【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及膜载带、半导体组装体、半导体装置及其制造方法、安装基板和电子装置,特别是涉及芯片尺寸封装(Chip SizePackage)的制造技术和CSP的安装技术。
技术介绍
关于芯片尺寸/比例封装(Chip Size/Scale Package;以下称为CSP)没有正式的定义,但一般理解为封装尺寸与芯片相同或稍大的IC封装。为了推进高密度安装,CSP技术的开发是重要的。CSP与只在封装的周边部分有外引线的QFP(Quad Flat Package四方扁平封装)不同,它能在平面上排列外部连接端子进行表面安装。具体地说,现有的CSP具有形成了布线的聚酰亚胺基板、在该布线上设置的外部连接端子和在聚酰亚胺基板的与外部连接端子相对的侧面上安装的半导体芯片,将布线连接到半导体芯片的电极上。此外,在布线的表面上涂敷焊料抗蚀剂(solder resist),防止布线的氧化。在此,如果焊料抗蚀剂在附着于布线上的同时也附着于外部连接端子上,则在安装时产生导电性方面的连接不良。因此,或是除去附着于外部连接端子上的焊料抗蚀剂,或是必须避开外部连接端子来涂敷焊料抗蚀剂,工序变得复杂。本专利技术是为了解决上述课题而进行的,其目的在于提供在应用了CSP技术的膜载带、半导体组装体、半导体装置及其制造方法、安装基板和电子装置中不需要在表面上涂敷焊料抗蚀剂的技术。专利技术的公开与本专利技术有关的膜载带包括具有柔性和绝缘性的基体材料;以及在该基体材料的任一个面上形成的布线图形,上述布线图形包括与半导体元件连接的多条引线;以及与各引线一体地形成并设置外部连接端子的焊区(pad),上述各 ...
【技术保护点】
一种膜载带,包括具有柔性和绝缘性的基体材料以及在该基体材料的任一个面上形成的布线图形,其特征在于: 上述布线图形包括与半导体元件连接的多条引线以及与各引线一体地形成并设置外部连接端子的焊区(pad), 上述各引线的在上述基体材料一侧的整个面与上述基体材料紧密接触, 在对应于上述基体材料中的上述各焊区的位置上形成用于形成上述外部连接端子的开口部。
【技术特征摘要】
JP 1997-1-23 10722/97;JP 1997-3-21 87443/971.一种膜载带,包括具有柔性和绝缘性的基体材料以及在该基体材料的任一个面上形成的布线图形,其特征在于上述布线图形包括与半导体元件连接的多条引线以及与各引线一体地形成并设置外部连接端子的焊区(pad),上述各引线的在上述基体材料一侧的整个面与上述基体材料紧密接触,在对应于上述基体材料中的上述各焊区的位置上形成用于形成上述外部连接端子的开口部。2.如权利要求1所述的膜载带,其特征在于在上述基体材料上的上述布线图形上具有用与上述布线图形相同的材料形成的、在与上述半导体元件的连接中使用的凸起。3.一种膜载带,其特征在于,包括基体材料;在该基体材料的一个面上形成的布线图形;以及在上述基体材料的上述一个面上避开上述布线图形中的与半导体元件的连接部而且至少在对应于外部连接端子的被形成的位置的区域中设置的应力缓和部。4.如权利要求3所述的膜载带,其特征在于至少在上述连接部上设置导电性树脂。5.如权利要求3或权利要求4所述的膜载带,其特征在于上述连接部成为凸状。6.一种半导体组装体,其特征在于,包括具有柔性和绝缘性的基体材料;在该基体材料的任一个面上以紧密接触的方式形成的布线图形;在上述基体材料的上述布线图形形成面一侧配置的多个半导体元件;在形成上述布线图形的一部分并与上述各半导体元件进行导电性连接的同时与上述基体材料紧密接触的连接部;形成上述布线图形的一部分的外部连接端子形成用的多个焊区;以及对应于上述各焊区在上述基体材料中形成的开口部。7.如权利要求6所述的半导体组装体,其特征在于在上述半导体元件和与该半导体元件相对的上述基体材料之间具有绝缘性树脂。8.