一种基于Ⅲ族氮化物异质结构极化效应的高响应光电探测器制造技术

基于Ⅲ族氮化物异质结构极化效应的高响应光导型探测器，在硅衬底或兰宝石衬底材料上生长下述应变异质结构的材料：以ＡｌＮ为缓冲层并外延生长ＧａＮ，然后在ＧａＮ层上生长Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ／ＧａＮ／Ａｌ↓［ｙ］Ｇａ↓［１－ｙ］Ｎ应变异质结构，ｘ、ｙ值取０．１５－０．３５，Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ、ＧａＮ、Ａｌ↓［ｙ］Ｇａ↓［１－ｙ］Ｎ的厚度分别为１５－３０ｎｍ、５０－８０ｎｍ、１５－３０ｎｍ。并在最上层Ａｌ↓［ｙ］Ｇａ↓［１－ｙ］Ｎ材料上设有导电电极。利用这种应变异质结构所特有的自发、压电极化效应所产生的高极化电场来有效分离光生电子－空穴对，以降低其直接复合损失，从而提高光生载流子寿命；通过一定条件的合金化使金属电极通过表层伸入到内部的ＧａＮ层，减少了载流子的表面复合损失，提高了收集效率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体光电探测器，尤其是基于III族氮化物异质结构极化效应的高响应光导型探测器及其制备方法。本专利技术的目的是这样实现的基于III族氮化物异质结构极化效应的高响应光导型探测器，其特征是在硅衬底或兰宝石衬底材料上生长下述应变异质结构的材料AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN，x、y值取0.15-0.35，并在最上层AlyGa1-yN材料上设有导电电极。AlxGa1-xN、GaN、AlyGa1-yN的厚度分别分别为15-30nm、50-80nm、15-30nm。在上述条件下在异质结构中均可以获得一定强度的方向指向衬底的极化电场(polarization electric-field)。以硅或兰宝石为衬底，以AlN为缓冲层并外延生长GaN，然后在GaN层上生长AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN异质结构材料，并作为光吸收区制备垂直入射的光导型探测器。利用这种应变异质结构所特有的自发、压电极化效应所产生的高极化电场来有效分离光生电子-空穴对，以降低其直接复合损失，从而提高光生载流子寿命；光生电子和空穴分别落入AlGaN/GaN和GaN/AlGaN界面的势阱中，在外加电场作用下流向伸入到内部GaN的金属电极处，也减少了载流子的表面复合。以上因素使得光生载流子在器件内部的损失大大减少，从而提高了探测器的探测灵敏度——响应度。在硅或兰宝石衬底上生长AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN材料一般是采用MOCVD方法，这里以快速光加热、低压化学气相淀积(RTP/LP-MOCVD)方法为例，以(111)晶向的(斜切约3度)的高阻n型单晶硅片或c-面(0001)兰宝石为衬底，经常规清洗后，放入反应室内，经预处理、缓冲层生长、外延层生长三个阶段完成材料生长。生长气源为三甲基镓(TMG)、三甲基铝(TMA)、氨气(NH3)，载气为氢气(H2)。缓冲层和外延层的生长气源流量、温度、生长时间(决定材料结构的组分、厚度)均以常规方法控制。本专利技术提出的新的光导型光电探测器结构的特点是本专利技术是基于III族氮化物极化效应实现高响应度的，用AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN应变异质结构比用GaN单层结构作为吸收区制备的探测器其响应度将大幅提高，如硅衬底的此探测器在365nm波长、5.5V偏压下的响应度为24A/W，与现有的硅基氮化物探测器相比，为目前国际报道的最高值。而同样条件下制备的硅衬底GaN单层结构的探测器响应度仅为7A/W。本专利技术其原理是从压电极化能带工程出发，设计一特定的AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN应变异质结构，借助AlxGa1-xN/GaN和GaN/AlyGa1-yN两个异质结产生的极化电场，强烈调节GaN两个界面的能带，使GaN区中产生的光生电子-空穴对实现有效的空间分离，大大减小其直接复合，光生电子和空穴分别迅速移向AlyGa1-yN/GaN和GaN/AlxGa1-xN界面，为两个歐姆电极所收集。同时，将器件的两个电极伸入到内部的GaN层，也减少了载流子的表面复合，提高了收集效率。因此，本器件具有很高的光电响应度。这一原理的能带图参见图4。该探测器响应谱中低于360nm的短波长响应度降低是由于表层AlyGa1-yN层体复合和表面复合造成的。