薄膜电阻器的制造方法技术

一种薄膜电阻器的制造方法，先提供绝缘基底，再在其上形成覆盖薄膜电阻层和用烧蚀法除掉其一部分，形成成型薄膜电阻层，用印刷法形成导体引线层，或形成成型导体引线层后，才去掉部分覆盖薄膜电阻层形成成型薄膜电阻层，亦可在形成覆盖薄膜电阻层前后对基底划线，形成相连绝缘基底晶片，并在其上形成成型薄膜电阻层及导体引线层，形成相连薄膜电阻晶片后用物理破裂法从基底分出相连薄膜电阻晶片形成分立薄膜电阻晶片。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子制品中所用及材料，尤其是指能以有效与合乎经济的方式对微电子制品，例如但不限于混合电路微电子制品的薄膜电阻部件，例如但不限于薄膜电阻片中所用及材料。微电子制造技艺常用薄膜电阻作为电路中的无源电路元件和/或承载电路元件。膜薄电阻器可被用于微电子制品，包括但不限于集成电路微电子制品及混合电路微电子制品的电路中。如用于集成电路微电子制品之中时，通常是以本技术习用的方法，在半导体基底上形成绝缘，再对绝缘层上形成的薄膜电阻材料覆盖层以光蚀刻方式成型，从而，形成薄膜电阻器，然后再将此等半导体基底的各部份分开，以形成分立的集成电路晶片。同样地，若用于混合电路微电子制品之中时，通常是以本技术习用的方法，对绝缘基底，例如但不限于玻璃绝缘基底与陶瓷绝缘基底上形成的薄膜电阻材料覆盖层以光蚀刻方式成型，从而，形成薄膜电阻器，然后，再将此等绝缘基底的各部份分开，以形成分立的薄膜电阻晶片。形成集成电路微电子制品或混合电路微电子制品所用的薄膜电阻器时，相关技术经常是在形成一道薄膜电阻材料光蚀刻成型层后，便以聚焦激光光束修整该薄膜电阻材料的光蚀刻成型层的各部份，以便使该薄膜电阻材料形成一道修整和成型的光蚀刻成型层，其后再由其形成一集成电路晶片中的一集成薄膜电阻器，或一分立薄膜电阻晶片中的一分立薄膜电阻器。在绝缘基底以光蚀刻成型法及激光修整法来形成分立薄膜电阻器，其后再将绝缘基底分开以供形成可在混合电路微电子制品中使用的分立薄膜电阻晶片的用法，虽已成为混合电路微电子制品工艺所常见的用法，但此用法并非毫无问题。尤其与集成电路制品工艺比较时，后者除了在一集成电路中会形成一道成型薄膜电阻层外，通常还会利用光蚀刻成型法在该集成电路中另形成若干成型层或成型区，所以在形成一混合电路微电子制品中所用的分立薄膜电阻晶片时，利用光蚀刻法所形成的成型层经常只有(1).一道成型薄膜电阻层；和(2).一对与该成型薄膜电阻层接触的成型导体引线层。因此，在制造分立薄膜电阻晶片时，往往不能将光蚀刻装置和材料有效地用来形成分立薄膜电阻晶片，以致最后会增加该等分立薄膜晶片的制造成本。在绝缘基底上使用光蚀刻法来形成成型薄膜电阻层与成型导体引线层，其后再将该等绝缘基底分开而形成分立薄膜电阻晶片的用法，其另一项结果是绝缘基底通常必须提高其表面平坦度及光洁度，以便该等绝缘基底在习用的光蚀刻装置中能正确对齐，随后，再以其形成成型薄膜电阻层以及与该等薄膜电阻层接触的成型导体引线层。提高绝缘基底的平坦度及光洁度，也会增加以习用光蚀刻方法及装置来形成分立薄膜电阻晶片的制造成本。因此，所要达到的目标便是提供一种分立薄膜电阻器的形成方法，除了使其可用于混合电路微电子制品中所用的分立薄膜电阻晶片外，还能(1).免除与形成该等分立薄膜电阻晶片所习用的光蚀刻方法、材料及装置有关的制造成本；和(2).免除与形成分立薄电阻器以供用于分立薄膜电阻晶片所习用的绝缘基底在提高其表面平坦度与光洁度有关的制造成本。在本技术中可找到种种与薄膜电阻器的设计和制造有关的公开技术，最常见的一些均是指薄膜电阻材料和使用该等薄膜阻材料来制造薄膜电阻器的方法，其中所形成的薄膜电阻器均展现出已予改良和受控的性质，例如但不限于薄片电阻性，热电阻系数(TCR)和热稳定性等。