【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种,特别涉及一种能够可靠地连接器件的上层金属布线和下层金属布线的形成层间绝缘膜的方法,所述器件的单元区和外围电路区之间具有球面形貌。一般用于整平金属布线间绝缘膜的平面化技术包括SOG(旋涂玻璃)平面化、O3-TEOS氧化膜平面化、SOG局部深腐蚀平面化和O3-TEOS氧化膜+SOG深腐蚀平面化技术等等。上述每种技术各有其优缺点。首先,关于SOG平面化技术,金属图形间的间隙掩埋效应和平面化特性优良。然而,由于SOG通过通孔的侧壁被暴露,通孔的侧壁变弯曲或使SOG中所含水汽散发出来。这样,便很难用细通孔来连接上层金属图形和下层金属图形,这会导致通过通孔布线的可靠性降低。第二,关于O3-TEOS氧化膜平面化技术,可获得通过通孔布线的可靠性,然而,在底层形貌不佳或如外围电路区等图形间的间隙较宽的情况下,无法实现金属图形间的连接,且由于平面化的限制使得上层金属图形变薄,导致了金属布线可靠性降低。第三,关于SOG局部深腐蚀平面化技术,因为可以减少通孔侧壁处暴露的SOG部分,所以通过通孔布线的性能和O3-TEOS氧化膜平面化一样好。然而,SOG暴露部分越减少,则平面度越差。最后,关于O3-TEOS氧化膜+SOG深腐蚀平面化技术,该技术平面度优良,且避免了通过通孔暴露SOG,这样,可以实现可靠的金属布线。然而,在SOG深腐蚀期间难以控制SOG和O3-TEOS氧化膜间的选择腐蚀比。另外,需要很多工艺步骤,且由于需要淀积绝缘膜来隔离SOG与上层金属布线,所以导致生产成本增加。因此,本专利技术的目的在于提供一种能够解决上述问题的。为了实现上述目的,根据本专 ...
【技术保护点】
一种形成半导体器件的层间绝缘膜的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:在分成单元区和外围电路区的底层上形成多个下层金属图形;在包括所述下层金属图形的所述底层上形成第一绝缘膜;在所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜;去除所述第二绝缘 膜直至在所述外围电路区上形成的所述下层金属图形的上部,由此使所述第二绝缘膜的某些部分留在所述下层金属图形之间,从而使所述外围电路区平面化;在整个结构上形成氧化膜,以使所述外围电路区和所述单元区平面化。
【技术特征摘要】
KR 1996-6-28 24949/961.一种形成半导体器件的层间绝缘膜的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤在分成单元区和外围电路区的底层上形成多个下层金属图形;在包括所述下层金属图形的所述底层上形成第一绝缘膜;在所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜;去除所述第二绝缘膜直至在所述外围电路区上形成的所述下层金属图形的上部,由此使所述第二绝缘膜的某些部分留在所述下层金属图形之间,从而使所述外围电路区平面化;在整个结构上形成氧化膜,以使所述外围电路区和所述单元区平面化。2.根据权利要求1的形成半导体器件的层间绝缘膜的方法,其特征在于,所述第二绝缘膜是在低于450℃的温度下固化的SOG(旋涂玻璃)膜。3.根据权利要求1的形成半导体器件的层间绝缘膜的方法,其特征在于,所述第二绝缘膜是在低于450℃的温度下固化的SOP(旋涂聚合物)膜。4.根据权利要求1的形成半导体器件的层间绝缘膜的方法,其特征在于,所述第二绝缘膜是通过利用氧等离子体的深腐蚀工艺去除的。5.根据权利要求1的形成半导体器件的层间绝缘膜的方法,其特征在于,所述氧化膜是由O3-TEOS形成的。6.一种形成半导体器件...
【专利技术属性】
技术研发人员:辛东善,
申请(专利权)人:现代电子产业株式会社,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。