构件分离装置和加工装置制造方法及图纸

本发明专利技术是为了防止衬底在被传送到分离装置和从分离装置接收时发生跌落。衬底固定部分（２２，２３）的支持表面被水平放置，而待要分离的衬底（２１）在水平状态下被安装在一个衬底固定部分（２２）上（２Ａ）。衬底固定部件（２２，２３）分别绕转轴（２６，２７）旋转，使衬底固定部分（２２，２３）的支持表面垂直，致使衬底（２１）被衬底固定部分（２２，２３）夹在中间（２Ｂ）。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到构件分离装置和加工装置、构件分离方法、以及半导体衬底制造方法。具有SOI(绝缘体上硅)结构的衬底(SOI衬底)即在绝缘层上有单晶硅层的衬底。采用这种SOI结构的器件具有普通硅衬底无法得到的许多优点。这些优点的例子如下(1)由于介电隔离容易而可提高集成度。(2)可提高抗辐射能力。(3)由于寄生电容小而可提高器件的工作速度。(4)不需要阱台阶。(5)可防止闭锁。(6)可用薄膜制作方法来制作完全耗尽的场效应晶体管。由于SOI结构有上述各种优点，故近几十年对它的制作方法进行了各种研究。作为一种SOI技术，用CVD(化学汽相淀积)方法在单晶蓝宝石衬底上异质外延生长硅的SOS(蓝宝石上硅)技术早已为人所知。这一SOS技术曾经被认为是最成熟的SOI技术。但由于例如硅层与下方蓝宝石衬底之间的界面中的晶格失配产生大量晶体缺陷、组成蓝宝石衬底的铝混杂在硅层中、衬底昂贵以及难以获得大的面积，SOS技术至今未能得到实际应用。SOS技术之后，出现了各种各样的SOI技术。对于这些SOI技术，为了降低晶格缺陷和制造成本，已探讨过各种各样的方法。这些方法的例子如下。第一种方法是将氧离子注入衬底以形成氧化物埋层。第二种方法是通过氧化物膜键合二个晶片并抛光或腐蚀其中的一个晶片以便在氧化膜上留下单晶硅层。第三种方法是将氢离子注入到带有氧化膜的硅衬底表面以下预定深度、将此衬底键合到另一个衬底、用热处理之类的方法在氧化膜上留下单晶硅层、再剥离此键合衬底(另一个衬底)。本申请人在日本专利No.5-21338中公开了一种新的SOI技术。在这一技术中，借助于在带有多孔层的单晶半导体衬底上制作无孔单晶层而得到的第一衬底，通过绝缘层(SiO2)键合到第二衬底。再在多孔层处分离二个衬底，从而将无孔单晶层转移到第二衬底。这一技术的优点在于SOI层具有优异的薄膜厚度均匀性，可降低SOI层中的晶体缺陷密度，此SOI层具有高的表面平整度，不需要昂贵的专门制造设备，且带有厚度约数百埃至10μm的SOI膜的SOI衬底可以用同一设备来制造。本申请人还在日本专利No.7-302889中公开了一种技术，此技术将第一和第二衬底键合，将第一衬底从第二衬底分离而不破坏第一衬底，对分离出来的第一衬底的表面进行整平，并再次制作多孔层以便重新使用第一衬底。在此技术中，没有浪费第一衬底，因而可大大降低制造成本并可简化制造工艺。为了便于用上述技术进行大规模生产，必须尽可能减少降低成品率的因素。例如，在多孔层处分离键合衬底叠层的一系列工序中，避免衬底跌落的危险是很重要的。考虑到上述情况，提出了本专利技术，其目的是提供一种适合于分离衬底之类的构件的分离装置和方法、提供一种适合于加工衬底之类的构件的加工装置、以及采用此分离方法的半导体衬底制造方法。根据本专利技术，提供了一种构件分离装置，其特征是包含用来改变构件主表面方向的控制装置以及用流体流来分离构件的分离装置，其中的控制装置具有控制构件使主表面方向与第一方向一致的功能以及控制构件使主表面方向与第二方向一致的功能。在此分离装置中，控制装置最好接收其主表面方向与第一方向一致的构件、使主表面方向与第二方向一致、并将构件移动到分离装置能够对其进行加工的位置，并使被分离装置分离的构件中的至少一个构件的主表面的方向与第一方向一致。在此分离装置中，控制装置最好接收其主表面方向与第一方向一致的构件、使主表面方向与第二方向一致、并将构件移动到分离装置能够对其进行加工的位置，并使被分离装置分离的构件的主表面的方向与第一方向一致。在此分离装置中，第一方向和第二方向最好彼此基本上垂直。在此分离装置中，第一方向最好是构件主表面基本上处于水平的方向。在此分离装置中，待要加工的构件最好包含平板构件，且分离装置沿平面方向切割平板构件，从而将此构件分离成二个平板构件。在此分离装置中，第二方向最好是构件主表面基本上处于垂直的方向，且分离装置沿垂直方向将流体喷射到平板构件，从而将此平板构件分离成二个平板构件在此分离装置中，第一方向最好是平板构件主表面基本上处于水平的方向。