详情请参阅，例如(1).颁给Yamazaki等人的第4,042,479号美国专利(以氮化钽铝薄膜电阻材料形成的改良薄膜电阻器)；(2).颁给Yamazaki等人的第4,063,211号美国专利(以矽化钽薄膜电阻材料形成的改良薄膜电阻器)；和(3).颁给Yamazaki等人的第4,338,145号美国专利(以钽铬合金薄膜电阻材料形成的改良薄膜电阻器)；(4).颁给Pau-lson等人的第4,510,178号美国专利(以矽化钽/氮化钽薄膜电阻材料形成的改良薄膜电阻器)；(5).颁给Hall的第5,023,589号美国专利(以掺金镍铬合薄膜电阻材料形成的改良薄膜电阻器)；和(6).颁给Krause等人的美国第4,987,010号专利(以电浆增强式化学汽相淀积(PECVD)超大涂布的白金薄膜电阻材料形成的改良薄膜电阻器)。本专利技术也想找出其它的方法和材料，以供形成可在混合电路微电子制品中所用分立薄膜电阻晶片内使用的分立薄膜电阻器，其中除了可形成该等分立薄膜电阻器外，还能(1).避免采用各种光蚀刻的方法、材料和装置；和(2).避免使用高度抛光的绝缘基底；为求达到前述各目标，特此提出本专利技术，且具备以下的特色及效果。1.可用于混合电路微电子制品中所用的一种薄膜电阻部件，例如但不限于一种分立薄膜电阻晶片内。2.在形成分立薄膜电阻器的同时，还能免于使用各种光蚀刻方法、材料和装置。3.不需使用高度抛光的绝缘基底便能形成分立薄膜电阻器。4.本专利技术提供了一种易于制造分立薄膜电阻器的方法。依本专利技术的前述各特色，在实施本专利技术的方法时，是先提供一种绝缘基底，再利用薄膜淀积法在该绝缘基底上形成一道覆盖薄膜电阻层，接着，利用一种非光蚀刻烧蚀法除掉该覆盖薄膜电阻层的一部份，以便在前述绝缘基底上形成一道成型薄膜电阻层，最后，利用一种非光蚀刻印刷法在该成型薄膜电阻层上形成一道成型导体引线层，或者，可在前述覆盖薄膜电阻层上形成成型导体引线层后，才将该覆盖薄膜电阻层的前述部份除掉，以供形成前述成型薄膜电阻层，此外，亦可在前述绝缘基底之上形成覆盖薄膜电阻层之前或之后对该绝缘基底划线，以便形成一相连绝缘基底晶片，并在其上形成前述的成型薄膜电阻层及成型导体引线层，从而在该绝缘基底中形成一相连薄膜电阻晶片，然后，可利用破裂方式，在不裁切该绝缘基底的情况下，从该绝缘基底分出前述的相连薄膜电阻晶片，而形成一分立薄膜电阻晶片。本专利技术提供一种分离薄膜电阻器的形成方法，以供用于一种薄膜电阻器部件内，例如但不限于混合电路微电子制品中所用的一种分立薄膜电阻晶片，其中(1).在形成这种分立薄膜电阻器时，避免采用了各种光蚀刻的方法、材料和装置；和(2).在形成这种分立薄膜电阻器时，并未使用高度抛光的绝缘基底；本专利技术的方法是运用(1).一种非光蚀刻的能量射束烧蚀法，据以从一道覆盖薄膜电阻层形成分立薄膜电阻器中所用的一道成型薄膜电阻层；和(2).一种非光蚀刻的印刷法，以便在覆盖薄膜电阻层或成型薄膜电阻层上形成一道薄膜电阻器中所用的一道成型导体引线层，从而达到前述目标；因为利用本专利技术的方法在分立薄膜电阻器中形成成型电阻层和成型导体引线层时，可避免采用各种光蚀刻的方法、材料和装置，所以在形成分立薄膜电阻器时，可避免采用高度抛光的绝缘基底；因此，本专利技术提供了一种分离薄膜电阻器的形成方法，以供用于一种薄膜电阻器部件内，例如但不限于混合电路微电子制品中所用的一种分立薄膜电阻晶片，其中(1).在形成这种分立薄膜电阻器时，避免采用了各种光蚀刻的方法、材料和装置；和(2).在形成这种分立薄膜电阻器时，并未使用高度抛光的绝缘基底。本专利技术的方法易于制造；本专利技术的方法使用(1).