【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，其中固态成象器件设置有多个光电转换部分，使得它们形成一个矩阵，即由它们的行和它们的列构成的两维图形或阵列，更具体地涉及一种，其中固态成象器件适合用于各种类型的图象输入装置的图象传感器，例如，传真机、摄象机、数字照相机等装置。固态成象器件很久以来是由电荷耦合器件(即，CCD器件)构成的，设置有多个光电转换部分，其中每个光电转换部分变换入射光为其电荷对应于该入射光量的信号电荷量，光电转换部分是这样安排的，即它们形成一个矩阵，即由它们的行和它们的列构成的两维图形或阵列。具体地讲，这些具有光电转换部分和用于转移信号电荷的电荷转移部分分别形成的固态成象器件能够分别执行光电转换处理、电荷读出的处理和电荷转移的处理的每个处理，因此能够按各种驱动模式进行驱动。为此，该固态成象器件的特点是其非常宽的应用范围。这种类型的固态成象器件是已知的，例如，在1995年8月出版的日本杂志“Eizo Jyoho”卷27，80-86页上。这种固态成象器件的特征是它加倍了作为电荷读出的电极，以便控制来自对应于各电荷转移部分之一的光电转换部分的信号电荷的写和读；光电转换部分是通过电荷转移电极的掩膜对准形成的，用于控制对应于各电荷转移部分之一的信号电荷转移。在下文，将参照图33(a)到37(b)，以制造顺序，即其工艺步骤的方式描述公开在上述日本杂志中的常规固态成象器件的制造方法(下文称为第一常规例子)。首先，如图33(b)所示，通过在n型半导体衬底1中离子注入p型杂质，诸如硼离子B+和类似的离子形成p型井层2。然后，通过离子注入p型杂质诸如硼离子B+和类似的离子和n型杂...
【技术保护点】
一种固态成象器件，包括：多个光电转换部分，每个用于变换入射光为信号电荷，其电荷量对应于所述入射光的量；多个与所述光电转换部分相邻设置的电荷读出部分，每个所述电荷读出的部分被设计为读出已经产生在所述光电转换部分中对应的一个中的信号电荷 ；多个与所述光电转换部分相邻设置的电荷转移部分，每个所述电荷转移部分被设计为通过所述电荷读出部分中对应的一个转移已经被从光电转换部分中对应的一个中恢复的信号电荷；和通过一个绝缘膜在所述光电转换部分中对应的一个、所述电荷读出部分中对应 的一个、所述电荷转移部分中对应的一个上面以及在这些对应部分的各周边部分形成的电荷转移电极被设置对应于所述光电转换部分一个上的开口部分，和进行加倍，作为用于控制从所述光电转换部分中对应的一个到所述电荷转移部分中对应的一个的信号电荷的读出和写入的电荷读出电极，所述电荷转移电极被设计为控制所述电荷转移部分中对应的一个的信号电荷的转移。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1998-5-20 138719/981．一种固态成象器件，包括多个光电转换部分，每个用于变换入射光为信号电荷，其电荷量对应于所述入射光的量；多个与所述光电转换部分相邻设置的电荷读出部分，每个所述电荷读出部分被设计为读出已经产生在所述光电转换部分中对应的一个中的信号电荷；多个与所述光电转换部分相邻设置的电荷转移部分，每个所述电荷转移部分被设计为通过所述电荷读出部分中对应的一个转移已经被从光电转换部分中对应的一个中恢复的信号电荷；和通过一个绝缘膜在所述光电转换部分中对应的一个、所述电荷读出部分中对应的一个、所述电荷转移部分中对应的一个上面以及在这些对应部分的各周边部分形成的电荷转移电极被设置对应于所述光电转换部分一个上的开口部分，和进行加倍，作为用于控制从所述光电转换部分中对应的一个到所述电荷转移部分中对应的一个的信号电荷的读出和写入的电荷读出电极，所述电荷转移电极被设计为控制所述电荷转移部分中对应的一个的信号电荷的转移。2．按照权利要求1的固态成象器件，其中在第一导电型半导体层的表面区形成所述各光电转换部分的每一个，并由第二导电型半导体层构成。3．一种固态成象器件，包括多个光电转换部分，每个用于变换入射光为信号电荷，其电荷量对应于所述入射光的量，所述光电转换部分被形成在第一导电型半导体层的表面区并由第二导电型半导体层构成；多个与所述光电转换部分相邻设置的电荷读出部分，每个所述电荷读出部分被设计为读出已经产生在所述光电转换部分中对应的一个中的信号电荷，所述电荷读出部分由所述第一导电型半导体层构成；与所述光电转换部分相邻设置的多个电荷转移部分，每个所述电荷转移部分被设计为通过所述电荷读出部分中对应的一个转移已经被从光电转换部分中对应的一个中恢复的信号电荷，所述电荷转移部分由所述第二导电型半导体层构成；通过在所述电荷转移部分中对应的一个上的绝缘膜形成至少一层的多个第一电荷转移电极，所述第一电荷转移电极的每一个被设计为控制所