液态膜干燥方法及液态膜干燥装置制造方法及图纸

公开了液态膜干燥方法及干燥装置。所述干燥方法包括以下工序：使具有贯通孔２０４的整流板２００以不接触液态膜的距离靠近该被处理基板上方的工序，使整流板２００旋转从而使被处理基板１０１的上方与整流板２００的下表面之间产生气流的工序，使含有溶质的液态膜与气流接触、将液态膜中的溶剂除去，在被处理基板１０１上形成由前述溶质构成的固相膜的工序。使用该液态膜干燥方法，可获得良好的膜厚均匀性，同时对处理时间进行控制以提高生产率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在半导体、液晶器件制造技术中的用于涂膜制造方法中的液态膜干燥方法及液态膜干燥装置。
技术介绍
迄今为止，在被处理基板上形成保护膜等含有溶剂的液态膜之后，在该液态膜的干燥工艺中，一直采用简单的在热板上对被处理基板加热的烘烤法，以及在连接到真空泵的腔室内进行减压处理的减压干燥法。但是，在烘烤法中，由于溶剂的挥发对温度非常敏感，所以产生膜厚的起伏，存在着所形成的膜厚的均匀性不好的问题。此外，在使用真空泵的减压干燥法中，在接近溶剂的饱和蒸汽压时，要花费很长时间除去溶剂，造成生产率下降的问题。此外，这种生产率受溶剂的物理性质和滴下量的影响，不能控制处理时间。
技术实现思路
如上所述，在使用热板采用烘烤法干燥液态膜的工艺中，存在着膜厚不均匀的问题。此外，在减压干燥法中，存在着不能对处理时间进行控制造成生产率下降的问题。本专利技术的目的是提供一种在液态膜干燥工艺中，在获得良好的膜厚的均匀性的同时还能够对处理时间进行控制从而提高生产率的液态膜干燥方法及液态膜干燥装置。为达到上述目的，本专利技术采用以下的结构。(1)本专利技术(权利要求1)的特征为，在除去形成于被处理基板上的含有溶质的液态膜中的溶剂的液态膜干燥方法中，包括以下工序使具有一个以上的贯通孔的整流板以不与前述液态膜接触的距离靠近该被处理基板的上方的工序，使前述整流板旋转、在该被处理基板的上方与该整流板下表面之间产生气流的工序，使液态膜与前述气流接触除去前述液态膜中的溶剂、由前述溶质在前述被处理基板上形成固相膜的工序。本专利技术优选形式如下所述。(a)向前述被处理基板与前述整流板下表面之间导入气流，利用使前述整流板的旋转、在前述被处理基板与前述整流板下表面之间产生的压力差进行。(b)使前述被处理基板与前述整流板下表面之间产生的气流的方向随时间变化。使前述被处理基板与前述整流板下表面之间的压力与前述整流板上表面的压力之差变化，使前述被处理基板与前述整流板下表面之间产生的气流的方向随时间变化。(c)使前述整流板的中心轴与前述被处理基板的中心不同。使前述的不同的量随时间改变。使前述被处理基板向与前述整流板的旋转方向相反的方向旋转。(2)本专利技术(权利要求8)的特征为，在除去形成于被处理基板上的含有溶质的液态膜中的溶剂的液态膜干燥方法中，包括以下工序使整流板以不接触前述液态膜的距离靠近该被处理基板的正上方的工序，将前述整流板与前述被处理基板之间及周围维持在减压状态的工序，使前述整流板旋转、在前述被处理基板上方与该整流板下表面之间产生气流的工序，使前述液态膜接触前述气流、除去液态膜中的溶剂、在前述被处理基板上由前述溶质形成固相膜的工序。(3)根据本专利技术(权利要求9)的液态膜的干燥装置，其特征为，它具有以下部分与表面上形成含有溶剂的液态膜的被处理基板对向配置的、具有一个以上的贯通孔的整流板，使该整流板旋转的旋转驱动部，与前述被处理基板的反向侧的前述整流板的贯通孔的开口部侧对向配置的气流控制板，使前述整流板与前述被处理基板的距离以及前述整流板与前述气流控制板的距离相对变化的上下方向驱动部。(4)本专利技术(权利要求10)的特征为，它具备有与表面上形成含有溶剂的液态膜的被处理基板对向配置的，具有一个以上贯通孔的整流板，使该整流板旋转的旋转驱动部，以及向前述贯通孔供应气流的外部气流发生器。以上两个专利技术的优选形式如下所述。(a)进一步具有将前述被处理基板和整流板容纳在内部的减压腔室以及连接到前述减压腔室上的、对该减压腔室内部进行排气的真空泵。(b)在前述整流板上具有多个贯通孔，其配置方式为在旋转时各贯通孔随时间以几乎相同的比例通过被处理基板上的任意部分。本专利技术通过上述结构具有以下的作用和效果。通过在被处理基板的上方高速旋转整流板，在基板上产生均匀的气流的流动，可以迅速地制成均匀的涂膜。另外，通过适当设定整流板的转数以及被处理基板与整流板之间的距离，不受溶剂的物理性质及滴下量的左右，可进行处理时间的控制，能够提高生产率。通过把整流板旋转时所产生的整流板与基板之间的减压状态作为驱动力导入气流，可提高干燥工艺的效率。通过使气流的方向随时间变化，可以抑制沿气流的流动方向的膜厚分布的梯度，可形成更均匀的膜。通过使整流板的中心轴与被处理基板的中心轴偏置，可以防止奇异点，提高膜厚的均匀性。另外，通过使偏置量随时间变化，可进一步提高膜厚的均匀性。此外，通过使被处理基板也进行转动，可提高干燥效率。将前述整流板与前述被处理基板之间以及其周围维持在减压状态，防止前述整流板旋转时在前述被处理基板上与该整流板下表面之间产生气流的工序以及伴随着在饱和蒸汽压下溶剂的急剧挥发产生紊流，可获得均匀的涂膜的厚度分布。通过使具有一个以上的贯通孔的整流板在被处理基板上旋转，使被处理基板与整流板之间成为减压状态。从该贯通孔导入气流，可使被处理基板上的液态膜干燥。通过使前述整流板与前述被处理基板的距离以及前述整流板与前述气流控制板的距离相对地变化，可使前述整流板与前述被处理基板之间的压力和前述气流控制板与前述被处理基板之间的压力具有差值，可根据该压力差改变气流的方向。通过用外部气流发生器向设在整流板上的贯通孔供应气流，可有效地使被处理基板上的液态膜干燥。通过在旋转时各贯通孔随着时间以几乎相同的比例通过被处理基板上的任意部分的方式配置多个贯通孔，使气流均匀地接触被处理基板，可形成均匀的膜。专利技术的实施形式下面参照附图说明本专利技术的实施形式。在说明本专利技术的干燥装置及方法之前，首先用图1说明液态膜1的形成。图1用于说明本专利技术的第一种实施形式的液态膜(保护膜)的形成方法。如图1所示，在使药液排出喷嘴110于被处理基板101上沿y方向以1m/ses的速度往复运动的同时，依次沿x方向移动被处理基板，使药液以线状(一笔画状)的形式滴下，通过在直径200mm的被处理基板的整个面上滴下药液，在被处理基板101的整个面上形成含有抗蚀剂(resist)A(溶质)的液态膜102。其次，利用使具有旋转机构的整流板旋转所产生的气流对液态膜的溶剂进行干燥。图2表示液态膜干燥装置的概略结构。如图2所示，整流板200由相对于被处理基板对向配置的直径为250mm的第一圆盘201以及经过旋转驱动部203配置的直径250mm的第二圆盘202构成，在第一圆盘201、旋转驱动部203、第二圆盘202的中央部分贯通直径20mm的气流导入口204。与第二圆盘202对向、间隔开配置具有向Z方向的驱动部的与被处理基板101相同直径的气流导流控制板205。下面，说明利用这种液态膜干燥装置的干燥方法。首先，如图3所示，在形成液态膜102的被处理基板101上方以20mm的间隙配置整流板200。其次，将气流导流控制板205与整流板200的距离设定为大于被处理基板101与整流板200的距离(20mm)的30mm。在这种配置状态下，将整流板200以3000rpm旋转5秒钟。这时，当比较被处理基板与整流板之间以及整流板与气流导流控制板之间所产生的减压状态时，被处理基板与整流板之间的减压程度大。从而，以该减压差作为驱动力，从气流导入口204的第二圆盘202侧的开口部位吸气，从第一圆盘201侧的开口部位排气，在整流板200的气流导入口204内，形成向下的气流。借此，在被处理基板与第一圆盘之间，本文档来自技高网...

