一种触控结构、触控显示装置和制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种触控结构、触控显示装置和制作方法，以改善现有技术中的触控结构在扇出区会存在色差的问题。所述触控结构，包括：多个触控电极，与所述触控电极电连接的触控引线，所述触控引线在扇出区与绑定端子电连接；至少部分所述触控引线在所述扇出区包括沿第一方向延伸的第一延伸部，以及沿第二方向延伸、连接所述第一延伸部与所述绑定端子的第二延伸部；在由所述触控电极所在区域指向所述绑定端子的方向上，各所述第一延伸部在靠近所述绑定端子一侧的延伸长度逐渐减小，各所述第一延伸部在延伸长度减小的区域形成走线缺失区，所述走线缺失区在至少部分相邻两个所述第二延伸部之间的间隙设置有浮置电极块。延伸部之间的间隙设置有浮置电极块。延伸部之间的间隙设置有浮置电极块。

【技术实现步骤摘要】
一种触控结构、触控显示装置和制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种触控结构、触控显示装置和制作方法。

技术介绍

[0002]平面显示器(F1at Pane1 Disp1ay，FPD)己成为市场上的主流产品，平面显示器的种类也越来越多，如液晶显示器(Liquid Crysta1 Disp1ay，LCD)、有机发光二极管(Organic Light Emitted Diode，OLED)显示器、等离子体显示面板(P1asma Disp1ay Pane1，PDP)及场发射显示器(Field Emission Display，FED)等。
[0003]但现有技术的触控线面板，在触控结构的扇出区(Fanout区)，有线路区和无线路区域会形成色差，影响产品品质。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种触控结构、触控显示装置和制作方法，以改善现有技术中的触控结构在扇出区会存在色差的问题。
[0005]本专利技术实施例提供一种触控结构，包括：多个触控电极，与所述触控电极电连接的触控引线，所述触控引线在扇出区与绑定端子电连接；
[0006]至少部分所述触控引线在所述扇出区包括沿第一方向延伸的第一延伸部，以及沿第二方向延伸、连接所述第一延伸部与所述绑定端子的第二延伸部；在由所述触控电极所在区域指向所述绑定端子的方向上，各所述第一延伸部在靠近所述绑定端子一侧的延伸长度逐渐减小，各所述第一延伸部在延伸长度减小的区域形成走线缺失区，所述走线缺失区在至少部分相邻两个所述第二延伸部之间的间隙设置有浮置电极块。
[0007]在一种可能的实施方式中，所述走线缺失区内，所述走线缺失区内，所述浮置电极块的面积与相邻的所述第二延伸部的延伸长度正相关。
[0008]在一种可能的实施方式中，所述浮置电极块包括多个相互分割的子浮置电极块。
[0009]在一种可能的实施方式中，所述子浮置电极块包括金属走线构成的第一网格，所述第一网格的边断开。
[0010]在一种可能的实施方式中，所述触控电极包括金属走线构成的第二网格，所述第一网格的密度与所述第二网格的密度相同。
[0011]在一种可能的实施方式中，所述触控结构包括第一触控结构层，以及第二触控结构层；
[0012]所述触控电极包括第一触控电极，以及第二触控电极，所述触控引线包括与所述第一触控电极电连接的第一触控引线，以及与所述第二触控电极电连接的第二触控引线；所述浮置电极块包括位于所述第一触控引线相邻两个所述第二延伸部之间的第一浮置电极块，以及位于所述第二触控引线相邻两个所述第二延伸部之间的第二浮置电极块；
[0013]所述第一触控电极、所述第一触控引线、所述第一浮置电极块位于所述第一触控结构层，所述第二触控电极，所述第二触控引线、所述第二浮置电极块位于所述第二触控结
构层。
[0014]在一种可能的实施方式中，所述第一触控结构层还包括第一走线屏蔽部，所述第二浮置电极块在所述第一走线屏蔽部的正投影落于所述第一走线屏蔽部内；
[0015]所述第二触控结构层还包括第二走线屏蔽部，所述第一浮置电极块在所述第二走线屏蔽部的正投影落于所述第二走线屏蔽部内。
[0016]在一种可能的实施方式中，所述第一浮置电极与所述第一触控结构层内的第一功能信号线的最小间距范围为20μm～30μm；其中，所述第一功能信号线包括第一触控电极，所述第一触控引线，和/或所述第一走线屏蔽部；
[0017]所述第二浮置电极与所述第二触控结构层内的第二功能信号线的最小间距范围为20μm～30μm；其中，所述第二功能信号线包括第二触控电极，所述第二触控引线，和/或所述第二走线屏蔽部。
[0018]在一种可能的实施方式中，所述第一触控结构层包括具有第一凹槽的第一绝缘层，所述第二触控结构层具有第二凹槽的第二绝缘层；
[0019]所述第一触控电极位于所述第一凹槽，所述第二触控电极位于所述第二凹槽。
[0020]在一种可能的实施方式中，所述触控结构还包括位于所述第一凹槽内覆盖所述第一触控电极的第一遮光图案，以及位于所述第二凹槽内覆盖所述第二触控电极的第二遮光图案。
[0021]在一种可能的实施方式中，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间还具有间隔层。
[0022]在一种可能的实施方式中，所述第一绝缘层的最大厚度范围为16μm～20μm；所述第二绝缘层的最大厚度范围为16μm～20μm。
