【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种制作双极型晶体管的方法,包括下列步骤:在基片上形成一由场绝缘体围绕的半导体池,在所述的半导体池中形成基极、发射极和集电极半导体区,形成一个覆盖在所述的发射极区上的导电多晶硅层,形成与每一所述的基区、多晶硅和集电极区接触的 金属条带,所述的多晶硅在所述的场绝缘体上横向延伸,使所述的金属起反应以形成导电硅化物接触条带,以及,形成与每一所述的的硅化物接触条带相接触的端电极。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:拉杰夫让沙夏,托安特兰,
申请(专利权)人:得克萨斯仪器公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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