半导体清洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶片传送器件或船和包括晶片传送装置器件和可加热的反应芯的半导体清洗装置。晶片传送器件包括具有用于接收第一组半导体晶片的多个第一狭缝的第一单元和具有用于接收第二组半导体晶片的多个第二狭缝的第二单元。第一狭缝与第二狭缝交替设置。第一单元可与第一电压源相连，第二单元可与第二电压源相连。第二电压源比第一电压源负电性更强。一般情况下，第一组半导体晶片中具有将被去掉的杂质，第二组半导体晶片用于接收这些杂质。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及半导体晶片的清洗方法和装置，特别涉及利用热发射的方法和装置。制造半导体硅集成电路的工序必须是非常洁净的，因为既使是很少量不希望的污染杂质也能引起集成电路的整个变坏或失效。因此，半导体硅晶片必须在处理步骤中被清洗。已有许多清洗工艺用在硅半导体制造中。湿法清洗工艺通常作为一部份单独的制造步骤，利用特殊的化学溶液从硅晶片表面除去污物。干法清洗工艺通常是在某种气体或气体混合物中或者在等离子体环境中通过从晶片表面腐蚀掉污物来除去污物。吸杂处理是利用了污物向着硅晶片(带有高密度的这种收集器的区域称为“吸杂”)内的特殊收集器运动并稳定停留在收集器的趋势。但是，湿法和干法清洗工艺只能从硅晶片表面除去污物。吸杂处理只能用于某几种类型的污物(例如铁、铜、镍等)。转让给本申请的共同所有人的欧洲专利公开EP-A-0749153公开了一种清洗方法，该方法在加热的情况下利用电场从半导体晶片表面移动带正电荷的杂值离子，并使其在表面上向带负电的电极(称为“集电极”)运动。欧洲专利公开EP-A-0749153中公开的装置示意地表示在附图说明图1中，现在参照图1简要说明。在电极之间产生电场，其中标记为10的一个电极固定到要清洗的晶片12上。标记为14的另一电极(“集电极”)位于一段距离外。晶片电极10与电压源输出Vb相连，而电极14与另一电源输出Vc相连，其中电势Vc比电势Vb负电性更强。这样，就产生电场，移动标记为16的正离子，从晶片表面向集电极14运动，在那儿，正离子将被吸收(捕获)。该装置一般被设置在真空中或有气体混合物的环境中，并被加热，以激励晶片表面的离子发射。EP公开EP-A-0749153还描述在两电极10和14之间利用等离子体增强晶片表面上的电场。本专利技术的目的是提供利用热发射分批清洗半导体晶片的方法和装置。这些方法和装置特别适用于在高温炉、反应器或快速热工具等中进行的一般半导体制造工艺中。因此，根据本专利技术优选实施例，提供由半导体晶片构成的集电极。该半导体晶片可以具有未抛光表面、粗糙表面或氧化表面。而且，根据本专利技术优选实施例，还提供具有第一单元和第二单元的晶片传送装置或船，其中第一单元带有用于容纳第一组半导体晶片的多个第一狭缝，第二单元带有容纳第二组半导体晶片的狭缝，第一狭缝与第二狭缝交替设置。第一单元与第一电压源相连，而第二单元与第二电压源相连。第二电压源比第一电压源负电性更强。第一组半导体晶片内一般具有将被除去的杂质，第二组半导体晶片将接收这些杂质。此外，根据本专利技术优选实施例，第一单元是下层导电材料，第二单元是上层导电材料。第二单元具有多个与第一狭缝对准的第三狭缝，并且第三狭缝比第一狭缝长和宽。而且，根据本专利技术第二优选实施例，第一单元是由交替导电和绝缘的支架组成的第一支撑壁，第二单元是由交替绝缘和导电的支架组成的第二支撑壁。每个半导体晶片被一个导电和一个绝缘支撑水平支撑。另外，根据本专利技术第三优选实施例，晶片传送装置还包括两个绝缘材料的支杆。第一单元是第一导电材料杆，第二单元是第二导电材料杆。第一杆具有交替小狭缝和大狭缝，第二单元具有交替的大和小狭缝，从而每个半导体晶片被一个小狭缝固定并在一个大狭缝中浮动。此外，根据本专利技术的优选实施例，第一半导体晶片将被清洗，而第二半导体晶片作为集电极。根据本专利技术的优选实施例，还提供半导体清洗装置，包括可加热反应芯、芯集电极和晶片传送器件。芯集电极固定到反应芯上，并可与第一芯电压源Va相连。晶片传送器件至少把一个待清洗半导体晶片传送入反应芯中，晶片传送器件至少可与第二晶片电压源Vb相连。Va比Vb负电性更强。而且，根据本专利技术优选实施例，芯集电极固定到反应芯的外边。另外，根据本专利技术优选实施例，晶片传送器件具有接收第一组半导体晶片的第一单元和接收第二组半导体晶片的第二单元。第一单元具有与第二单元的狭缝交替的狭缝。第一单元可与晶片电压源Vb相连，第二单元与第三集电极电压源Vc相连。集电极电压源Vc比Vb负电性更强。另外，根据本专利技术优选实施例，第一组半导体晶片将被清洗，第二组半导体晶片作为集电极。根据本专利技术优选实施例，另外提供一种半导体清洗装置，包括可加热反应芯和晶片传送器件。