【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及制备半导体器件的方法,特别涉及制备半导体器件接触塞的方法,该接触塞能防止其上互连之间的桥接。随着半导体器件的高集成度的提高,更加需要多层互连技术。为了确保光刻工艺的裕度、并使这种多层互连技术中互连的长度最小化,应该平面化形成在半导体衬底上的绝缘层和导电层。如果它们没有平面化,则由于复杂的形貌,经常使互连出现开路或短路。为此进行了很多努力来平面化绝缘层和导电层,以形成接触塞。附图说明图1A到1D表示形成接触塞的现有技术方法的工艺步骤。参见图1A,例如栅极4,半导体存储器件的字线形成在半导体衬底1上,衬底1上形成有器件隔离层2。在包括栅极4的半导体衬底上淀积氧化物绝缘层6。沿栅极4的形貌,氧化物层6有不平的表面。而且在绝缘层6上产生彼此之间有台阶的两个区域,一个是形成栅极4的高台阶区,另一个是不形成栅极的低台阶区。接着,当用CMP(化学机械抛光)工艺腐蚀具有不平表面的绝缘层6时,如图1B所示,可以平面化绝缘层6的上表面。参见图1C,再腐蚀平面化的绝缘层6,直到暴露半导体衬底1上的扩散区(未示出),由此形成接触孔8。随后,在绝缘层6上淀积如多晶硅等导电层10,以填充接触孔8。最后,如图1D所示,进行CMP工艺,腐蚀导电层10直到暴露绝缘层6的上表面,由此形成多晶硅接触塞10a。这里,我们应该注意到在已有技术方法中,在形成接触塞10a之前应先进行绝缘层6的CMP工艺,在CMP工艺过程中绝缘层6上会产生划伤。绝缘层6的划伤导致因用导电材料覆盖划伤处而在将要形成在接触塞上的互连之间形成桥接。而且,应该充分淀积绝缘层6以覆盖栅极4,并确保绝缘层的表面 ...
【技术保护点】
一种形成半导体器件接触塞的方法,包括步骤: 在其中有多个扩散区的半导体衬底上形成导电结构; 在包括导电结构的半导体衬底上形成绝缘层; 腐蚀绝缘层直到暴露至少一个扩散区,以形成接触孔; 在绝缘层上淀积导电层,用导电层填充接触孔; 腐蚀导电层直到暴露绝缘层的上表面,以形成接触塞;及 用平面化-腐蚀工艺方法腐蚀包括接触塞的绝缘层上表面, 其中,接触塞和绝缘层的上表面都被平面化。
【技术特征摘要】
KR 1998-4-25 14850/98;KR 1997-6-11 24146/971.一种形成半导体器件接触塞的方法,包括步骤在其中有多个扩散区的半导体衬底上形成导电结构;在包括导电结构的半导体衬底上形成绝缘层;腐蚀绝缘层直到暴露至少一个扩散区,以形成接触孔;在绝缘层上淀积导电层,用导电层填充接触孔;腐蚀导电层直到暴露绝缘层的上表面,以形成接触塞;及用平面化一腐蚀工艺方法腐蚀包括接触塞的绝缘层上表面,其中,接触塞和绝缘层的上表面都被平面化。2.如权利要求1的方法,其特征为所说绝缘层由SiO2、USG(未掺杂硅酸盐玻璃)、BPSG(硼磷硅玻璃)、PSG(磷硅玻璃)、SiN、SiON、SiOF、SOG(旋涂玻璃)、FOX(可流动氧化物)、聚合物等构成的组中的至少一种及它们的组合构成。3.如权利要求1的方法,其特征为利用CVD、PVD、回流、或强迫填充工艺,由W、Al、Cu、Ti、TiN、多晶硅、W-Si、Al-Au、和Al-Cu-Si组成的组中的一种工艺构成所说导电层。4.如权利要求1的方法,其特征为用选自深腐蚀工艺和CMP工艺组成的组中的一个进行导电层的所说腐蚀步骤。5.如权利要求4的方法,其特征为用湿法或干法腐蚀工艺进行所说深腐蚀工艺。6.如权利要求4的方法,其特征为使用抛光材料进行所说CMP工艺,其中使导电层与绝缘层的抛光速度比在几百∶1到1∶几百的范围内。7.如权利要求1方法,其特征为腐蚀导电层的步骤包括深腐蚀导电层以形成凹陷接触塞,其中凹陷接触塞在平面化—腐蚀过程中用作腐蚀阻止层。8.如权利要求1的方法,其特征为使用抛光材料进行所说平面化—腐蚀工艺,其中使导电层与绝缘层的抛光速度比在1∶几百到几百∶1的范围内。9.如权利要求1的方法,其特征为该方法还包括在形成导电层之前在包括接触孔的绝缘层上形成阻挡层。10.如权利要求9的方法,其特征为所说阻挡层至少由Ti、TiN、Ta、TaN、WN、TiSiN中的一种及它们的组合构成。11.一种形成半导体器件接触塞的方法,包括步骤在其中有多个扩散区的半导体衬底上形成导电结构;随后在包括导电结构的半导体衬底上形成第一和第二绝缘层,所说第二绝缘层有比第一绝缘层相对高的硬度;接着腐蚀第二和第一绝缘层直到暴露扩散区和导电结构中的至少一个,以形成接触孔;在第二绝缘层上形成导电层,填充接触孔;腐蚀导电层直到暴露至少第二绝缘层的上表面,以形成接触塞;及平面化—腐蚀包括接触塞的第二和第一绝缘层,其中,...
【专利技术属性】
技术研发人员:尹普彦,丁寅权,李元成,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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