述电荷转移部分中对应的一个的所述信号电荷的转移；和多个第二电荷转移电极，每个是通过一个绝缘膜在所述光电转换部分对应的一个、所述电荷读出部分对应的一个、所述电荷转移部分中对应的一个上以及在这些对应的部分的周边部分上形成的，每个第二电荷转移电极在所述光电转换部分中对应的一个上设置开口部分，其中形成所述第二电荷转移电极的相邻的电极，以便通过与所述开口部分分开的一个分开部分彼此分开，和所述各第二电荷转移电极的每一个加倍，作为用于控制从所述光电转换部分中对应的一个到所述电荷转移部分中对应的一个的信号电荷的读出和写入的电荷读出电极的部分，所述第二电荷转移电极被设计为控制所述电荷转移部分中对应的一个的所述信号电荷的转移。4．按照权利要求3的固态成象器件，其中所述第二电荷转移电极的每一个是以这样的方式形成的，即，在与一层和相同层的所述第一电荷转移电极的各个对应的电极任何一个间隔开一个预定的距离，或者使其边缘部分覆盖通过一个绝缘膜彼此分隔开的不同层中的所述第一电荷转移电极中对应电极的所述任何一个电极的边缘部分。5．按照权利要求1的固态成象器件，其中所述光电转换部分的每一个是利用所述电荷转移电极中对应的一个的开口部分的边缘部分作为掩膜通过自对准形成的。6．按照权利要求2的固态成象器件，其中所述光电转换部分的每一个是利用所述电荷转移电极中对应的一个的开口部分的边缘部分作为掩膜通过自对准形成的。7．按照权利要求3的固态成象器件，其中所述光电转换部分的每一个是利用所述电荷转移电极中对应的一个的开口部分的边缘部分作为掩膜通过自对准形成的。8．按照权利要求4的固态成象器件，其中所述光电转换部分的每一个是利用所述电荷转移电极中对应的一个的开口部分的边缘部分作为掩膜通过自对准形成的。9．按照权利要求2的固态成象器件，其中所述光电转换部分的每一个是由所述第二导电型半导体层和所述第一导电型半导体层构成的，所述第一导电型半导体层被形成在所述第二导电型半导体层的表面区。10．按照权利要求3的固态成象器件，其中所述光电转换部分的每一个是由所述第二导电型半导体层和所述第一导电型半导体层构成的，所述第一导电型半导体层被形成在所述第二导电型半导体层的表面区。11．按照权利要求4的固态成象器件，其中所述光电转换部分的每一个是由所述第二导电型半导体层和所述第一导电型半导体层构成的，所述第一导电型半导体层被形成在所述第二导电型半导体层的表面区。12．按照权利要求5的固态成象器件，其中所述光电转换部分的每一个是由所述第二导电型半导体层和所述第一导电型半导体层构成的，所述第一导电型半导体层被形成在所述第二导电型半导体层的表面区。13．按照权利要求6的固态成象器件，其中所述光电转换部分的每一个是由所述第二导电型半导体层和所述第一导电型半导体层构成的，所述第一导电型半导体层被形成在所述第二导电型半导体层的表面区。14．按照权利要求7的固态成缘器件，其中所述光电转换部分的每一个是由所述第二导电型半导体层和所述第一导电型半导体层构成的，所述第一导电型半导体层被形成在所述第二导电型半导体层的表面区。15．按照权利要求8的固态成象器件，其中所述光电转换部分的每一个是由所述第二导电型半导体层和所述第一导电型半导体层构成的，所述第一导电型半导体层被形成在所述第二导电型半导体层的表面区。16．按照权利要求2的固态成象器件，其中所述各光电转换部分的每一个是由以下构成的所述第二导电型半导体层的第一层，所述第一层深度大和在其区域中窄；所述第二导电型半导体层的第二层，所述第二层深度小和在其区域中宽；和所述第一导电型半导体层，所述第一导电型半导体层被形成在所述第二导电型半导体层的这些第一和第二层的表面区域中。17．按照权利要求3的固态成象器件，其中所述各光电转换部分的每一个是由以下构成的所述第二导电型半导体层的第一层，所述第一层深度大和在其区域中窄；所述第二导电型半导体层的第二层，所述第二层深度小和在其区域中宽；和所述第一导电型半导体层，所述第一导电型半导体层被形成在所述第二导电型半导体层的这些第一和第二层的表面区域中。18．按照权利要求4的固态成象器件，其中所述各光电转换部分的每一个是由以下构成的所述第二导电型半导体层的第一层，所述第一层深度大和在其区域中窄；所述第二导电型半导体层的第二层，所述第二层深度小和在其区域中宽；和所述第一导电型半导体层，所述第一导电型半导体层被形成在所述第二导电型半导体层的这些第一和第二层的表面区域中。19．按照权利要求5的固态成象器件，其中所述各光电转换部分的每一个是由以下构成的所述第二导电型半导体层的第一层，所述第一层深度大和在其区域中窄；所述第二导电型半导体层的第二层，所述第二层深度小和在其区域中宽；和所述第一导电型半导体层，所述第一导电型半导体层被形成在所述第二导电型半导体层的这些第一和第二层的表面区域中。20．