基板处理装置制造方法及图纸

基板处理装置，可以抑制半导体晶片等的基板上附着的粒子和水印等的污染物质，此基板处理装置１０具有收容被处理基板（例如晶片Ｗ）的处理槽１１和、向处理槽１１的内部供给处理液（例如纯水）的处理液导入管２１和、收容有机溶剂液Ｓ（例如ＩＰＡ溶液）的蒸气发生槽６１和、从处理槽１１排出处理液的处理液排出槽３０和、加热蒸气发生槽６１内的有机溶剂液Ｓ的溶液加热装置６２。蒸气发生槽６１将从有机溶剂液Ｓ产生的蒸气导入到处理槽１１的内部，溶剂加热装置６２，当晶片Ｗ的表面是疏水性时，将蒸气发生槽６１内的有机溶剂液Ｓ加热到５０℃±５℃、当晶片Ｗ的表面是亲水性时，将有机溶剂液Ｓ加热到７０℃±５℃。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及例如用于处理半导体晶片、液晶显示装置用的基板、记录盘用的基板或者屏蔽用的基板或其他的基板的基板处理装置。
技术介绍
在半导体的制造工序中，为了洗净晶片的表面，通过药液或纯水等处理液处理晶片。例如，日本第103686/1994号专利技术专利公报揭示了表面干燥处理方法，其包括供给干燥蒸气，在水洗流体的上部生成干燥流体的液体层的工序和通过在晶片等的被干燥物的表面上用干燥流体直接置换此水洗流体，用液体层置换水洗流体的工序。被干燥物的表面与蒸气接触时具有与其蒸气实质相同的温度，用干燥流体置换水洗流体的速度，要选择十分慢的速度，以便用干燥流体置换水洗流体后，液滴不残留在被干燥物的表面，其结果，通过液滴的蒸发使要除去的水洗流体或干燥流体基本上没有的程度。另外，在日本第3009699号专利技术专利公报揭示了基板的表面处理方法，其是将半导体晶片等的基板浸渍在液体的浴槽中后，从液体分离此基板，且使从液体分离基板的时候，液体和基板的表面直接与有机化合物的蒸气接触。此方法，有机化合物的蒸气在基板的温度下具有不饱和蒸气压，分离时此蒸气不凝缩在基板上，其有机化合物可溶解在液体中，且溶解在液体中时，从使其表面张力降低的有机化合物组中选择；基板在横渡液体表面时，要选择对于有机化合物的蒸气压、有机化合物的液体的溶解度及从基板液体分离的速度，以便以分离时实质上液体不残存在基板的方向和大小梯度设置在分离时上述液体的表面张力上。本申请人至今也进行了很多关于半导体晶片等的处理方法的开发、提案，申请并取得了专利。例如日本专利第3017033号、美国专利第5,951,779号、日本专利技术专利申请第183469/1999号。上述日本第3017033号专利是在密闭的容器中进行从被干燥介质的洗涤处理到干燥处理的一系列处理的处理方法，最终在一个容器内可实施从最终水洗到蒸气干燥的同时，在约35℃～60℃的低温度下使有机溶剂蒸气化，通过此蒸气干燥被干燥介质的方法。另外，本申请人作为合案前的申请人，最初在日本作为日本第26423/1999号专利技术专利申请公开进行申请、然后在美国申请的美国专利第5,951,779号公开了在密闭的容器中进行从被干燥介质的洗涤处理到干燥处理的一系列处理的以下处理方法。即，包括在进行最终的水洗处理后，在收容了被干燥介质的容器内供给温纯水的工序、在上述容器内的温纯水面的上部空间供给有机溶剂的蒸气的工序、在停止供给上述有机溶剂后，将上述温纯水一边从容器的底部侧吸引排液一边从其上部侧连续供给惰性气体的工序、在上述温纯水吸引排液结束后，通过继续上述吸引将容器内减压，干燥被干燥介质的工序。