一种芯片及三维芯片制造技术

本申请公开一种芯片及三维芯片，涉及集成芯片技术领域，能够改善现有三维芯片的凸点的设置位置不均匀，容易引起三维芯片的封装不良的问题。芯片，包括：第一芯片单元，所述第一芯片单元上设置有通信凸点、支撑凸点和凹槽，所述通信凸点部分嵌设在所述凹槽内；所述通信凸点包括第一金属层；所述支撑凸点包括第二金属层；所述第一金属层的尺寸大于所述第二金属层的尺寸。的尺寸。的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片及三维芯片


[0001]本申请涉及集成芯片
，尤其涉及一种芯片及三维芯片。

技术介绍

[0002]芯片的混合键合技术是近年来发展起来的一种晶圆级别的电连接技术，其中，大量的I/O(输入输出接口)连接已经在晶圆级别完成，部分的时钟信号、数据信号等需要通过凸点引出到封装基板上，凸点是设置在晶圆上的凸起结构，凸点的设置间距可以做到很小，能够实现更为密集的通信连接以及较短的通信线路。
[0003]然而，凸点的设置通常需要基于信号输入输出的线路位置，凸点的设置位置通常不均匀，分布不均的凸点容易引起三维芯片的封装不良等问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种芯片及三维芯片，能够改善现有三维芯片的凸点的设置位置不均匀，容易引起三维芯片的封装不良的问题。
[0005]本申请实施例的第一方面，提供一种芯片，包括：
[0006]第一芯片单元，所述第一芯片单元上设置有通信凸点、支撑凸点和凹槽，所述通信凸点部分嵌设在所述凹槽内；
[0007]所述通信凸点包括第一金属层；
[0008]所述支撑凸点包括第二金属层；
[0009]所述第一金属层的尺寸大于所述第二金属层的尺寸。
[0010]在一些实施方式中，所述通信凸点在所述第一芯片单元上的正投影和所述支撑凸点在所述第一芯片单元上的正投影均为圆形，所述通信凸点在所述第一芯片单元上正投影的直径大于所述支撑凸点在所述第一芯片单元上正投影的直径。
[0011]在一些实施方式中，所述第一金属层在所述第一芯片单元上的正投影为第一投影，所述第二金属层在所述第一芯片单元上的正投影为第二投影，所述第一投影的面积大于所述第二投影的面积。
[0012]在一些实施方式中，所述第一投影和所述第二投影均为圆形，所述第一投影的直径与所述第二投影的直径相差为设定阈值。
[0013]在一些实施方式中，所述设定阈值的取值范围为5
‑
8μm。
[0014]在一些实施方式中，所述通信凸点还包括：第一凸块，所述第一金属层设置于所述第一凸块与所述第一芯片单元之间；
[0015]所述支撑凸点还包括：第二凸块，所述第二金属层设置于所述第二凸块与所述第一芯片单元之间；
[0016]所述第一凸块在所述第一芯片单元上正投影的面积大于所述第二凸块在所述第一芯片单元上正投影的面积。
[0017]在一些实施方式中，所述第一芯片单元包括第一区域和第二区域，所述通信凸点
设置在所述第一区域内，所述支撑凸点设置在所述第二区域内。
[0018]在一些实施方式中，所述第一芯片单元包括顶层金属层、钝化层和缓冲层，所述钝化层设置于所述顶层金属层和所述缓冲层之间；
[0019]所述支撑凸点与所述缓冲层连接；
[0020]所述钝化层设置有第一通孔，所述缓冲层设置有第二通孔，所述第一通孔与所述第二通孔连通形成所述凹槽。
[0021]在一些实施方式中，所述顶层金属层靠近所述钝化层的一侧设置有第一焊盘；
[0022]所述第一金属层通过所述第一通孔与所述第一焊盘连接，所述第一凸块穿设于所述第二通孔，并与所述第一金属层连接。
[0023]本申请实施例的第二方面，提供一种三维芯片，包括：
[0024]如第一方面所述的芯片；
[0025]第二芯片单元，所述第二芯片单元设置于第一芯片单元背离通信凸点的一侧，且所述第二芯片单元与所述第一芯片单元电连接。
[0026]本申请实施例提供的芯片及三维芯片，通过在第一芯片单元上设置通信凸点和支撑凸点，通信凸点用于实现第一芯片单元的通信连接，支撑凸点可以起到支撑作用，支撑凸点的支撑作用能够分散通信凸点分布不均引起的应力集中。以及，支撑凸点可以填补未设置通信凸点的区域，能够使得通信凸点和支撑凸点的分布趋于均匀，可以避免第一芯片单元上凸点分布不均造成芯片的应力集中的问题。结合凹槽的设置，通过设置第一金属层的尺寸大于第二金属层的尺寸，来减小回流焊之后支撑凸点的尺寸，以缩小通信凸点和支撑凸点的高度差，可以使得支撑凸点能够充分起到分担通信凸点的支撑负担的作用的同时，保证通信凸点与封装基板能够正常接触实现稳定电连接。
