半导体晶片制造技术

可防止半导体集成电路中焊点腐蚀的半导体晶片、半导体器件和制造该半导体器件的方法。沿切割线将带有半导体集成电路和从半导体集成电路上的引线焊点延伸到切割线的互连的半导体晶片切割成芯片。部分互连以测片焊点残留部分的形式留在芯片上，并用绝缘膜覆盖测片焊点残留部分的表面。这就防止了水之类从测片焊点残留部分侵入，从而防止了半导体集成电路中引线焊点的腐蚀，进而提高了半导体器件产品的可靠性和寿命。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到半导体晶片、半导体器件及半导体器件的制造方法，确切地说是涉及到带有从半导体器件焊点伸延到切割线的互连的半导体晶片、用这种半导体晶片制作的半导体器件以及制造这种半导体器件的方法。附图说明图16顶视图示出了一个常规半导体晶片。采用加于半导体集成电路1a中引线焊点2上的晶片测试探针4来进行晶片的测试。图17是图16所示半导体晶片1的剖面图。参照图18，在完成晶片测试之后，沿切割线6将晶片切割，使半导体集成电路1a分割成芯片。图19和20分别对应于图17和图18，示出了使用绝缘膜9来保护半导体集成电路1a上的有源区。在将半导体集成电路1a分割成芯片之后，制作了连接于半导体集成电路1a的引线焊点2的引线(未示出)。当晶片测试探针4同引线焊点2相接触时，使引线焊点2出现损伤5。为了减小半导体集成电路1a的尺寸并提高半导体集成电路1a中有源区的比率，最近已使引线焊点2越来越小型化。因此，由于半导体集成电路1a的小型化，引线就有可能连接到引线焊点2的损伤5处，这就会引起引线焊点2和引线之间的不良连接。图21示出了用来防止劣质连接的常规半导体晶片1的剖面。晶片的测试采用只加到切割线6中的晶片测试焊点3上的晶片测试探针4来进行。参照图22，在完成晶片测试之后，沿切割线6来切割晶片，从而将半导体集成电路1a分割成芯片。图23和24分别对应于图21和22，示出了使用绝缘膜9来保护半导体集成电路1a上的有源区。但是，如图22所示，晶片测试焊点残留部分3a的表面和切割区被暴露出来。这就引起诸如水、钾、镁之类对铝(Al)有腐蚀作用的物质从晶片测试焊点残留部分3a侵入引线焊点2而引起引线焊点2的铝腐蚀的问题。根据本专利技术的第一种情况，半导体晶片包含用来制作带有第一焊点的半导体集成电路的半导体集成电路制作区；围绕着半导体集成电路制作区形成的用来将半导体集成电路切割成芯片的切割区；存在于切割区的第二焊点；以及将第一焊点和第二焊点电连接的并在半导体集成电路制作区上有一弯曲的互连。根据本专利技术的第二种情况，第二焊点的面积最好大于第一焊点的面积。根据本专利技术的第三种情况，第二焊点最好制作在半导体集成电路制作区周围，不要留有与其中可形成有存在于半导体集成电路制作区周围的切割区中至少一个第二焊点相同面积的空白区。根据本专利技术的第四种情况，半导体集成电路制作区最好包括多个含有第一和第二半导体制作区的半导体集成电路，互连包括多个含有第一和第二互连的互连，第一互连电连接第二焊点和第一半导体集成电路制作区上的第一焊点并在第一半导体集成电路制作区上有一弯曲，而第二互连电连接第二焊点和第二半导体集成电路制作区上的第一焊点并在第二半导体集成电路制作区上有一弯曲。本专利技术的第五种情况涉及到一种半导体器件，其制作方法是沿切割区对带有从用来制作半导体集成电路的半导体集成电路制作区延伸到形成于半导体集成电路制作区周围的切割区的互连的半导体晶片进行切割，它包含覆盖互连的切割部分的绝缘膜。本专利技术的第六种情况涉及到一种半导体器件，其制作方法是沿切割区对带有从用来制作半导体集成电路的半导体集成电路制作区延伸到形成于半导体集成电路制作区周围的切割区的互连的半导体晶片进行切割，其中半导体集成电路制作区上的互连有一弯曲。根据本专利技术的第七种情况，制造半导体器件的方法包含下列步骤制备带有从用来制作半导体集成电路的半导体集成电路制作区延伸到形成于半导体集成电路制作区周围的切割区的互连的半导体晶片；借助于在半导体集成电路制作区和切割区之间边界处形成沟槽的方法，切割互连；制作覆盖沟槽中互连切割部位的绝缘膜；以及沿切割区进行切割以便将半导体集成电路分割成芯片。根据本专利技术的第八种情况，在制作绝缘膜的步骤中，绝缘膜最好制作在半导体集成电路引线焊点之外的半导体集成电路制作区中以及切割区中。根据本专利技术的第一种情况，当半导体集成电路分割成芯片时，弯曲防止了水之类从互连的侵入，从而防止了第一焊点的腐蚀，改善了半导体器件产品的可靠性和寿命。根据本专利技术的第二种情况，大面积的第二焊点增加了晶片测试中探针与第二焊点接触时的可允许位置偏离，从而使测片工艺易于进行。本专利技术的第三种情况可使半导体集成电路制作区周围的切割区得到有效利用。本专利技术的第四种情况可使切割区小型化，导致半导体器件成品率的提高。