以硅或兰宝石为衬底，以氮化铝(AlN)为缓冲层(厚度为100-300nm)，在缓冲层即图中AlN上生长氮化镓(GaN)外延层(厚度为400-600nm)，再在外延层GaN 1上生长AlxG1-xN/GaN/AlyGa1-yN异质结构作为光吸收区。x、y值取范围仍同上，即0.15-0.35。利用控制MO源流量的方法来控制x、y值。异质结构中层GaN 2。生长工艺一般采取常规方法气源为高纯三甲基镓(TMG)、高纯三甲基铝(TMA)、高纯氨气(NH3)，载气为高纯氢气(H2)。缓冲层AlN生长及退火；TMA流量12-14μmol/min，NH3流量1700-1900ml/min，H2流量700-900ml/min温度1030-1090℃时间约20min压力约20Torr退火H2流量700-900ml/min，NH3流量1700-1900ml/min；1050-1070℃；3-7min外延层GaN生长TMG流量15-20μmol/min，NH3流量1700-1900ml/min，H2流量700-900ml/min温度940-1060℃时间约50min压力约76Torr生长速率约为0.6-0.8μm/h外延层AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN异质结构生长及退火TMA/TMG流量7-10/14-11μmol/min，H2流量800ml/min；980-1100℃；1.5-3minTMG流量15-20μmol/min，H2流量800ml/min；970-1130℃；5-8minTMA/TMG流量7-10/13-11μmol/min；H2流量800ml/min；980-1100℃；1.5-3min压力约76Torr热退火NH3流量1200-1500ml/min；980-1100℃；5-15min本专利技术III族氮化物高响应光电探测器器件的制备，采用光导型AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN应变异质结构，附图说明图1和图2中金属电极为Ti/Al或Ti/Al/Pt/Au多层金属电极3。图2电极图形为叉指形，典型电极条宽为10μm长为550μm，电极间距为5-20μm，可以设计多个子单元并联，以增大输出光生电流。电极金属采用多层金属以获得良好的欧姆接触，Ti/Al(厚度为30/200nm)或Ti/Al/Pt/Au(厚度为30/100/40/200nm)，用电子束蒸发获得。金属电极图形采用光刻技术和正胶剥离技术制备。金属电极的合金化在高纯N2中，900℃，50-90秒的条件下使金属电极通过AlyGa1-yN表层伸入到下面的GaN。由于本专利技术GaN及AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN异质结构材料的能带为宽的直接带隙，因此，适用于紫外波段的光电探测器器件。另外，改变中间层GaN(可写为AlzGa1-zN)的组分z(z值取0-0.2)及x，y的值，可使得响应波长窗口移动。图2中ABCD为四只光电探测器的一个引出脚，而E为公共的另一个引出脚。本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于Ⅲ族氮化物异质结构极化效应的高响应光电探测器，其特征是在硅衬底或兰宝石衬底材料上生长下述结构的材料：Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ／ＧａＮ／Ａｌ↓［ｙ］Ｇａ↓［１－ｙ］Ｎ，ｘ、ｙ值取０．１５－０．３５，并在最上层Ａｌ↓［ｙ］Ｇａ↓［１－ｙ］Ｎ材料上设有导电电极。

【技术特征摘要】
1.基于III族氮化物异质结构极化效应的高响应光电探测器，其特征是在硅衬底或兰宝石衬底材料上生长下述结构的材料AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN，x、y值取0.15-0.35，并在最上层AlyGa1-yN材料上设有导电电极。2.由权利要求1所述的基于III族氮化物异质结构极化效应的高响应光电探测器，其特征是AlxGa1-xN、GaN、AlyGa1-yN的厚度分别分别为15-30nm、50-80nm、15-30nm。3.由权利要求1所述的基于III族氮化物异质结构极化效应的高响应光电探测器，其特征是在硅或兰宝石衬底上，以AlN为缓冲层，其厚度为100-300nm，并在缓冲层上生长GaN(厚度为400-600nm)及AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN异质结...

【专利技术属性】
技术研发人员：江若琏，郑有炓，沈波，张荣，顾书林，胡立群，施毅，韩平，朱顺明，赵作明，陈鹏，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]