【技术保护点】
液态膜干燥方法，其特征为，包括以下工序： 使具有一个以上的贯通孔的整流板以不接触形成于被处理基板上的含有溶质的液态膜的距离靠近该被处理基板上方的工序， 使前述整流板旋转，使该被处理基板上方与该整流板的下表面之间产生气流的工序， 使液态膜与前述气流接触除去前述液态膜中的溶剂，在前述被处理基板上形成由前述溶质构成的固相膜的工序。

【技术特征摘要】
JP 2000-9-28 296089/20001.液态膜干燥方法，其特征为，包括以下工序使具有一个以上的贯通孔的整流板以不接触形成于被处理基板上的含有溶质的液态膜的距离靠近该被处理基板上方的工序，使前述整流板旋转，使该被处理基板上方与该整流板的下表面之间产生气流的工序，使液态膜与前述气流接触除去前述液态膜中的溶剂，在前述被处理基板上形成由前述溶质构成的固相膜的工序。2.如权利要求1所述的液态膜干燥方法，其中，利用前述整流板旋转造成的前述被处理基板与前述整流板下表面之间产生的压力差，向前述被处理基板与前述整流板下表面之间导入气流。3.如权利要求1所述的液态膜干燥方法，其特征为，使前述被处理基板上方与前述整流板的下表面之间产生的气流的方向随时间变化。4.如权利要求3所述的液态膜干燥方法，其特征为，使前述被处理基板与前述整流板下表面之间的压力和前述整流板上表面处的压力之差变化，使前述被处理基板的上方与前述整流板下表面之间产生的气流方向随时间发生变化。5.如权利要求1所述的液态膜干燥方法，其特征为，使前述整流板的中心轴与前述被处理基板的中心偏置。6.如权利要求5所述的液态膜干燥方法，其特征为，使前述的偏置量随时间变化。7.如权利要求5所述的液态膜干燥方法，其特征为，使前述被处理基板向与前述整流板的旋转方向相反的方向旋转。8.液态膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：江间达彦，伊藤信一，奥村胜弥，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]