【技术实现步骤摘要】
半导体晶片的应用方式十分多样化,而近年来则有模组化的趋势,有些晶片的设计需和另一晶片作密切合作来运作,其彼此之间的脚线距离若是过长过远则会影响到其运作效能,则此时会选择以两晶片堆叠(stack)的方式来封装,使其脚位间的距离能靠近;而目前传统同尺寸晶片堆叠作法乃是将一母晶片先贴在基底(Substrate)上并以金属线打线方式与基底导通,再于母晶片顶面上堆黏一子晶片,并亦以金属线打线方式连接基底,最后以合成胶整体封装。依此传统作法,由于该二晶片皆采用黏贴晶片并打线方式接合基底,其母晶片所占用的金属线脚位己占有一段不小的面积范围,再加上第二层的晶片与基底连接时所占的面积需更宽广(需避开母晶片的金属线),造成整体封装起来的面积大为膨胀。另由于二打线的晶片彼此堆叠,子晶片贴在母晶片上时,需以银胶垫高其母晶片上的金属线高度后方能贴在母晶片上,使得整体的封装厚度亦大为增加,故此传统封装方式无法用在注重其厚度大小的设备上。本专利技术的目的在于提出一种覆晶构装之晶片接合,可以在基底上以本母案的覆晶技术先贴合一母承载晶片,再以打线方式接合贴在母晶片上的子晶片使与基底电气相连,此构装方式因母承载晶片不需打线,可与子晶片作紧密贴合,且可使得子晶片的金属线所布面积得以缩小,有助缩小整体封装的体积。本专利技术的目的是这样实现的一种,其主要是在堆叠两相同尺寸的晶片于同一基底时,先将母承载晶片上的凸块与预先在相对位置处制作有金属焊料凸块的基底予以加热压合,然后在母承载晶片上方胶贴一子晶片,该子晶片采用打线方式以金属线导通子晶片与基底,并封装整组由基底、母承载晶片与子晶片所构成的模组。应用 ...
【技术保护点】
一种覆晶构装的晶片接合方法,其主要是在堆叠两相同尺寸的晶片于同一基底时,先将母承载晶片上的凸块与预先在相对位置处制作有金属焊料凸块的基底予以加热压合,然后在母承载晶片上方胶贴一子晶片,该子晶片采用打线方式以金属线导通子晶片与基底,并封装整组由基底、母承载晶片与子晶片所构成的模组。
【技术特征摘要】
1.一种覆晶构装的晶片接合方法,其主要是在堆叠两相同尺寸的晶片于同一基底时,先将母承载晶片上的凸块与预先在相对位置处制作有金属焊料凸块的基底予...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢文乐,庄永成,黄宁,陈慧萍,蒋华文,张衷铭,涂丰昌,黄富裕,张轩睿,胡嘉杰,
申请(专利权)人:华泰电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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