【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及封装(package)尺寸基本上与半导体芯片相同的半导体器件，它特别适用于多输出半导体芯片，本专利技术还涉及它的制造和装配方法。通常将尺寸与半导体芯片基本相同的封装称为芯片尺寸封装、μ-BGA、芯片规模封装(CSP)等，各种类型的这类封装已经有了一定的发展。图24为具有普通模制型封装的半导体器件的分解透视图。这种半导体器件的制造步骤是在LSI芯片241的电极焊盘上形成凸起242，随后利用尺寸与LSI基本相同的注模树脂243，通过转移模具将LSI芯片241密封起来，最后在外部电极上淀积焊球244。图25示出了普通薄膜(薄膜载带)型半导体器件的剖面图。该半导体器件的制造步骤如下。LSI芯片251表面涂上弹性粘合剂(合成橡胶)252，表面形成内部引线253和外部连接焊盘254的聚酰亚胺255与LSI芯片251表面借助弹性粘合剂252紧固在一起，内部引线253粘结在LSI芯片251的芯片电极焊盘上，而焊球256淀积在外部连接焊盘254上。另外，图26为普通倒装法粘结型封装的半导体器件的剖面图。该半导体器件的制造步骤为在LSI芯片261表面形成凸起262，随后在陶瓷或有机材料构成的衬底263上面朝下粘结LSI芯片261，接着利用密封树脂264密封芯片。焊球265淀积在衬底263的反面。如果采用图24-26所示任一种封装，则可以制造出封装尺寸基本上与LSI相同的半导体器件。但是对于图24所示的半导体器件而言，需要专用的转移模具，采用该模具不利于降低半导体器件的成本。此外，对于图25所示的半导体器件而言，由于在LSI芯片与带子之间使用了弹性粘结剂，所...
【技术保护点】
一种包括封装薄膜的半导体器件，其特征在于包含： 其上装配有半导体芯片的器件装配薄膜部分； 位于器件装配薄膜部分上并形成有外部电极焊盘的外部连接薄膜部分； 提供于器件装配薄膜部分端部与外部连接薄膜部分端部之间的弯曲部分；以及 经弯曲部分将半导体芯片的电极焊盘与外部电极焊盘电学连接起来的内部引线。
【技术特征摘要】
JP 1997-5-20 129931/97;JP 1996-12-3 322847/961.一种包括封装薄膜的半导体器件，其特征在于包含其上装配有半导体芯片的器件装配薄膜部分；位于器件装配薄膜部分上并形成有外部电极焊盘的外部连接薄膜部分；提供于器件装配薄膜部分端部与外部连接薄膜部分端部之间的弯曲部分；以及经弯曲部分将半导体芯片的电极焊盘与外部电极焊盘电学连接起来的内部引线。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于进一步包括提供于所述器件装配部分与所述外部连接薄膜部分之间的平板。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于所述外部连接薄膜部分包含过孔，所述平板是导电的，在所述封装薄膜上经所述弯曲部分形成有从所述半导体芯片的基准电源的电极焊盘引出的用于基准电源的内部引线，并且导电材料嵌入过孔以将用于基准电源的所述内部引线与所述导电平板电连接起来。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于进一步包括包括底部平板部分和顶部平板部分的基本呈U形的平板；其中所述器件装配薄膜部分附着在所述基本呈U形的平板的所述底部平板部分的内表面，而所述外部连接薄膜部分附着在所述顶部平板部分的外表面。5.一种包括封装薄膜的半导体器件，其特征在于包含其上装配有半导体芯片的器件装配薄膜部分，器件装配薄膜部分面对半导体芯片的正面；位于半导体芯片反面并形成有外部电极焊盘的外部连接薄膜部分；提供于器件装配薄膜部分端部与外部连接薄膜部分端部之间的弯曲部分；以及经弯曲部分将半导体芯片的电极焊盘与外部电极焊盘电连接起来的内部引线。6.一种包括装配有半导体芯片的封装薄膜的半导体器件，半导体芯片的电极焊盘位于沿着芯片中央部分或者芯片中心线的区域内，其特征在于所述封装薄膜包含在沿着对应于半导体芯片电极焊盘形成部分的中央部分或中心线区域内形成的器件过孔；在形成器件过孔以外区域内形成的外部电极焊盘；以及将半导体芯片的电极焊盘与外部电极焊盘连接起来的内部引线。7.一种包括装配有半导体芯片的封装薄膜的半导体器件，半导体芯片的电极焊盘位于芯片的周边部分，其特征在于所述封装薄膜包含在对应于半导体芯片电极焊盘形成部分的周边区域内形成的器件过孔；在形成器件过孔以外区域内形成的外部电极焊盘；以及将半导体芯片的电极焊盘与外部电极焊盘连接起来的内部引线，其中封装薄膜与半导体芯片之间的间隔用密封树脂固定。8.如权利要求1、6或7中任意一项所述的半导体器件，其特征在于提供保护框架覆盖所述半导体芯片的侧面或者侧面与反面。9.