大功率发光二极管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种大功率发光二极管，包括底座（１）、固定在底座（１）内的支架电极（２１、２２）、晶片（３）和金线（４），以及外封胶体（５）和盖装在底座（１）上的聚光透镜（６），所述金线（４）的两端分别与支架电极和晶片电极焊接，还包括铜柱（８），所述底座（１）内开有放置所述铜柱（８）的圆柱形通孔（１１），所述晶片（３）下表面借助金锡合金层以共晶方式固定在所述铜柱（８）的上表面。同现有技术相比较，本实用新型专利技术大功率发光二极管具有散热性能好、使用寿命长等优点。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种大功率发光二极管，包括底座（１）、固定在底座（１）内的支架电极（２１、２２）、晶片（３）和金线（４），以及外封胶体（５）和盖装在底座（１）上的聚光透镜（６），所述金线（４）的两端分别与支架电极和晶片电极焊接，其特征在于：还包括铜柱（８），所述底座（１）内开有放置所述铜柱（８）的圆柱形通孔（１１），所述晶片（３）下表面借助金锡合金层以共晶方式固定在所述铜柱（８）的上表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛丹琳，
申请(专利权)人：华宏光电子深圳有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]