一种胶液涂敷方法、控制设备及计算机可读存储介质技术

本发明专利技术公开了一种胶液涂敷方法、控制设备及计算机可读存储介质，该胶液涂敷方法包括以下几个步骤：按照设定的螺旋线涂胶轨迹自中心至边缘对所述基材进行涂胶；控制所述基材以第一预设速度旋转，从而对所述基材表面的胶液进行匀胶，以得到设定厚度的胶层。胶管以螺旋移动的方式，在静态或低速动态旋转的基材表面涂胶，此螺旋移动方式涂胶可使黏度较大的胶液快速均匀地布满基材表面，相比现有技术，覆盖会更充分，且利于后续匀胶处理，保证胶液各处的厚度更均匀，解决了现有技术中成品的胶层边缘偏厚、局部涂覆空缺的技术问题。偏厚、局部涂覆空缺的技术问题。偏厚、局部涂覆空缺的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种胶液涂敷方法、控制设备及计算机可读存储介质


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种胶液涂敷方法、控制设备以及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]随着MEMS的应用发展，在高深宽比、愈发复杂的新型结构设计和加工过程中，光阻抗蚀剂即厚胶愈发得到广泛应用。例如SU8系列光阻抗蚀剂厚度可达0.5微米到上百个微米，且具有高深宽比，光刻后可以达到非常好的陡直度，具有可导电性、粘合性较好，图层应力降低等优点。
[0003]将现有技术中的敷涂方法应用于光阻抗蚀剂等一些自身黏度很大的胶液时，会存在成品厚度不均匀、基材边缘偏厚、局部涂覆空缺等技术问题。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题，本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种胶液涂敷方法、控制设备以及计算机可读存储介质，可以保证成品的光阻抗蚀剂厚度均匀，避免基材边缘偏厚、局部涂覆空缺等技术问题。
[0005]实现本专利技术目的的技术方案为，一种胶液涂敷方法，包括：
[0006]按照设定的螺旋线涂胶轨迹自中心至边缘对所述基材进行涂胶；
[0007]控制所述基材以第一预设速度旋转，从而对所述基材表面的胶液进行匀胶，以得到设定厚度的胶层。
[0008]进一步地，所述按照设定的螺旋线涂胶轨迹自中心至边缘对基材进行涂胶，具体包括：
[0009]控制所述基材以小于所述第一预设速度的第二预设速度旋转，以使所述胶液相对于所述基材的流动速度不超过300mm/s，同时按照设定的螺旋线涂胶轨迹自中心至边缘对所述基材涂胶。
[0010]进一步地，所述按照设定的螺旋线涂胶轨迹自中心至边缘对所述基材进行涂胶，具体还包括：控制所述胶液的流量和/或涂胶时间，以使所述胶液至少覆盖所述基材表面的70％。
[0011]进一步地，所述螺旋线涂胶轨迹的起点为所述基材的中心；所述涂胶时间小于或等于所述基材第二预设速度旋转的时间。
[0012]进一步地，所述控制所述基材以第一预设速度旋转的同时，所述胶液涂敷方法还包括：
[0013]在所述基材的上方向所述基材的外周空间喷射溶剂，所述溶剂的喷射线与所述基材的边缘之间的距离为d，d≤10mm。
[0014]进一步地，所述在所述基材的上方向所述基材的外周空间喷射溶剂，具体包括：
[0015]在所述基材的外周空间多点同时喷射溶剂；所述溶剂的喷射线平行于所述基材的
边缘，且0≤d≤8mm。
[0016]进一步地，所述基材以第一预设速度旋转的时间为T，其中，n为所述溶剂的喷射总次数，t
i
为第i次喷射所述溶剂的持续时间。
[0017]进一步地，所述第一预设速度为50rpm～6000rpm；所述基材以第一预设速度旋转的时间T为5s～600s。
[0018]基于同样的专利技术构思，本专利技术还提供了一种控制设备，包括存储器和与所述存储器连接的处理器，所述存储器上存储有程序代码，所述处理器用于从所述存储器中读取所述程序代码，以执行上述的胶液涂敷方法。
[0019]基于同样的专利技术构思，本专利技术还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有程序代码，所述程序代码在被处理器执行时，可以实现上述的胶液涂敷方法。
[0020]由上述技术方案可知，本专利技术提供的一种胶液涂敷方法，包括以下几个步骤：
[0021]按照设定的螺旋线涂胶轨迹自中心至边缘对基材进行涂胶；相比于现有技术中在基材中心涂胶或从基材中心沿半径方向至边缘移动涂胶，本专利技术中通过螺旋式的涂胶方式，使得光阻抗蚀剂更加均匀地分布在基材上，多层光阻抗蚀剂沿光阻抗蚀剂的流动扩散方向间隔，使得靠近基材中心先涂胶的部分光阻抗蚀剂流动扩散后更均匀地覆盖基层表面。
