光电二极管阵列制造技术

本发明专利技术的光电二极管阵列用于计算机层析摄影，其中，直接转换的影响和光学串扰几乎得到完全补偿。在一基片上设有一组光电二极管（３），其中，在每两个光电二极管（３）之间设有一集电二极管（４），集电二极管（４）的阳极互相连接并且接在电压源（６）上，使集电二极管（４）反向工作。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光电二极管阵列。在X光的计算机层析摄影中，X光探测器将入射的X光信号转换为一电信号。最常用的探测器结构是氙电离箱阵列或闪烁器及其附设的光电二极管阵列。在闪烁器-光电二极管阵列中，闪烁器将入射的X射线量子转换成光子。沿射线方向设在闪烁器之后的光电二极管吸收入射的光子而得到光电流，该光电流与入射的X射线光强成正比。本专利技术的目的在于提供一种光电二极管阵列，其光电二极管单片地置于一基片上，其中少部分直接进入光电二极管的X射线量子不产生杂散的干扰信号，并且其中从一个探测器通路到下一探测器通路的信号串扰在很大程度上被抑制了。本专利技术的目的是这样实现的，即提供这样一种光电二极管阵列，其带有一个基片，在此基片上设有一组光电二极管，其中每两个光电二极管之间设有一个集电二极管，并且集电二极管的阳极互相连接，其共同的阳极触点接在一电压源上，使集电二极管反向工作。本装置在x光计算机层析摄影中尤为适用。下面借助附图所示的一个实施例详细说明本专利技术，附图所示为附图说明图1为一个用以说明本专利技术构思的光电二极管阵列剖视图，图2为本专利技术的按照图1所示的光电二极管阵列的电路图。图1示出了一个具有一组光电二极管3的光电二极管阵列，这些光电二极管3设置在基片1上，基片1设有一背面触点2。在每两个光电二极管3之间设有一个集电二极管4，它同样设在基片1上。光电二极管3将从一个未示出的、串接的闪烁器中由X射线产生的光转换成一个相应的电信号。该光电二极管3和集电二极管4在图1中也以线路符号表示。通过集电二极管4使直接转换对产生的信号的影响以及光学串扰的影响明显减小。另一明显的信号改善，通过集电二极管4的空间电荷区范围从阳极范围(P区)向阴极范围(N区)附近延伸而实现。为此布线时对二极管对(光电二极管3和围绕光电二极管3的集电二极管4)作如下安排在制造时使所有的集电二极管4在阳极相接触，其共同的阳极触点5接在电压源6(电压U＝0-100V)上，使集电二极管4反向工作(图2)。通过恰当地选择反向截止电压Vab和光电二极管3上的偏压(电压源7)，可按以下准则对集电二极管4中的空间电荷区进行调整1、两个二极管3、4的边缘区域内直接转换最小2、光学串扰在硅片内被抑制3、各个光电二极管间电隔离4、光电二极管3中的暗电流变得最小5、因此光电二极管3的暗电流温度系数变得很小。所有上述提到的要点都会导致一CT探测仪性能的改善，并能使计算机层析摄影的图象更完美。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一光电二极管阵列，带有一个基片（１），在基片（１）上有一组光电二极管（３），其特征在于，在每两个光电二极管（３）之间设有一个集电二极管（４）并且集电二极管（４）的阳极（５）相互连接，其中共同的阳极触点（５）接在一电压源（６）上，使集电二极管（４）反向工作。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 1994-11-9 P4439995.2一光电二极管阵列，带有一个基片(1)，在基片(1)上有一组光电二极管(3)，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：沃纳库尔曼，马丁施米特，罗尔夫林德，罗兰W齐格勒，
申请(专利权)人：西门子公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]