根据本专利技术的第五种情况，防止了水之类从互连部位侵入，从而防止了半导体集成电路中焊点的腐蚀，改善了半导体器件产品的可靠性和寿命。根据本专利技术的第六种情况，弯曲防止了水之类从互连的渗透，从而防止了芯片中焊点的腐蚀，从而改善了半导体器件产品的可靠性和寿命。本专利技术的第七种情况提供了一种半导体器件，它防止了水之类从互连侵入，从而防止了芯片中焊点的腐蚀。根据本专利技术的第八种情况，同时在沟槽中和除半导体集成电路焊点上之外的半导体集成电路制作区上以及切割区上制作了绝缘膜，这就缓和了对制作绝缘膜的掩模的设计和使用中的精度要求。本专利技术已被用来解决上述问题，其目标是获得可防止半导体集成电路中焊点腐蚀的半导体晶片和半导体器件以及制造半导体器件的方法。结合附图，从本专利技术的下列详细描述中，本专利技术的这些和其它的目的、特点、情况和优点将变得更为明显。图1顶视图示出了本专利技术第一最佳实施例的半导体器件的制造方法。图2剖面图示出了本专利技术第一最佳实施例的半导体器件的制造方法。图3剖面图示出了本专利技术第一最佳实施例的半导体器件的制造方法。图4顶视图示出了本专利技术第一最佳实施例的半导体器件的制造方法。图5剖面图示出了本专利技术第一最佳实施例的半导体器件的制造方法。图6顶视图示出了本专利技术第一最佳实施例的半导体器件的制造方法。图7剖面图示出了本专利技术第一最佳实施例的半导体器件。图8顶视图示出了本专利技术第二最佳实施例的半导体晶片。图9顶视图示出了本专利技术第三最佳实施例的半导体晶片。图10顶视图示出了本专利技术第四最佳实施例的半导体晶片。图11顶视图示出了本专利技术第四最佳实施例的半导体晶片。图12顶视图示出了本专利技术第四最佳实施例的半导体晶片。图13顶视图示出了本专利技术第四最佳实施例的半导体晶片。图14顶视图示出了本专利技术第四最佳实施例的半导体晶片。图15顶视图示出了本专利技术第四最佳实施例的半导体晶片。图16顶视图示出了常规半导体晶片。图17是图16的剖面图。图18剖面图示出了常规半导体器件。图19是常规半导体晶片的剖面图。图20是常规半导体器件的剖面图。图21是常规半导体晶片的剖面图。图22是常规半导体器件的剖面图。图23是常规半导体晶片的剖面图。图24是常规半导体器件的剖面图。第一最佳实施例图1-7示出了根据本专利技术第一最佳实施例的半导体器件制造方法。首先参照图1，制备了半导体晶片1。半导体集成电路1a制作在半导体晶片1上的集成电路制作区上。切割线6即切割区将半导体集成电路制作区分割开来。引线焊点2制作在半导体集成电路1a上。引线焊点2延伸至切割线6上，切割线6上的引线焊点2用作测片焊点3，且引线焊点2和测片焊点3被电连接。这就是说，在切割线6上的引线焊点2用作测片焊点3，而引线焊点2中从半导体集成电路1a延伸到切割线6的部位用作电连接引线焊点2和测片焊点3的互连。图2示出了图1的剖面。对此半导体晶片1进行了晶片测试。在晶片测试中，测片探针4同测片焊点3接触以进行导电测试。测片探针本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶片，它包含：带有第一焊点的用来制作半导体集成电路的半导体集成电路制作区；制作在上述半导体集成电路制作区周围的用来将上述半导体集成电路切割成芯片的切割区；存在于上述切割区上的第二焊点；以及对上述第一焊点和第二焊点进 行电连接并在上述半导体集成电路制作区上有弯曲的互连。

【技术特征摘要】
JP 1996-3-18 60794/961.一种半导体晶片，它包含带有第一焊点的用来制作半导体集成电路的半导体集成电路制作区；制作在上述半导体集成电路制作区周围的用来将上述半导体集成电路切割成芯片的切割区；存在于上述切割区上的第二焊点；以及对上述第一焊点和第二焊点进行电连接并在上述半导体集成电路制作区上有弯曲的互连。2.根据权利要求1的半导体晶片，其中所述的第二焊点的面积大于上述第一焊点的面积。3.根据权利要求1的半导体晶片，其中所述的第二焊点制作在上述半导体集成电路制作区的周围，在上述半导体集成电路制作区周围的上述切割区中没有至少可制作一个上述第二焊点的空白区。4.根据权利要求1的半导体晶片，其中所述的半导体集成电路制作区由包含第一和第二半导体集成电路制作区的多个上述半导体集成电路组成，且所述的互连包括多个包含第一和第二互连的上述互连，上述第一互连电连接上述第二焊点和上述第一半导体集成电路制作区上的上述第一焊点并在上述第一半导体集成电路制作区上有弯曲，且上述第二互连电连接上述第二焊点和上述第二半导体集成电路制作区上的上述第一焊点并在...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村和子，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]