【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及采用激光剥离技术从蓝宝石衬底上剥离氮化镓(GaN)获得无裂缝自支撑GaN衬底的方法和技术。二、技术背景以GaN及InGaN、AlGaN合金材料为主的III-V族氮化物材料(又称GaN基材料)是近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料，其1.9-6.2eV连续可变的直接带隙，优异的物理、化学稳定性，高饱和电子漂移速度，高击穿场强和高热导率等优越性能使其成为短波长半导体光电子器件和高频、高压、高温微电子器件制备的最优选材料。由于GaN本身物理性质的限制，GaN体单晶的生长具有很大的困难，尚未实用化。然而，用GaN衬底进行同质外延获得III族氮化物薄膜材料却显示出了极其优越的性能，因此用低位错密度衬底进行GaN同质外延是改善III族氮化物外延层质量的较好办法。目前，大面积GaN衬底通常都是在异质衬底(如蓝宝石、SiC、Si等)上气相生长GaN厚膜，然后将原异质衬底分离后获得的。其中在蓝宝石衬底上生长GaN最普遍，质量也最高。为了得到自支撑GaN衬底，必须除去蓝宝石衬底。由于蓝宝石极其稳定，难以采用化学腐蚀方法。一般的方法是机械磨削，但因蓝宝石很硬，不仅要消耗大量的金刚石磨料，成本很高而且速度极慢。采用激光辐照的方法，利用激光对GaN厚膜和衬底的界面区加热使之熔化，从而获得自支撑的GaN衬底。激光剥离方法的优点是时间快，蓝宝石衬底可回收使用。在本专利技术中，我们采用激光扫描辐照技术，从蓝宝石衬底上将GaN薄膜剥离下来，获得自支撑无裂缝GaN衬底。三、
技术实现思路
本专利技术目的是用激光扫描辐照技术将GaN薄膜从蓝宝石衬底上剥离下来，获得无裂缝自支撑Ga...
【技术保护点】
激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法，其特征是采用准分子激光器：激光波长所对应的能量小于蓝宝石带隙能，但是大于ＧａＮ的带隙能，激光辐照透过蓝宝石衬底，辐照蓝宝石－氮化镓界面处的ＧａＮ，然后加热或弱酸腐蚀，将ＧａＮ和蓝宝石分离开来，得到ＧａＮ自支撑衬底。
【技术特征摘要】
1.激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法，其特征是采用准分子激光器激光波长所对应的能量小于蓝宝石带隙能，但是大于GaN的带隙能，激光辐照透过蓝宝石衬底，辐照蓝宝石—氮化镓界面处的GaN，然后加热或弱酸腐蚀，将Ga...
【专利技术属性】
技术研发人员：张荣，修向前，徐剑，顾书林，卢佃清，毕朝霞，沈波，刘治国，江若琏，施毅，朱顺明，韩平，胡立群，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]
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