如权利要求7所述的半导体组装体,其特征在于在上述半导体元件的电极和上述布线图形的至少任一方上形成与另一方相对的凸起,在上述绝缘性树脂的至少上述半导体元件的电极与上述连接部之间存在导电粒子。9.如权利要求8所述的半导体组装体,其特征在于上述绝缘性树脂是各向异性导电膜或各向异性导电粘接剂。10.一种半导体装置,其特征在于,包括具有柔性和绝缘性的基体材料;在该基体材料的任一个面上以紧密接触的方式形成的布线图形;在上述基体材料的上述布线图形形成面一侧配置的半导体元件;在形成上述布线图形的一部分并与上述半导体元件进行导电性连接的同时与上述基体材料紧密接触的连接部;构成上述布线图形的一部分的多个焊区;对应于上述各焊区在上述基体材料中形成的开口部;以及通过上述开口部与上述焊区连接并在上述基体材料的与上述半导体元件配置面相反的面上突出的外部连接端子。11.如权利要求10所述的半导体装置,其特征在于在上述布线图形和上述电极的至少一方上,形成与另一方相对的凸起。12.一种半导体装置,包括在一个面上形成布线图形并在另一个面上形成外部连接端子的基体材料以及在一个面上具有电极的半导体元件,其特征在于上述基体材料的上述一个面与上述半导体元件的上述一个面隔开预定间隔而相对,上述布线图形与上述电极用导电性树脂进行导通,在避开上述电极的区域中,在上述基体材料与上述半导体元件之间设置应力缓和部。13.如权利要求12所述的半导体装置,其特征在于只在对应于上述外部连接端子的区域及其附近设置上述应力缓和部。14.一种半导体装置,包括在一个面上形成布线图形并在另一个面上形成外部连接端子的基体材料;与上述一个面相对并将电极连接到上述布线图形上的半导体元件;以及在上述基体材料与上述半导体元件之间的粘接层,其特征在于上述基体材料在上述外部连接端子的形成区中具有孔,上述布线图形具有进入到上述孔中的立体的弯曲部,在上述立体的弯曲部上形成上述外部连接端子。15.一种半导体装置,包括在一个面上形成布线图形并在另一个面上形成外部连接端子的基体材料;与上述一个面相对并将电极连接到上述布线图形上的半导体元件;以及在上述基体材料与上述半导体元件之间的粘接层,其特征在于上述布线图形具有沿基体材料的面弯曲的平面的弯曲部。16.如权利要求15所述的半导体装置,其特征在于在对应于上述平面的弯曲部的区域中的基体材料具有孔。17.如权利要求12所述的半导体装置,其特征在于上述布线图形具有凸部,该凸部和上述电极通过上述导电性树脂进行导通。18.如权利要求17所述的半导体装置,其特征在于上述导电性树脂是各向异性导电膜,以面状粘贴在上述基体材料与上述半导体元件之间,在上述凸部与上述电极之间挤压上述各向异性导电膜中含有的导电粒子来谋求导通。19.如权利要求17所述的半导体装置,其特征在于将上述导电性树脂只设置在对应于上述凸部和上述电极的区域及其附近。20.一种半导体装置,其特征在于,包括在一个面的一侧形成布线图形并且外部连接端子从另一个面的一侧突出的基体材料;在该基体材料的上述一个面上设置的应力缓和部;设置在用上述基体材料夹住该应力缓和部的位置上的半导体元件;以及对上述布线图形与上述半导体元件进行导电性连接的引线。21.如权利要求20所述的半导体装置,其特征在于上述基体材料在上述外部连接端子的形成区中具有孔,上述布线图形具有进入到上述孔中的立体的弯曲部,在上述立体的弯曲部上形成上述外部连接端子。22.一种膜载带的制造方法,其特征在于,包括在具有柔性和绝缘性的基体材料上设置构成布线图形的金属的工序;由上述金属形成上述布线图形以便包含多条引线的工序;以及在与上述基体材料中的各引线重叠的区域的至少一部分上形成各自独立的开口部的工序。23.如权利要求22所述的膜载带的制造方法,其特征在于形成上述布线图形的工序包含除了上述引线的至少一部分之外对上述布线图形进行半刻蚀的工序。24.如权利要求23所述...
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