一种非光蚀刻的能量射束烧蚀法，据以从一道覆盖薄膜电阻层形成一道成型薄膜电阻层，以供用于一分立薄膜电阻器内，其中有个分立薄膜电阻器内所用的一道成型薄膜电阻层，其以往是利用一种光蚀刻法而从一道覆盖薄膜电阻予以形成；和(2).一种非光蚀刻的印刷法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜电阻器的形成方法，其包括：提供一种绝缘基底（１０）；在所说的绝缘基底（１０）上利用一种薄膜淀积法来形成一道覆盖薄膜电阻层（１２）；利用一种非光蚀刻能量射束烧蚀法除掉所说的覆盖薄膜电阻层（１２）的一部份，以便在所说的绝缘基 底（１０）上形成一道成型薄膜电阻层（１２ａ）；以及利用一种非光蚀刻印刷法在所说的成型薄膜电阻层（１２ａ）上形成一道成型导体引线层（１６ａ）。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜电阻器的形成方法，其包括提供一种绝缘基底(10)；在所说的绝缘基底(10)上利用一种薄膜淀积法来形成一道覆盖薄膜电阻层(12)；利用一种非光蚀刻能量射束烧蚀法除掉所说的覆盖薄膜电阻层(12)的一部份，以便在所说的绝缘基底(10)上形成一道成型薄膜电阻层(12a)；以及利用一种非光蚀刻印刷法在所说的成型薄膜电阻层(12a)上形成一道成型导体引线层(16a)。2.根据权利要求1所述的薄膜电阻器的形成方法，其特征在于所说的绝缘基底(10)是从玻璃绝缘基底和陶瓷绝缘基底构成的群组中所选用的一种绝缘基底(10)。3.根据权利要求1所述的薄膜电阻器的形成方法，其特征在于所说的覆盖薄膜电阻层(12)是从氮化钽电阻材料、矽化钽电阻材料、钽铬合金电阻材料、镍铬合金电阻材料、矽化铬电阻材料、以及前述电阻材料更高序数合金构成的群组中选用的一种电阻材料所形成。4.根据权利要求1所述的薄膜电阻器的形成方法，其特征在于所说的非光蚀刻能量射束烧蚀法是从激光光束烧蚀法、聚焦电子束烧蚀法、和聚焦离子束烧蚀法构成的群组中所选用的一种烧蚀法。5.根据权利要求1所述的薄膜电阻器的形成方法，其特征在于所说的非光蚀刻印刷法是从网版印刷法及能量射束感应印刷法构成的群组中所选用的一种印刷法。6.根据权利要求1所述的薄膜电阻器的形成方法，其特征在于所说的非光蚀刻印刷法是运用一种导体糊剂的网版印刷法，该导体糊剂则是从银、银合金、金、金合金、铜、铜合金、钯、钯合金、镍、镍合金导体糊剂构成的群组中选用的一种。7.根据权利要求1所述的薄膜电阻器的形成方法，其特征还在于包括将所说的绝缘基底(10)划线，以便在该绝缘基底(10)中形成一相连基底晶片，且该相连基底晶片之上形成所说的成型薄膜电阻层(12a)和成型导体引线层(16a)，从而由该相连基底晶片形成一片相连薄膜电阻晶片。8.根据权利要求7所述的薄膜电阻器的形成方法，其特征在于所说的绝缘基底(10)是在该绝缘基片上形成所说的覆盖薄膜电阻层(12)之前先被划线。9.根据权利要求7所述的薄膜电阻器的形成方法，其特征在于所说的绝缘基底(10)是在该绝缘基片上形成所说的覆盖薄膜电阻层(12)之后才被划线。10.根据权利要求7所述的薄膜电阻器的形成方法，其特征在于所说的相连薄膜电阻晶片是以所说的绝缘基片的物理破裂方式而从该绝缘基片分出，从而在不需裁切该绝缘基片的情况下形成薄膜电阻器的形成一片分立薄膜电阻晶片。11.根据权利要求1所述的薄膜电阻器的形成方法，其特征在于所说的薄膜电阻器是被形成一种由薄膜电阻晶片，薄膜电阻阵列晶片，和薄膜电阻网路晶片构成的薄膜电阻部件群组中所选用的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈木元，陈泰铭，
申请(专利权)人：国巨股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]