晶片传送器件把多个半导体晶片传送入反应芯中，并具有接收待清洗的第一组半导体晶片的第一开有狭缝的单元和接收构成集电极的第二组半导体晶片的第二开有狭缝的单元。第一单元的狭缝与第二单元的狭缝交替排列。第一单元可与第一电压源Vb相连，第二单元可与第二电压源Vc相连。最后，根据本专利技术优选实施例，提供一种反应芯清洗装置，包括可加热反应芯、芯集电极和导电元件。芯集电极固定到反应芯上并与第一芯电压源Va相连。导电元件位于反应芯内部并至少可与具有比芯电压源的电压电平高的电压电平的第二电压源相连。芯集电极可以安装到反应芯的内部或外部。通过下面参照附图的详细描述可以更充分理解和了解本专利技术。图1是表示现有技术热发射系统的示意图；图2是典型现有技术半导体处理装置；图3是表示根据本专利技术优选实施例构成和工作的用于批处理的热发射系统的示意图；图4A、4B和4C是表示承载一批半导体晶片的船的三个实施例的示意图；图5是根据本专利技术第二实施例构成和工作的用于批处理的另一热发射系统的示意图；图6是根据本专利技术第三优选实施例构成和工作的用于批处理的热发射系统的示意图；图7是根据本专利技术第四优选实施例构成和工作的用于清洗处理炉的热发射系统的示意图；图8A和8B是相对于反应芯的位置和它的绝缘层设置芯集电极的两个实施例的示意图；下面参考表示典型现有技术半导体处理装置100的图2进行说明。该装置具有包在外壳104内的反应芯102。对一批半导体晶片106所要求的处理、退火、氧化、外延生长、LPCVD等都在反应芯102中进行。一般情况下，晶片106安装在用于传送一批半导体晶片106的某种传送器件108上，传送器件可以是，例如船、桨形装置、运载工具等。如图2所示，处理装置包括输运装置110，它从处理装置的外部到内部载运传送器件108。根据本专利技术优选实施例，EP公开EP-A-0749153所公开的对一个或多个晶片106进行的电场清洗是在现有技术的炉或快速热工具的反应芯102中实施的。在下面叙述的每个实施例中，一个晶片106或一批被污染的晶片106被放置在传送器件108中，之后传送器件108被放置在反应芯102中。在传送器件108内部形成第一电极，所有晶片106都与之相连。集电极的位置在不同实施例中是变化的。在有些实施例中，反应芯102内部制成真空并抽入惰性气体或气体混合物。在另一些实施例中，不用抽成真空。然后反应芯被加热到300℃和1300℃之间的温度，则在两电极之间产生电场。或者，有许多电极，在它们之间产生电场。如果需要，可以在反应芯102中引入等离子体，以增强电场，如EP公开EP-A-0749153所述。而且如果需要，可以在反应芯102中引入氧气，由此在清洗处理过程中发生氧化。本专利技术的各个实施例提供的原地清洗可以用于大多数半导体处理装置，例如那些提供高温退火、高温氧化、光刻胶去除、等离子体处理、化学汽相淀积(CVD)、硅外延生长、快速热处理等的装置。对于每个这些装置来说，清洗工作可以在制造工艺之前，过程中或之后进行。下面参照表示用于批处理的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集电极，由半导体晶片构成。

【技术特征摘要】
IL 1997-6-5 121010;IL 1997-11-13 1221931.一种集电极，由半导体晶片构成。2.如权利要求1的集电极，其中所述半导体晶片的表面可以是未抛光的、抛光的或粗糙的。3.一种晶片传送装置，包括具有用于接收第一组半导体晶片的多个第一狭缝的第一单元和具有用于接收第二组半导体晶片的多个第二狭缝的第二单元，所述第一狭缝与所述第二狭缝交替设置，所述第一单元可与第一电压源相连，所述第二单元可与第二电压源相连。4.如权利要求3的晶片传送器件，其中所述第一单元是下层导电材料，所述第二单元是上层导电材料，所述第二单元具有与所述第一狭缝对准的多个第三狭缝，其中所述第三狭缝比所述第一狭缝宽和长。5.如权利要求3的晶片传送器件，其中所述第一单元是由交替导电和绝缘的支架构成的第一支撑壁，所述第二单元是由交替绝缘和导电的支架构成的第二支撑壁，这样，每个半导体晶片被一个导电和一个绝缘支架水平撑着。6.如权利要求3的晶片传送器件，还包括绝缘材料的两支撑杆，其中所述第一单元是导电材料的第一杆，所述第二单元是导电材料的第二杆，其中第一杆具有交替的小和大狭缝，第二单元具有交替的大和小狭缝，这样每个半导体晶片由一个小狭缝固定并在一个大狭缝中浮动。7.半导体清洗装置，包括(1)可加热的反应芯；(2)固定到所述反应芯上并可与第一芯电压源相连的芯集电极；和(3)用于将至少一个待清洗的半导体晶片输送到所述反应芯中的晶片传送器件，所述晶片传送器件可与至少第二晶片电压源相连，其电压电平比所述芯电压电源的电压电平高。8.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y津曼，A拉维德，L肖伊彻特，I科尔赫马，A瑟尔吉恩克，
申请(专利权)人：西扎里有限公司，
类型：发明
国别省市：IL[以色列]