在此分离装置中，控制装置最好包含一对在分离装置分离平板构件时从二个表面侧将构件夹在中间而固定平板构件的固定装置。在此分离装置中，每个固定装置最好包含用来吸住平板构件的吸盘装置。在此分离装置中，控制装置最好包含用来使一对固定装置中的至少一个绕平行于吸盘装置的吸盘表面的转轴旋转的旋转装置，并用旋转装置来改变平板构件主表面的方向。在此分离装置中，控制装置最好包含用来使一对固定装置绕平行于吸盘装置的吸盘表面的转轴旋转的旋转装置，并用旋转装置来改变平板构件主表面的方向。在此分离装置中，作为固定装置旋转中心的转轴最好安置在一对固定装置不相互干扰的位置处。此分离装置最好还包含用来使构件绕垂直于主表面的转轴旋转的旋转装置。在此分离装置中，旋转装置最好包含用来在分离装置分离构件时使构件旋转的装置。在此分离装置中，分离装置最好用液体流来分离构件，且旋转装置最好包含用来使被分离装置分离的至少一个构件旋转，以便清除粘附在构件上的液体的装置。分离装置最好还包含用来使一对固定装置中的至少一个绕垂直于固定表面的转轴旋转的旋转装置。在此分离装置中，当分离装置分离构件时，旋转装置最好使固定装置旋转。在此分离装置中，分离装置最好用液体流来分离构件，并在构件被分离装置分离之后，旋转装置最好使固定装置旋转，以便清除粘附在被固定装置固定的构件上的液体。此分离装置最好还包含用来覆盖此装置的工作室。在此分离装置中，工作室最好具有能够开/关的闸门。此分离装置最好还包含用来将待要加工的构件传送到控制装置并从控制装置接收被分离的构件的传送装置，此传送装置被安置在工作室外面，并在闸门打开的情况下将构件传送到控制装置或从控制装置接收构件。在此分离装置中，至少在构件被分离装置分离时，闸门最好关闭。此分离装置最好还包含用来使待要加工的构件相对于控制装置定位的定位装置。在此分离装置中，待要分离的构件最好具有作为分离层的易碎层，且易碎层基本上平行于构件的主表面。根据本专利技术，还提供了一种构件加工装置，其特征是包含用来改变构件主表面方向的控制装置、用来使构件绕垂直于主表面的转轴旋转的旋转装置、以及用来在旋转装置旋转构件的情况下对构件进行加工的加工装置，其中的控制装置接收其主表面方向与第一方向一致的构件，使主表面方向与第二方向一致，并将构件移动到加工装置能够对其进行加工的位置，并使已经被加工装置加工过的构件的主表面与第一方向一致。在此加工装置中，第一方向和第二方向最好彼此基本上垂直。在此加工装置中，第一方向最好是构件主表面基本上处于水平的方向。在此加工装置中，加工装置最好用液体来加工构件，并在构件被加工装置加工之后，旋转装置使构件旋转以清除粘附在构件上的液体。根据本专利技术，还提供了一种加工装置，其特征是包含用来固定构件的固定装置、用来改变固定装置的固定表面的方向的控制装置、用来对固定装置所固定的构件进行加工的加工装置、以及用来在加工装置正在加工构件和/或已经加工完构件时使固定装置固定的构件绕垂直于固定表面的转轴旋转的旋转装置，其中的控制装置在固定装置要接收待要加工的构件时，使固定表面的方向与第一方向一致，在固定装置接收并固定构件之后，使固定装置的固定表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用来分离构件的分离装置，它包含：用来改变构件主表面方向的控制装置；以及用流体流来分离构件的分离装置，其中所述的控制装置具有控制构件主表面方向与第一方向一致的功能以及控制构件主表面方向与第二方向一致的功能。

【技术特征摘要】
JP 1998-4-1 088970/98;JP 1998-4-1 088971/981.一种用来分离构件的分离装置，它包含用来改变构件主表面方向的控制装置；以及用流体流来分离构件的分离装置，其中所述的控制装置具有控制构件主表面方向与第一方向一致的功能以及控制构件主表面方向与第二方向一致的功能。2.根据权利要求1的装置，其中所述的控制装置接收其主表面方向与第一方向一致的构件，使主表面方向与第二方向一致，并将构件移动到所述分离装置能够对其进行加工的位置，并使被所述分离装置分离的至少一个构件的主表面的方向与第一方向一致。3.根据权利要求1的装置，其中所述的控制装置接收其主表面方向与第一方向一致的构件，使主表面方向与第二方向一致，并将构件移动到所述分离装置能够对其进行加工的位置，并使被所述分离装置分离的构件的主表面的方向与第一方向一致。