[0023]在一种可能的实施方式中，所述触控结构还包括位于所述第一触控结构层远离所述第二触控结构层一侧的显示结构层；所述第一触控结构层与所述显示结构层之间通过光学胶层贴合。
[0024]本专利技术实施例还提供一种触控显示装置，包括如本专利技术实施例提供的所述触控结构。
[0025]本专利技术实施例还提供一种如本专利技术实施例提供的所述触控结构的制作方法，包括：
[0026]形成触控结构层，其中，所述触控结构层包括：个触控电极，与所述触控电极电连接的触控引线，其中，至少部分所述触控引线在所述扇出区包括沿第一方向延伸的第一延伸部，以及沿第二方向延伸、连接所述第一延伸部与所述绑定端子的第二延伸部；在由所述触控电极所在区域指向所述绑定端子的方向上，各所述第一延伸部在靠近所述绑定端子一侧的延伸长度逐渐减小，各所述第一延伸部在延伸长度减小的区域形成走线缺失区，所述走线缺失区在至少部分相邻两个所述第二延伸部之间的间隙设置有浮置电极块；
[0027]形成显示结构层；
[0028]将所述触控结构层与所述显示结构层贴合。
[0029]在一种可能的实施方式中，所述形成触控结构层，包括：
[0030]提供第一基材和第二基材；
[0031]在所述第一基材的表面涂第一绝缘层，并通过卷压或平面压印方式在所述第一绝
缘层上压出第一凹槽，并在所述第一凹槽内依次填充第一触控电极和所述第一遮光图案；以及在所述第二基材的表面涂第二绝缘层，并通过卷压或平面压印方式在所述第二绝缘层上压出第二凹槽，并在所述第二凹槽内依次填充第二触控电极和所述第二遮光图案；
[0032]去除所述第一基材，并在所述第二遮光图案背离所述第二触控电极的一侧形成间隔层，并将所述第一绝缘层与所述间隔层进行贴合；
[0033]去除所述第二基材。
[0034]本专利技术实施例有益效果如下：本专利技术实施例中，对于触控引线在扇出区形成的走线缺失区，在至少部分相邻两个第二延伸部之间的间隙设置有浮置电极块，进而可以改善走线缺失区与走线密集区，因走线密集程度不同造成的色差，进而提高触控结构的显示品质。
附图说明
[0035]图1为本专利技术实施例提供的触控结构的结构示意图之一；
[0036]图2为本专利技术实施例提供的触控结构的结构示意图之二；
[0037]图3为本专利技术实施例提供的触控结构的结构示意图之三；
[0038]图4为本专利技术实施例提供的浮置电极块包括多个子浮置电极块的结构示意图；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种触控结构，其特征在于，包括：多个触控电极，与所述触控电极电连接的触控引线，所述触控引线在扇出区与绑定端子电连接；至少部分所述触控引线在所述扇出区包括沿第一方向延伸的第一延伸部，以及沿第二方向延伸、连接所述第一延伸部与所述绑定端子的第二延伸部；在由所述触控电极所在区域指向所述绑定端子的方向上，各所述第一延伸部在靠近所述绑定端子一侧的延伸长度逐渐减小，各所述第一延伸部在延伸长度减小的区域形成走线缺失区，所述走线缺失区在至少部分相邻两个所述第二延伸部之间的间隙设置有浮置电极块。2.如权利要求1所述的触控结构，其特征在于，所述走线缺失区内，所述浮置电极块的面积与相邻的所述第二延伸部的延伸长度正相关。3.如权利要求2所述的触控结构，其特征在于，所述浮置电极块包括多个相互分割的子浮置电极块。4.如权利要求3所述的触控结构，其特征在于，所述子浮置电极块包括金属走线构成的第一网格，所述第一网格的边断开。5.如权利要求4所述的触控结构，其特征在于，所述触控电极包括金属走线构成的第二网格，所述第一网格的网格密度与所述第二网格的网格密度相同。6.如权利要求1所述的触控结构，其特征在于，所述触控结构包括第一触控结构层，以及第二触控结构层；所述触控电极包括第一触控电极，以及第二触控电极，所述触控引线包括与所述第一触控电极电连接的第一触控引线，以及与所述第二触控电极电连接的第二触控引线；所述浮置电极块包括位于所述第一触控引线的相邻两个所述第二延伸部之间的第一浮置电极块，以及位于所述第二触控引线的相邻两个所述第二延伸部之间的第二浮置电极块；所述第一触控电极、所述第一浮置电极块位于所述第一触控结构层，所述第二触控电极，所述第二浮置电极块位于所述第二触控结构层。7.如权利要求6所述的触控结构，其特征在于，所述第一触控结构层还包括第一走线屏蔽部，所述第二浮置电极块在所述第一走线屏蔽部的正投影落于所述第一走线屏蔽部内；所述第二触控结构层还包括第二走线屏蔽部，所述第一浮置电极块在所述第二走线屏蔽部的正投影落于所述第二走线屏蔽部内。8.如权利要求7所述的触控结构，其特征在于，所述第一浮置电极与所述第一触控结构层内的第一功能信号线的最小间距范围为20μm～30μm；其中，所述第一功能信号线包括第一触控电极，所述第一触控引线，和/或所述第一走线屏蔽部；所述第二浮置电极与所述第二触控结构层内的第二功能信号线的最小间距范围为20μm～30μm；其中，所述第二功能信号线包括第二触控电极，所述第二触控引线，和/或所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭雄，陈宏，左丞，党康鹏，王博，罗仲丽，高明，李宽，唐元生，刘国政，张然，黄力，王楠，
申请(专利权)人：重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：