一种电流源电路制造技术

本发明专利技术涉及电路技术领域，提供了一种电流源电路，包括：电源电压输入电路输入电源电压；电源电压防抖电路与电源电压输入电路连接；电源电压防抖电路包括：第三增强型NMOS管与第一增强型NMOS管、第二增强型NMOS管连接；第三增强型NMOS管的漏极与第三增强型NMOS管的源极连接；第三增强型NMOS管接入电源电压；第一本征NMOS管的源极，与第五增强型NMOS管的漏极、第四增强型NMOS管的漏极连接至第一节点；第二增强型NMOS管的源极与第三增强型NMOS管的漏极、第三增强型NMOS管的源极、第五增强型NMOS管的源极连接至第二节点；其中，当从待机模式切换为正常工作模式时，所述第五增强型NMOS管打开，第二节点电压升高以进行预充电。本发明专利技术可有效减小电路模式切换时输出电流源电压偏置的稳定时间及抖动幅度。置的稳定时间及抖动幅度。置的稳定时间及抖动幅度。

【技术实现步骤摘要】
一种电流源电路


[0001]本专利技术涉及电路
，尤指一种电流源电路。

技术介绍

[0002]现有的电流源电路只有一种工作模式——Active模式，如图1所示。Active模式时，NMOS管(NM5)的栅极(Gate)电压(Vg5)接VDD，BGRBlock输出VREF，此时电流源电路即可正常工作，后续通过运放电路比例输出，输出电流基准为Vref/R1，实际输出大小可通过镜像比例进行调节。现有的电流源电路结构中启动瞬间干扰问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种电流源电路，通过本方案可以解决上述问题。
[0004]本专利技术提供的技术方案如下：
[0005]一种电流源电路，包括：
[0006]电源电压输入电路，用于输入电源电压；
[0007]电源电压防抖电路，与所述电源电压输入电路连接；所述电源电压防抖电路包括：
[0008]第一本征NMOS管、第一增强型NMOS管、第二增强型NMOS管、第三增强型NMOS管、第四增强型NMOS管、第五增强型NMOS管；
[0009]所述第三增强型NMOS管，与所述第一增强型NMOS管、第二增强型NMOS管连接；所述第三增强型NMOS管的漏极与所述第三增强型NMOS管的源极连接；所述第三增强型NMOS管接入电源电压；
[0010]所述第一本征NMOS管的源极，与所述第五增强型NMOS管的漏极、所述第四增强型NMOS管的漏极连接至第一节点；
[0011]所述第二增强型NMOS管的源极，与所述第三增强型NMOS管的漏极、所述第三增强型NMOS管的源极、所述第五增强型NMOS管的源极连接至第二节点；
[0012]其中，当从待机模式切换为正常工作模式时，所述第五增强型NMOS管打开，第二节点电压升高以进行预充电。
[0013]进一步优选地，还包括：第一PMOS管；
[0014]所述第一PMOS管的源极，与所述电源电压输入电路连接；所述第一PMOS管的栅极，与所述第二增强型NMOS管的漏极连接至所述电流源电流的输出端口。
[0015]进一步优选地：
[0016]所述第一本征NMOS管的栅极，与所述电源电压输入电路、所述第二增强型NMOS管的栅极、所述第三增强型NMOS管的栅极连接；
[0017]所述第一本征NMOS管的漏极，与所述第一PMOS管的漏极、所述第二增强型NMOS管的漏极连接。
[0018]进一步优选地：
[0019]所述第一增强型NMOS管的漏极，与所述第三增强型NMOS管的源极连接；
[0020]所述第一增强型NMOS管的源极，与所述第四增强型NMOS管的源极连接；
[0021]进一步优选地，还包括：第一电阻；
[0022]所述第一电阻的第一端，与所述第一本征NMOS管的源极、所述第五增强型NMOS管的漏极连接至所述第一节点；
[0023]所述第一电阻的第二端，与所述第四增强型NMOS管的漏极连接。
[0024]进一步优选地：
[0025]在所述待机模式时，所述第四增强型NMOS管的栅极电压为接地电压，所述第一增强型NMOS管的栅极电压为电源电压，所述第五增强型NMOS管的栅极电压为接地电压。
[0026]进一步优选地：
[0027]在所述正常工作模式时，所述第四增强型NMOS管的栅极电压为电源电压，所述第一增强型NMOS管的栅极电压为接地电压，所述第五增强型NMOS管的栅极电压为电源电压。
[0028]进一步优选地，所述电源电压输入电路，包括：
[0029]第二PMOS管、第二本征NMOS管、第二电阻；
[0030]所述第二PMOS管的源极，与所述第一PMOS管的源极连接；所述第二PMOS管的漏极，与所述第二本征NMOS管的漏极连接；