4.根据权利要求1-3中任何一个的装置，其中第一方向和第二方向彼此基本上垂直。5.根据权利要求1-4中任何一个的装置，其中第一方向是构件主表面基本上处于水平的方向。6.根据权利要求1-4中任何一个的装置，其中待要加工的构件包含平板构件，且所述分离装置沿平面方向切割平板构件，从而将此构件分离成二个平板构件。7.根据权利要求6的装置，其中第二方向是构件主表面基本上处于垂直的方向，且所述分离装置沿垂直方向将流体喷射到平板构件，从而将平板构件分离成二个平板构件。8.根据权利要求7的装置，其中第一方向是平板构件主表面基本上处于水平的方向。9.根据权利要求6-8中任何一个的装置，其中所述控制装置包含一对在所述分离装置分离平板构件时从二个表面侧将平板构件夹在中间而固定平板构件的固定装置。10.根据权利要求9的装置，其中每个所述固定装置包含用来吸住平板构件的吸盘装置。11.根据权利要求10的装置，其中所述控制装置包含用来使所述一对固定装置中的至少一个绕平行于所述吸盘装置的吸盘表面的转轴旋转的旋转装置，并用所述旋转装置来改变平板构件主表面的方向。12.根据权利要求10的装置，其中所述控制装置包含用来使所述一对固定装置绕平行于所述吸盘装置的吸盘表面的转轴旋转的旋转装置，并用所述旋转装置来改变平板构件主表面的方向。13.根据权利要求11或12的装置，其中作为所述固定装置旋转中心的转轴安置在所述一对固定装置不相互干扰的位置处。14.根据权利要求1-13中任何一个的装置，还包含用来使构件绕垂直于主表面的转轴旋转的旋转装置。15.根据权利要求14的装置，其中所述旋转装置包含在所述分离装置分离构件时用来使构件旋转的装置。16.根据权利要求14或15的装置，其中所述分离装置用液体流来分离构件，且所述旋转装置包含用来使被所述分离装置分离的至少一个构件旋转，以便清除粘附在构件上的液体的装置。17.根据权利要求9-13中任何一个的装置，还包含用来使所述一对固定装置的至少一个绕垂直于固定表面的转轴旋转的旋转装置。18.根据权利要求17的装置，其中所述旋转装置在所述分离装置分离构件时，使所述固定装置旋转。19.根据权利要求17或18的装置，其中所述分离装置用液体流来分离构件，并在构件被所述分离装置分离之后，所述旋转装置使所述固定装置旋转，以便清除粘附在被所述固定装置固定的构件上的液体。20.根据权利要求1-19中任何一个的装置，还包含用来覆盖所述装置的工作室。21.根据权利要求20的装置，其中所述工作室具有能够开/关的闸门。22.根据权利要求21的装置，还包含用来将待要加工的构件传送到所述控制装置并从所述控制装置接收被分离的构件的传送装置，所述传送装置被安置在所述工作室外面，并在闸门打开的情况下将构件传送到所述控制装置或从所述控制装置接收构件。23.根据权利要求21或22的装置，其中所述闸门至少在构件被所述分离装置分离时关闭。24.根据权利要求22或23的装置，还包含用来使待要加工的构件相对于所述控制装置定位的定位装置。25.根据权利要求1-24中任何一个的装置，其中待要分离的构件具有作为分离层的易碎层，且易碎层基本上平行于构件的主表面。26.一种用来加工构件的加工装置，它包含用来改变构件主表面方向的控制装置；用来使构件绕垂直于主表面的转轴旋转的旋转装置；以及用来在所述旋转装置旋转构件的情况下对构件进行加工的加工装置，其中所述控制装置接收其主表面方向与第一方向一致的构件，使主表面方向与第二方向一致，并将构件移动到所述加工装置能够对其进行加工的位置，并使已经被所述加工装置加工过的构件的主表面方向与第一方向一致。27.根据权利要求26的装置，其中第一方向和第二方向彼此基本上垂直。28.根据权利要求26或27的装置，其中第一方向是构件主表面基本上处于水平的方向。29.根据权利要求26-28中任何一个的装置，其中所述加工装置用液体来加工构件，并在构件被所述加工装置加工之后，所述旋转装置使构件旋转以清除粘附在构件上的液体。30.一种用来加工构件的加工装置，它包含用来固定构件的固定装置；用来改变所述固定装置的固定表面的方向的控制装置；用来对所述固定装置所固定的构件进行加工的加工装置；以及用来在所述加工装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂口清文，米原隆夫，近江和明，柳田一隆，都川岁一，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]