行光的发光二极管，包括封装体和LED发光芯，其特征是，LED发光芯位于前端球头的焦点上。2.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李桂琴，马坤红，郭金源，
申请(专利权)人：北京联发中拓科技发展有限公司，
类型：实用新型
国别省市：