显示装置制造方法及图纸

一种显示装置。显示装置包括基板、遮蔽层、半导体层、以及第一栅极层。遮蔽层设置在基板的一侧。半导体层设置在遮蔽层远离基板的一侧，遮蔽层与半导体层至少部分重叠设置。第一栅极层设置在半导体层远离基板的一侧。第一栅极层与半导体层至少部分重叠设置，且与所述遮蔽层电连接。蔽层电连接。蔽层电连接。

【技术实现步骤摘要】
显示装置


[0001]本申请涉及显示
，特别是一种显示装置。

技术介绍

[0002]有机发光晶体管屏幕，例如有源矩阵有机发光二极管(active
‑
matrix organic light
‑
emitting diode,AMOLED)在中小尺寸显示器中已被广泛应用。AMOLED屏幕具有轻便，色域值高的优点。由于AMOLED屏幕是以薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)控制的电流驱动，因此TFT的信赖性要求较高。一般来说，TFT下方设置有机柔性基板，例如聚酰亚胺柔性基板，受到有机柔性基板上电荷等影响，造成TFT信赖性较差，例如产生迟滞(hysteresis)现象。
[0003]而在习知的技术中，遮蔽层通常是以浮接(floating)方式设置的。此种设置方式屏蔽效果差，且寄生电容增加，功耗增加，容易使得TFT的电性偏移，造成AMOLED屏幕的问题较多，且透过率低。
[0004]另外，于习知技术中亦有将遮蔽层接入工作电压(Vdd)，例如接入4.6V的工作电压。此种方式容易影响TFT的阈值电压(threshold voltage,Vth)，使得寄生电容增加，造成AMOLED屏幕运行时的负载增加，透过率下降。