附图说明
[0027]图1为本申请实施例提供的一种芯片的局部结构示意图；
[0028]图2为本申请实施例提供的一种芯片的局部俯视图；
[0029]图3为本申请实施例提供的又一种芯片的局部结构示意图；
[0030]图4为本申请实施例提供的一种支撑凸点的结构示意图；
[0031]图5为本申请实施例提供的再一种芯片的局部结构示意图；
[0032]图6为本申请实施例提供的一种三维芯片的局部结构示意图；
[0033]图7为本申请实施例提供的一种芯片的制备方法的示意性流程图。
具体实施方式
[0034]为了更好的理解本说明书实施例提供的技术方案，下面通过附图以及具体实施例对本说明书实施例的技术方案做详细的说明，应当理解本说明书实施例以及实施例中的具体特征是对本说明书实施例技术方案的详细的说明，而不是对本说明书技术方案的限定，在不冲突的情况下，本说明书实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
[0035]在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包
含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。术语“两个以上”包括两个或大于两个的情况。
[0036]三维芯片的混合键合技术是近年来发展起来的一种晶圆级别的电连接技术，通过金属键合的方式将两个或者多个芯片连接起来。大量的I/O(输入输出接口)连接已经在晶圆级别完成，少数的时钟信号、数据信号等需要通过凸点引出到封装基板上，凸点是设置在晶圆上的凸起结构。然而，凸点的设置通常需要基于信号输入输出的线路位置，凸点的设置位置通常不均匀，分布不均的凸点容易引起三维芯片的封装不良等问题。
[0037]有鉴于此，本申请提供一种芯片及三维芯片，能够改善现有三维芯片的凸点的设置位置不均匀，容易引起三维芯片的封装不良的问题。
[0038]本申请实施例的第一方面，提供一种芯片，图1为本申请实施例提供的一种芯片的局部结构示意图。如图1所示，本申请实施例提供的芯片，包括：第一芯片单元100，第一芯片单元100上设置有通信凸点110、支撑凸点120和凹槽101；通信凸点110部分嵌设在凹槽101内；通信凸点110包括第一金属层112；支撑凸点120包括第二金属层1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片，其特征在于，包括：第一芯片单元，所述第一芯片单元上设置有通信凸点、支撑凸点和凹槽，所述通信凸点部分嵌设在所述凹槽内；所述通信凸点包括第一金属层；所述支撑凸点包括第二金属层；所述第一金属层的尺寸大于所述第二金属层的尺寸。2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述通信凸点在所述第一芯片单元上的正投影和所述支撑凸点在所述第一芯片单元上的正投影均为圆形，所述通信凸点在所述第一芯片单元上正投影的直径大于所述支撑凸点在所述第一芯片单元上正投影的直径。3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一金属层在所述第一芯片单元上的正投影为第一投影，所述第二金属层在所述第一芯片单元上的正投影为第二投影，所述第一投影的面积大于所述第二投影的面积。4.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述第一投影和所述第二投影均为圆形，所述第一投影的直径与所述第二投影的直径相差为设定阈值。5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述设定阈值的取值范围为5
‑
8μm。6.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述通信凸点还包括：第一凸块，所述第一金属层设置于所述第一凸块与所述第一芯片单元之间；...

【专利技术属性】
技术研发人员：王慧梅，王玉冰，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：