在至少将温纯水从容器的底部侧吸引排液的工序中，在上述温纯水吸引排液结束时，边管理控制边进行被干燥介质的干燥处理以保持容器内的减压度保持在预先设定减压的方法，特别是将热纯水的温度设定在30℃～65℃的范围、将设定减压度设定在-350～-150mmHg的范围的。另外，日本第183469/1999号专利技术专利申请公开了表面干燥处理方法，其是具有在内部收容晶片等的被干燥物的干燥槽、在此干燥槽内供给处理液的处理液供给机构、在此干燥槽内供给加热有机溶剂的有机溶剂供给机构和供给含有有机溶剂的蒸气的蒸气供给机构。通过将有机溶剂加热到60℃～80℃，向液面供给此加热有机溶剂，在处理液的液面上形成含有有机溶剂的膜。其中，特别是在日本第3017033号专利技术专利、第183469/1999号专利技术专利申请公开的干燥处理方法是通过药液洗涤晶片等表面后，用纯水等的处理液进行漂洗，进而使用异丙醇等有机溶剂使晶片干燥的处理。在以下的说明中，往往将异丙醇简称为IPA。例如，通过用纯水洗涤晶片后，将晶片暴露于IPA的蒸气，在晶片的表面上凝缩IPA。通过此IPA的凝缩，附着在晶片上的纯水与IPA置换，纯水从晶片表面流落，随之粒子等的污染物质被洗下。然后，通过IPA蒸发，干燥晶片的表面。若在此干燥过程中基板的表面稍微残留水滴，在基板的表面形成被称为水印的氧化膜。由于水印与粒子同样成为使基板品质恶化的原因，所以希望极力避免这些污染物质附着在基板上。在通过药液处理基板(例如晶片)时，基板的表面状态根据处理的种类而不同。例如，通过氟酸系药液处理的半导体晶片的表面成为疏水性，而除此以外的处理，一般基板的表面成为亲水性。对于以往的基板处理装置，基板表面与疏水性、亲水性无关，在相同的条件下发生蒸气。可是，通过本专利技术者们的研究，在基板表面是疏水性和亲水性时，表明残留在干燥后的基板的污染物质的量不同。本专利技术者们发现污染物质的附着量与有机溶剂蒸气的发生量有关。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供可将附着在基板表面的污染物质变得更少的基板处理装置。为了完成上述目的，本专利技术的基板处理装置是具有收容应该处理基板的处理槽、在上述处理槽的内部供给处理液的处理液供给机构、收容有机溶剂液并将从该有机溶剂液发生的蒸气导入到上述处理槽的内部的蒸气发生槽、从上述处理槽排出上述处理液的处理液排出机构和为了加热上述蒸气发生槽内的有机溶剂液的溶剂加热装置，当收容在上述处理槽内的上述基板的表面是疏水性时，将上述有机溶剂液加热到第1温度，而在上述基板的表面是亲水性时，将上述有机溶剂液加热到比第1温度高的第2温度的溶剂加热装置。在本专利技术中，在基板的表面是疏水性时，将蒸气发生槽内的有机溶剂液加热到第1温度。在基板的表面是亲水性时，将蒸气发生槽内的有机溶剂液加热到温度比较高的第2温度。在此蒸气发生槽内供给惰性气体，使有机溶剂液的蒸气发生后导入到处理槽中。加热到第2温度的有机溶剂液，比加热到第1温度的有机溶剂液发生大量的蒸气。通过此蒸气凝缩在基板的表面上，附着在基板上的处理液(例如纯水)与有机溶剂置换，处理液从基板表面流走的同时，粒子等的污染物质被洗下。然后通过有机溶剂蒸发，干燥基板的表面。上述处理液的一个例子是纯水、有机溶剂的一个例子是异丙醇。此时，将上述第1温度作成50℃±5℃、将第2温度作成70℃±5℃。本专利技术的基板处理装置也可具有收容加热到上述第1温度的有机溶剂液的第1溶剂加热槽、收容加热到上述第2温度的有机溶剂液的第2溶剂加热槽、将这些有机溶剂液加热槽和上述蒸气发生槽连接的配管系统、设置在上述配管系统上的、当收容在上述处理槽的基板的表面是疏水性时，将上述第1溶剂加热槽连通在上述蒸气发生槽上，当收容在上述处理槽的基板的表面是亲水性时，将上述第2溶剂加热槽连通在上述蒸气发生槽上的切换机构。