技术实现思路

[0005]为解决上述技术问题，本申请将遮蔽层设置于薄膜晶体管下方，并与薄膜晶体管的栅极相连接。此种方式可以有效屏蔽柔性基板电荷对薄膜晶体管的影响，改善薄膜晶体管的信赖性，并增大薄膜晶体管的导通电流。
>[0006]基于上述目的，本申请提供一种显示装置，包括基板、遮蔽层、半导体层、以及第一栅极层。遮蔽层设置在基板的一侧。半导体层设置在遮蔽层远离基板的一侧，遮蔽层与半导体层至少部分重叠设置。第一栅极层设置在半导体层远离基板的一侧。第一栅极层与半导体层至少部分重叠设置，且与所述遮蔽层电连接。
[0007]在本申请的一实施例中，显示装置包括驱动电路，每个驱动电路包括多个薄膜晶体管。各薄膜晶体管包括在半导体层对应设置的半导体部。至少部分薄膜晶体管的半导体部与遮蔽层重叠设置。
[0008]在本申请的一实施例中，每个驱动电路包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管的半导体部与遮蔽层重叠设置。第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的晶体管类型不同。
[0009]在本申请的一实施例中，第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管；第二薄膜晶体管为低温多晶氧化物薄膜晶体管，第二薄膜晶体管的半导体部与所述遮蔽层不重叠设置。
[0010]在本申请的一实施例中，半导体部包括与第一栅极层重叠设置的沟道区，至少部分薄膜晶体管的沟道区与遮蔽层重叠设置。
[0011]在本申请的一实施例中，遮蔽层与半导体层重叠的部分与第一栅极层与半导体层重叠的部分具有相同的形状。
[0012]在本申请的一实施例中，遮蔽层与第一栅极层具有相同的形状。
[0013]在本申请的一实施例中，显示装置更包括缓冲层以及多个功能层。缓冲层设置于基板上并覆盖遮蔽层。半导体层设置于缓冲层上。多个功能层设置于缓冲层上且覆盖半导体层。
[0014]在本申请的一实施例中，连接孔定义于至少一个多个功能层及缓冲层中，第一栅极层透过连接孔与所述遮蔽层连接。
[0015]在本申请的一实施例中，多个功能层包括：第一栅极绝缘层，设置于缓冲层上并覆盖半导体层；第一栅极层，设置于第一栅极绝缘层上，并与遮蔽层相连接；第二栅极绝缘层，设置于第一栅极绝缘层上并覆盖第一栅极层；第二栅极层，设置于第二栅极绝缘层上；层间绝缘层，设置于第二栅极绝缘层上并覆盖所述第二栅极层；电极层，设置于层间绝缘层上并与半导体层相连接；平坦层，设置于层间绝缘层上并覆盖电极层；阳极层，设置于平坦层上并与电极层相连接；像素定义层，设置于平坦层上，并覆盖部份阳极层；多个间隔柱，设置于像素定义层上。薄膜晶体管包括第一栅极层、第二栅极层及电极层。电极层包括源极及漏极。
[0016]半导体层
附图说明
[0017]图1为本申请的显示装置的制作过程的第一示意图。
[0018]图2为本申请的显示装置的制作过程的第二示意图。
[0019]图3为本申请的显示装置的制作过程的第三示意图。
[0020]图4为本申请的显示装置的制作过程的第四示意图。
[0021]图5为本申请的显示装置的制作过程的第五示意图。
[0022]图6为本申请的显示装置的制作过程的第六示意图。
[0023]图7为本申请的显示装置的制作过程的第七示意图。
[0024]图8为本申请的显示装置的制作过程的第八示意图。
[0025]图9为本申请的显示装置的制作过程的第九示意图。
[0026]图10为本申请的显示装置的制作过程的第十示意图。
[0027]图11为本申请的显示装置的制作过程的第十一示意图。
[0028]图12为本申请的显示装置的制作过程的第十二示意图。
[0029]图13为本申请的显示装置的制作过程的第十三示意图。
[0030]图14为本申请的显示装置的制作过程的第十四示意图。
[0031]图15为本申请的显示装置的示意图。
[0032]图16为本申请的显示装置的遮蔽层的示意图。
[0033]图17为本申请的显示装置的电路俯视图。
[0034]图18为本申请的显示装置的第十五示意图。
具体实施方式
[0035]为了让本申请的上述及其他目的、特征、优点能更明显易懂，下文将特举本申请优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。再者，本申请所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧层、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。
[0036]在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
[0037]如图1所示，本申请的显示装置10可至少包括基板101、遮蔽层103、半导体层105及第一栅极层107。在图15中，遮蔽层103设置在基板101的一侧；半导体层105设置在遮蔽层103远离基板的一侧；遮蔽层103与半导体层105至少部分重叠设置；第一栅极层107设置在半导体层105远离基板101的一侧；第一栅极层107与半导体层105至少部分重叠设置，且与遮蔽层103电连接。
[0038]由于遮蔽层103设置在薄膜晶体管的半导体层105下方，并与薄膜晶体管的栅极相连接。因此可以有效屏蔽柔性基板电荷对薄膜晶体管的影响，改善薄膜晶体管的信赖性，并增大薄膜晶体管的导通电流。
[0039]进一步说明，如图1至图14所示，显示装置10可以以下方式制造。
[0040]S101：设置基板101。
[0041]S102：设置阻挡层102于基板101上。
[0042]S103：设置遮蔽层103于阻挡层102上。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其特征在于，包括：基板，遮蔽层，设置在所述基板的一侧；半导体层，设置在所述遮蔽层远离所述基板的一侧，所述遮蔽层与所述半导体层至少部分重叠设置；第一栅极层，设置在所述半导体层远离所述基板的一侧，所述第一栅极层与所述半导体层至少部分重叠设置，且与所述遮蔽层电连接。2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置包括驱动电路，每个所述驱动电路包括多个薄膜晶体管，各所述多个薄膜晶体管包括：在所述半导体层对应设置的半导体部，至少部分所述薄膜晶体管的半导体部与所述遮蔽层重叠设置。3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，每个所述驱动电路包括：第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的半导体部与所述遮蔽层重叠设置，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管的晶体管类型不同。4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管；所述第二薄膜晶体管为低温多晶氧化物薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的半导体部与所述遮蔽层不重叠设置。5.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述半导体部包括与所述第一栅极层重叠设置的沟道区，至少部分所述薄膜晶体管的沟道区与所述遮蔽层重叠设置。6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述遮蔽层与所述半导体层重叠的部分与所述第一栅极层与所述半导体层重叠的部分具...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟彬，刘红，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：