晶片载置台制造技术

晶片载置台具备：静电卡盘，其在陶瓷烧结体中埋设有静电吸附用电极；冷却构件，其粘接于静电卡盘的与晶片载置面相反侧的面上，对静电卡盘进行冷却；供电端子用孔，其在厚度方向上贯通冷却构件；以及供电端子，其从静电卡盘的与晶片载置面相反侧的面与静电吸附用电极接合，并插入于供电端子用孔中。供电端子中的插入于供电端子用孔中的部分的外周面被涂覆有绝缘材料的绝缘薄膜覆盖。有绝缘材料的绝缘薄膜覆盖。有绝缘材料的绝缘薄膜覆盖。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶片载置台


[0001]本专利技术涉及晶片载置台。

技术介绍

[0002]以往，在半导体晶片的传送、曝光、CVD等成膜工艺、清洗、蚀刻、切割等微细加工中，使用吸附保持晶片的晶片载置台。作为这样的晶片载置台，如专利文献1所示，已知有下述晶片载置台，其具备在陶瓷烧结体中埋设有静电吸附用电极的静电卡盘、对该静电卡盘进行冷却的冷却构件、以及插入到在厚度方向上贯通冷却构件的供电端子用孔并与静电吸附用电极接合的供电端子。静电卡盘和冷却构件经由粘接层粘接。供电端子的外周被绝缘材料包围。在图2中示出这样的晶片载置台的供电端子周边的结构的一例。在供电端子中的插入冷却构件的供电端子用孔中的部分的外周面粘接有由绝缘材料形成的陶瓷套管。即，在使供电端子插通于在上下方向贯通陶瓷套管的供电端子用孔中的状态下，利用粘接层将供电端子固定在该孔内。陶瓷套管通过切削加工等制作，因此需要一定程度的厚度。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利第4034145号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]但是，如果陶瓷套管较厚，则开设在冷却构件上的供电端子用孔的直径也需要变大，有可能损害晶片载置面、晶片的均热性。即，开设于冷却构件上的供电端子用孔是对于来自等离子体的热输入的散热(图2的箭头)不朝向正下方进行的特异部位，但如果该孔的直径大，则特异部位也变大，因此晶片载置面、晶片的均热性受损。
[0008]本专利技术是为了解决这样的课题而完成的，其主要目的在于提高晶片载置面、晶片的均热性。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]本专利技术的晶片载置台，具备：
[0011]静电卡盘，其在陶瓷烧结体中埋设有静电吸附用电极；
[0012]冷却构件，其粘接或接合于所述静电卡盘的与晶片载置面相反侧的面上，对所述静电卡盘进行冷却；
[0013]供电端子用孔，其在厚度方向上贯通所述冷却构件；以及，
[0014]供电端子，其从所述静电卡盘的与晶片载置面相反侧的面接合于所述静电吸附用电极，且插入于所述供电端子用孔中，
[0015]所述供电端子中的插入于所述供电端子用孔中的部分的外周面被涂覆有绝缘材料的绝缘薄膜覆盖。
[0016]在该晶片载置台中，供电端子中的插入于供电端子用孔中的部分的外周面被涂覆
有绝缘材料的绝缘薄膜覆盖。因此，能够使设置于冷却构件的供电端子用孔的直径与供电端子中被绝缘薄膜覆盖的部分的直径相应地变小。尽管供电端子用孔成为对于来自等离子体的热输入的散热不朝向正下方进行的特异部位，但由于能够减小该供电端子用孔的直径，因此能够缩小特异部位，进而提高晶片载置面、晶片的均热性。
[0017]在本专利技术的晶片载置台中，也可以是，所述绝缘薄膜是气溶胶沉积(AD)膜或喷镀膜。特别是，AD法(包括等离子体AD法)适于高精度地形成微细的陶瓷粒子的薄的膜。另外，AD法由于能够通过冲击固化现象使陶瓷粒子成膜，因此不需要在高温下烧结陶瓷粒子。
[0018]在本专利技术的晶片载置台中，也可以是，所述绝缘薄膜的厚度为10μm以上且200μm以下。这样，能够进一步减小供电端子用孔的直径。
[0019]在本专利技术的晶片载置台中，也可以是，所述绝缘薄膜的外表面与所述供电端子用孔的内表面之间的间隙为1mm以下。这样，能够进一步减小供电端子用孔的直径。
附图说明
[0020]图1是本实施方式的晶片载置台的主要部分的纵剖视图。
[0021]图2是以往的晶片载置台的主要部分的纵剖视图。
具体实施方式
[0022]以下，参照附图对本专利技术的优选实施方式进行说明。图1是本实施方式的晶片载置台的主要部分的纵剖视图。
[0023]如图1所示，晶片载置台具备静电卡盘、冷却构件、供电端子用孔和供电端子。静电卡盘在圆板状的陶瓷烧结体中埋设有静电吸附用电极，若对静电吸附用电极施加电压，则静电吸附载置于静电卡盘的晶片载置面上的晶片(未图示)。冷却构件是在内部具有制冷剂通路(未图示)的金属制的构件，对静电卡盘进行冷却。供电端子用孔在厚度方向上贯通冷却构件。供电端子从静电卡盘的与晶片载置面相反侧的面钎焊接合于静电吸附用电极，并插入于供电端子用孔中。作为供电端子的材质，例如可举出钼、钛、镍等。供电端子中的插入于供电端子用孔中的部分的外周面被涂覆有绝缘材料(例如氧化铝)的绝缘薄膜覆盖。
[0024]在以上说明的本实施方式的晶片载置台中，供电端子中的插入于供电端子用孔中的部分的外周面被涂覆有绝缘材料的绝缘薄膜覆盖。因此，能够使设置于冷却构件的供电端子用孔的直径与供电端子中被绝缘薄膜覆盖的部分的直径相应地变小。尽管供电端子用孔成为对于来自等离子体的热输入的散热不朝向正下方进行的特异部位，但由于能够减小该供电端子用孔的直径，因此能够缩小特异部位，进而提高晶片载置面、晶片的均热性。
[0025]另外，绝缘薄膜优选为AD膜或喷镀膜，更优选为AD膜。AD法适于高精度地形成微细的陶瓷粒子的薄的膜。另外，AD法由于能够通过冲击固化现象使陶瓷粒子成膜，因此不需要在高温下烧结陶瓷粒子。
[0026]进而，绝缘薄膜的厚度优选为10μm以上且200μm以下。另外，绝缘薄膜的外表面与供电端子用孔的内表面的间隙优选为1mm以下。这样，能够进一步减小供电端子用孔的直径。
[0027]需要说明的是，静电卡盘中也可以埋设有加热器电极(电阻发热体)，也可以埋设有RF电极。
[0028]本申请将2019年6月28日申请的日本专利申请第2019
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121490号作为优先权主张的基础，通过引用将其全部内容包含在本说明书中。
[0029]产业上的利用可能性
[0030]本专利技术能够用于例如半导体晶片的传送、曝光、CVD等成膜工艺、清洗、蚀刻、切割等微细加工。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种晶片载置台，具备：静电卡盘，其在陶瓷烧结体中埋设有静电吸附用电极；冷却构件，其粘接或接合于所述静电卡盘的与晶片载置面相反侧的面上，对所述静电卡盘进行冷却；供电端子用孔，其在厚度方向上贯通所述冷却构件；以及供电端子，其从所述静电卡盘的与晶片载置面相反侧的面接合于所述静电吸附用电极，且插入于所述供电端子用孔中，所述供电端子中的插入于所述供电端...

【专利技术属性】
技术研发人员：相川贤一郎，竹林央史，久野达也，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：