[0031]所述第二本征NMOS管的漏极，还与所述第二本征NMOS管的栅极连接；所述第二本征NMOS管的源极，与输入参考电压的端口连接；所述第二本征NMOS管的栅极，与所述第一本征NMOS管的栅极连接；所述第二本征NMOS管的源极，还与所述第二电阻的第一端连接；
[0032]所述第二电阻的第二端接地。
[0033]通过本专利技术提供的一种电流源电路至少可以实现以下技术效果：
[0034]解决现有的参考电流源电路结构中启动瞬间干扰问题，本专利技术的电路是一种可以减小切换抖动并快速恢复的电流源电路。
附图说明
[0035]下面将以明确易懂的方式，结合附图说明优选实施方式，对一种电流源电路的上述特性、技术特征、优点及其实现方式予以进一步说明。
[0036]图1是现有技术的一种电流源电路的原理图；
[0037]图2是本专利技术中一种电流源电路的一个实施例的原理图；
[0038]图3是本专利技术中参考电流源电路模式转换的输入电压抖动与稳定时间的示意图。
具体实施方式
[0039]以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其他实施例中也可以实现本申请。在其他情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
[0040]应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所述描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或集合的存在或添加。
[0041]为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本专利技术相关的部分，它们并不代表
其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。
[0042]还应当进一步理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
[0043]另外，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0044]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本专利技术的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。
[0045]实施例一
[0046]本专利技术的一个实施例，一种电流源电路，包括：
[0047]电源电压输入电路，用于输入电源电压；
[0048]电源电压防抖电路，与所述电源电压输入电路连接；所述电源电压防抖电路包括：
[0049]第一本征NMOS管NA2、第一增强型NMOS管NM1、第二增强型NMOS管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电流源电路，其特征在于，包括：电源电压输入电路，用于输入电源电压；电源电压防抖电路，与所述电源电压输入电路连接；所述电源电压防抖电路包括：第一本征NMOS管、第一增强型NMOS管、第二增强型NMOS管、第三增强型NMOS管、第四增强型NMOS管、第五增强型NMOS管；所述第三增强型NMOS管，与所述第一增强型NMOS管、第二增强型NMOS管连接；所述第三增强型NMOS管的漏极与所述第三增强型NMOS管的源极连接；所述第三增强型NMOS管接入电源电压；所述第一本征NMOS管的源极，与所述第五增强型NMOS管的漏极、所述第四增强型NMOS管的漏极连接至第一节点；所述第二增强型NMOS管的源极，与所述第三增强型NMOS管的漏极、所述第三增强型NMOS管的源极、所述第五增强型NMOS管的源极连接至第二节点；其中，当从待机模式切换为正常工作模式时，所述第五增强型NMOS管打开，第二节点电压升高以进行预充电。2.根据权利要求1所述的电流源电路，其特征在于，还包括：第一PMOS管；所述第一PMOS管的源极，与所述电源电压输入电路连接；所述第一PMOS管的栅极，与所述第二增强型NMOS管的漏极连接至所述电流源电流的输出端口。3.根据权利要求2所述的电流源电路，其特征在于：所述第一本征NMOS管的栅极，与所述电源电压输入电路、所述第二增强型NMOS管的栅极、所述第三增强型NMOS管的栅极连接；所述第一本征NMOS管的漏极，与所述第一PMOS管的漏极、所述第二增强型NMOS管的漏极连接。4.根据权利要求3所述的电流源电路，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：李兆桂，易鹏，高会阁，
申请(专利权)人：普冉半导体上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：