按照权利要求6的固态成象器件，其中所述各光电转换部分的每一个是由以下构成的所述第二导电型半导体层的第一层，所述第一层深度大和在其区域中窄；所述第二导电型半导体层的第二层，所述第二层深度小和在其区域中宽；和所述第一导电型半导体层，所述第一导电型半导体层被形成在所述第二导电型半导体层的这些第一和第二层的表面区域中。21．按照权利要求7的固态成象器件，其中所述各光电转换部分的每一个是由以下构成的所述第二导电型半导体层的第一层，所述第一层深度大和在其区域中窄；所述第二导电型半导体层的第二层，所述第二层深度小和在其区域中宽；和所述第一导电型半导体层，所述第一导电型半导体层被形成在所述第二导电型半导体层的这些第一和第二层的表面区域中。22．按照权利要求8的固态成象器件，其中所述各光电转换部分的每一个是由以下构成的所述第二导电型半导体层的第一层，所述第一层深度大和在其区域中窄；所述第二导电型半导体层的第二层，所述第二层深度小和在其区域中宽；和所述第一导电型半导体层，所述第一导电型半导体层被形成在所述第二导电型半导体层的这些第一和第二层的表面区域中。23．按照权利要求9的固态成象器件，其中形成所述每个光电转换部分的所述第一导电型半导体层是按照这样的方式形成的，即，所述第一导电型半导体区与所述电荷转移电极中对应的一个的所述开口部分的所述电荷读出部分侧的边缘部分分隔开一个预定的距离。24．按照权利要求10的固态成象器件，其中形成所述每个光电转换部分的所述第一导电型半导体层是按照这样的方式形成的，即，所述第一导电型半导体区与所述电荷转移电极中对应的一个的所述开口部分的所述电荷读出部分侧的边缘部分分隔开一个预定的距离。25．按照权利要求11的固态成象器件，其中形成所述每个光电转换部分的所述第一导电型半导体层是按照这样的方式形成的，即，所述第一导电型半导体区与所述电荷转移电极中对应的一个的所述开口部分的所述电荷读出部分侧的边缘部分分隔开一个预定的距离。26．按照权利要求12的固态成象器件，其中形成所述每个光电转换部分的所述第一导电型半导体层是按照这样的方式形成的，即，所述第一导电型半导体区与所述电荷转移电极中对应的一个的开口部分的所述电荷读出部分侧的边缘部分分隔开一个预定的距离。27．按照权利要求13的固态成象器件，其中形成所述每个光电转换部分的所述第一导电型半导体层是按照这样的方式形成的，即，所述第一导电型半导体区与所述电荷转移电极中对应的一个的开口部分的所述电荷读出部分侧的边缘部分分隔开一个预定的距离。28．按照权利要求14的固态成象器件，其中形成所述每个光电转换部分的所述第一导电型半导体层是按照这样的方式形成的，即，所述第一导电型半导体区与所述电荷转移电极中对应的一个的开口部分的所述电荷读出部分侧的边缘部分分隔开一个预定的距离。29．按照权利要求15的固态成象器件，其中形成所述每个光电转换部分的所述第一导电型半导体层是按照这样的方式形成的，即，所述第一导电型半导体区与所述电荷转移电极中对应的一个的开口部分的所述电荷读出部分侧的边缘部分分隔开一个预定的距离。30．按照权利要求16的固态成象器件，其中形成所述每个光电转换部分的所述第一导电型半导体层是按照这样的方式形成的，即，所述第一导电型半导体区与所述电荷转移电极中对应的一个的开口部分的所述电荷读出部分侧的边缘部分分隔开一个预定的距离。31．按照权利要求17的固态成象器件，其中形成所述每个光电转换部分的所述第一导电型半导体层是按照这样的方式形成的，即，所述第一导电型半导体区与所述电荷转移电极中对应的一个的开口部分的所述电荷读出部分侧的边缘部分分隔开一个预定的距离。32．按照权利要求18的固态成象器件，其中形成所述每个光电转换部分的所述第一导电型半导体层是按照这样的方式形成的，即，所述第一导电型半导体区与所述电荷转移电极中对应的一个的开口部分的所述电荷读出部分侧的边缘部分分隔开一个预定的距离。33．按照权利要求19的固态成象器件，其中形成所述每个光电转换部分的所述第一导电型半导体层是按照这样的方式形成的，即，所述第一导电型半导体区与所述电荷转移电极中对应的一个的开口部分的所述电荷读出部分侧的边缘部分分隔开一个预定的距离。34．按照权利要求18的固态成象器件，其中形成所述每个光电转换部分的所述第一导电型半导体层是按照这样的方式形成的，即，所述第一导电型半导体区与所述电荷转移电极中对应的一个的开口部分的所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：畑野启介，山田彻，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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