一种包括封装薄膜的半导体器件，其特征在于包含其上装配有半导体芯片的器件装配薄膜部分，器件装配薄膜部分面对半导体芯片的正面；位于半导体芯片反面并形成有外部电极焊盘的外部连接薄膜部分；提供于器件装配薄膜部分端部与外部连接薄膜部分端部之间的弯曲部分；以及内部引线，其中器件装配薄膜部分包含在对应于半导体芯片电极焊盘形成部分的预定区域内形成的器件过孔和在形成器件过孔以外区域内形成的外部电极焊盘，并且内部引线将半导体芯片的电极焊盘与器件装配薄膜部分的外部电极焊盘电学连接，并经弯曲部分将半导体芯片的电极焊盘与外部连接薄膜部分连接起来。10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于所述外部连接薄膜部分包括在对应于所述器件装配薄膜部分上外部电极焊盘形成位置的位置上形成的所述外部电极焊盘。11.一种将如权利要求10所述的多个半导体器件层叠起来的半导体器件，其特征在于叠放所述半导体器件从而使第一半导体器件的一些别部分的所述外部电极焊盘叠加在第二半导体器件一些薄膜部分的所述外部电极焊盘上，由此使所述叠放的外部焊盘电极电连接起来。12.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于焊球淀积在形成于所述外部连接薄膜部分的其中一个所述外部电极焊盘和形成于所述器件装配薄膜部分上的所述外部电极焊盘上。13.如权利要求6、7或9任意一项所述的半导体器件，其特征在于所述封装薄膜包含在装配有所述半导体芯片的表面上形成的绝缘树脂凸起。14.如权利要求1、5或9所述的半导体器件，其特征在于所述封装薄膜包含多个弯曲部分，并且包含多个所述外部连接薄膜部分，它们分别对应于所述多个弯曲部分。15.如权利要求14所述的半导体器件，其特征在于所述封装薄膜包含两个弯曲部分和两个外部连接薄膜部分，它们分别对应于所述半导体芯片的两个相对面。16.如权利要求14所述的半导体器件，其特征在于所述封装薄膜包含四个弯曲部分和四个外部连接薄膜部分，它们分别对应于所述半导体芯片的四个侧面。17.如权利要求1、5、6、7或9所述的半导体器件，其特征在于所述弯曲部分具有所述内部引线上被涂覆弹性树脂的结构。18.如权利要求1、5、6、7或9所述的半导体器件，其特征在于所述内部引线直接与所述半导体芯片的所述电极粘结在一起。19.如权利要求18所述的半导体器件，其特征在于所述内部引线通过退火镀金铜箔而形成。20.如权利要求1、5、6、7或9所述的半导体器件，其特征在于焊球淀积在所述外部电极焊盘上。21.一种制造半导体器件的方法，其特征在于包含以下步骤制备具有平面型结构的封装薄膜，其部分被分为形成有器件过孔的器件装配薄膜部分、外部连接薄膜部分以及位于器件装配薄膜部分与外部连接薄膜部分之间的弯曲部分，外部电极焊盘形成于封装薄膜第一表面侧的外部连接薄膜部分，从器件过孔经弯曲部分到达外部电极焊盘的内部引线；通过将内部引线粘结到位于过孔形成部分的半导体芯片电极焊盘将半导体芯片装配到第一表面侧的器件装配薄膜部分上；以及将外部连接薄膜部分朝封装薄膜的第二表面侧弯曲180°并将其固定。22.如权利要求21所述的半导体器件制造方法，其特征在于在所述内部引线粘结至所述半导体芯片的所述电极焊盘之后才进行装配所述半导体芯片的步骤，使得密封树脂流入所述器件装配薄膜部分与所述半导体芯片正面之间的间隔从而将所述半导体芯片固定在所述器件装配薄膜部分。23.如权利要求21所述的半导体器件制造方法，其特征在于所述封装薄膜具有多个所述弯曲部分和多个所述外部连接薄膜部分，它们分别对应于所述多个弯曲部分，并且通过分别将位于相应的所述弯曲部分的所述多个外部连接薄膜部分朝所述第二表面侧弯曲180°并将其固定从而完成固定所述多个外部连接薄膜部分的步骤。24.如权利要求23所述的半导体器件制造方法，其特征在于通过使密封树脂从位于每个所述外部连接薄膜部分流入每个所述外部连接薄膜部分与所述器件装配薄膜部分之间的间隔和所述器件装配薄膜部分与所述半导体芯片正面之间的间隔完成固定所述外部连接薄膜部分的步骤，从而将所述半导体芯片固定在所述器件装配薄膜部分并将所述外部连接薄膜部分固定在所述器件装配薄膜部分。25.如权利要求23所述的半导体器件制造方法，其特征在于所述封装薄膜包括两个弯曲部分和两个外部连接薄膜部分，它们分别与所述半导体芯片的两个相对侧面对应，并且通过分别将位于对应的所述弯曲部分的所述两个外部连接薄膜部分朝所述第二表面侧弯曲180°并将其固定而完成固定所述外部连接薄膜部分的步骤。26.如权利要求23所述的半导体器件制造方法，其特征在于所述封装薄膜包括四个弯曲部分和四个外部连接薄膜部分，它们分别与所述半导体芯片的四个侧面对应，并且通过分别将位于对应的所述弯曲部分的所述四个外部连接薄膜部分朝所述第二表面侧弯...
【专利技术属性】
技术研发人员：高桥义和，铃木正美，木村胜，
申请(专利权)人：冲电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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