进而，本专利技术的基板处理装置也可具有在基板的表面是疏水性时，在蒸气发生槽内的有机溶剂液供给第1量的鼓泡用惰性气体，在基板的表面是亲水性时，供给比上述第1量多的第2量的鼓泡用惰性气体的惰性气体供给结构。按照本专利技术，通过根据基板的表面状态控制有机溶剂蒸气发生量，可控制在基板表面上附着粒子或水印等污染物质，得到高品质的基板。另外，在使用IPA干燥用纯水洗涤的基板时，根据基板的表面状态，可抑制附着粒子或水印等污染物质，得到高品质的基板。进而，在基板的表面是疏水性时，通过将蒸气发生槽内的IPA液保持在50℃±5℃、在基板的表面是亲水性时，保持在70℃±5℃，使得基板表面在任意状态，也可抑制附着粒子或水印等污染物质。另外，可将根据基板的表面状态的温度的有机溶剂迅速地本文档来自技高网...

【技术保护点】
基板处理装置，其特征是具有收容被处理基板的处理槽和、向上述处理槽的内部供给处理液的处理液供给机构和、收容有机溶剂液并将从该有机溶剂液发生的蒸气导入到上述处理槽的内部的蒸气发生槽和、从上述处理槽排出上述处理液的处理液排出机构和、为了加热上述蒸气发生槽内的有机溶剂液的溶剂加热装置，当收容在上述处理槽内的上述基板的表面是疏水性时，将上述有机溶剂液加热到第１温度，而在上述基板的表面是亲水性时，将上述有机溶剂液加热到比第１温度高的第２温度的溶剂加热装置。

【技术特征摘要】
JP 2000-12-12 377785/001.基板处理装置，其特征是具有收容被处理基板的处理槽和、向上述处理槽的内部供给处理液的处理液供给机构和、收容有机溶剂液并将从该有机溶剂液发生的蒸气导入到上述处理槽的内部的蒸气发生槽和、从上述处理槽排出上述处理液的处理液排出机构和、为了加热上述蒸气发生槽内的有机溶剂液的溶剂加热装置，当收容在上述处理槽内的上述基板的表面是疏水性时，将上述有机溶剂液加热到第1温度，而在上述基板的表面是亲水性时，将上述有机溶剂液加热到比第1温度高的第2温度的溶剂加热装置。2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征是上述处理液是纯水，上述有机溶剂是异丙醇。3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征是上述第1温度是50℃±5℃、上述第2温度是70℃±5℃。4.如权利要求1～3任何一项所述的基板处理装置，其特征是具有收容加热到上述第1温度的有机溶剂液的第1溶剂加热槽和、收容加热到上述第2温度的有机溶剂液的第2溶剂加热槽和、将这些有机溶剂液加热槽和上述蒸气发生槽连接的配管系统和、设置在上述配管系统上的、当收容在上述处理槽的基板的表面是疏水性时，将上述第1溶剂加热槽连通在上述蒸气发生槽上，当收容在上述处理槽的基板的表面是亲水性时，将上述第2溶剂加热槽连通在上述蒸气发生槽上的切换机构。5.基板处理装置，其特征是具有收容被处理基板的处理槽和、向上述处理槽的内部供给处理液的处理液供给机构和、收容有机溶剂液并将从该有机溶剂液发生的蒸气导入到上述处理槽的内部的蒸气发生槽和、从上述处理槽排出上述处理液的处理液排出机构和、当...

【专利技术属性】
技术研发人员：小笠原和久，中务胜吉，庄盛博文，乙训贤二，渡边和俊，高桥博树，
申请(专利权)人：SES株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]