[0022]控制基材以第一预设速度旋转，从而对基材表面的胶液进行匀胶，以得到设定厚度的胶层；由于各层光阻抗蚀剂以螺旋状的形式间隔分布，更有利于匀胶处理时相邻光阻抗蚀剂的流动和融合，保证光阻抗蚀剂的各处的厚度更均匀。
[0023]本专利技术的胶液涂敷方法采用螺旋移动的涂胶方式，由于内圈的螺旋线涂胶轨迹长度相比外圈的螺旋线涂胶轨迹长度更短，所以在胶管运行速度一定的情况下，内圈的涂胶所需时间小于外圈涂胶的所需时间，在进行外圈涂胶时，已经敷涂在基材上的光阻抗蚀剂有更充分的时间小范围内流动扩散，可使光阻抗蚀剂更快速均匀地覆盖基材表面，相比现有技术，覆盖会更充分，且利于后续匀胶处理，保证光阻抗蚀剂各处的厚度更均匀，解决了现有技术中成品的光阻抗蚀剂边缘偏厚、局部涂覆空缺的技术问题。
附图说明
[0024]图1为本专利技术实施例1提供的胶液涂敷方法的流程图；
[0025]图2为本专利技术实施例1提供的胶液涂敷方法中的涂胶的示意图；
[0026]图3为本专利技术实施例1提供的胶液涂敷方法中的多点喷射溶剂的示意图。
[0027]附图标记：1
‑
基材，11
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基材边缘；2
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螺旋线涂胶轨迹；3
‑
喷射线。
具体实施方式
[0028]为了使本申请所属
中的技术人员更清楚地理解本申请，下面结合附图，通过具体实施例对本申请技术方案作详细描述。
[0029]为了解决现有技术中因光阻抗蚀剂自身黏度大导致的敷涂厚度不均匀、基材边缘偏厚、局部涂覆空缺等技术问题，本专利技术提供了一种胶液涂敷方法、控制设备及计算机可读
存储介质，比现有技术，覆盖会更充分，且利于后续匀胶处理，保证光阻抗蚀剂各处的厚度更均匀。下面以光阻抗蚀剂的敷涂为例，通过三个具体实施例对本
技术实现思路
进行详细介绍：
[0030]实施例1
[0031]如图1
‑
图3所示，本专利技术提供的一种胶液涂敷方法，包括以下几个步骤：
[0032]按照设定的螺旋线涂胶轨迹2自中心至边缘对基材1进行涂胶；相比于现有技术中在基材1中心涂胶或从基材1中心沿半径方向至边缘移动涂胶，本专利技术中通过螺旋式的涂胶方式，使得光阻抗蚀剂更加均匀地分布在基材1上，多层光阻抗蚀剂沿光阻抗蚀剂的流动扩散方向间隔，使得靠近基材1中心先涂胶的部分光阻抗蚀剂流动扩散后更均匀地覆盖基层表面。
[0033]控制基材1以第一预设速度旋转，从而对基材1表面的胶液进行匀胶，以得到设定厚度的胶层；由于各层光阻抗蚀剂以螺旋状的形式间隔分布，更有利于匀胶处理时相邻光阻抗蚀剂的流动和融合，保证光阻抗蚀剂的各处的厚度更均匀。
[0034]本实施例对涂胶过程中，胶管的螺旋移动速度及尺寸大小不做具体限定，需根据实际采用的光阻抗蚀剂的黏度、基材1尺寸大小进行最佳匹配确定。但由于本实施例中胶液涂敷方法采用螺旋移动的涂胶方式，由于内圈的螺旋线涂胶轨迹2长度相比外圈的螺旋线涂胶轨迹2长度，所以在胶管运行速度一定的情况下，内圈的涂胶所需时间小于外圈涂胶的所需时间，在进行外圈涂胶时，已经敷涂在基材1上的光阻抗蚀剂有更充分的时间小范围内流动扩散，可使光阻抗蚀剂更快速均匀地覆盖基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种胶液涂敷方法，其特征在于，包括：按照设定的螺旋线涂胶轨迹自中心至边缘对基材进行涂胶；控制所述基材以第一预设速度旋转，从而对所述基材表面的胶液进行匀胶，以得到设定厚度的胶层。2.如权利要求1所述的胶液涂敷方法，其特征在于，所述按照设定的螺旋线涂胶轨迹自中心至边缘对基材进行涂胶，具体包括：控制所述基材以小于所述第一预设速度的第二预设速度旋转，以使所述胶液相对于所述基材的流动速度不超过300mm/s，同时按照设定的螺旋线涂胶轨迹自中心至边缘对所述基材涂胶。3.如权利要求2所述的胶液涂敷方法，其特征在于，所述按照设定的螺旋线涂胶轨迹自中心至边缘对所述基材进行涂胶，具体还包括：控制所述胶液的流量和/或涂胶时间，以使所述胶液至少覆盖所述基材表面的70％。4.如权利要求中2或3所述的胶液涂敷方法，其特征在于，所述螺旋线涂胶轨迹的起点为所述基材的中心；所述涂胶时间小于或等于所述基材以第二预设速度旋转的时间。5.如权利要求1所述的胶液涂敷方法，其特征在于，所述控制所述基材以第一预设速度旋转的同时，所述胶液涂敷方法还包括：在所述基材的上方向所述基材的外周空间喷射溶剂，所述溶剂的喷射线与所述基材的边缘之间的距...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵利芳，杨云春，郭鹏飞，陆原，
申请(专利权)人：赛莱克斯微系统科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：