【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路制造工艺
,具体涉及。目前的集成电路制造工艺中都使用硅化物工艺技术来减少源漏区域和多晶电极的电阻。无论是0.35/0.25微米技术的钛硅化物(TiSi2)还是0.18/0.13微米技术的钴硅化物(CoSi2)都用到了两步硅化物形成工艺。在首先PVD淀积形成硅化物所需的金属后,通过第一次较低温度的RTP(快速热退火)处理淀积的金属形成高电阻的硅化物。然后通过化学溶剂APM(氨水和双氧水混合)/SPM(硫酸和双氧水混合)去除在场氧化层和栅极侧壁边墙(spacer)上残留的或未反应的金属(即多余金属),并留下产生的硅化物(这一步称为选择性腐蚀)。最后通过第二次较高温度的RTP处理以形成低电阻的硅化物。用APM溶液湿法有选择性地去除未反应金属,如Co或者Ti,然后用SPM溶液清洗硅片表面,虽然可以达到工艺要求,但是由于双氧水存在易分解、寿命短、要求不断更新溶液的缺点,造成了溶剂的大量消耗,提高了生产成本。本专利技术提出的选择性去除硅化物形成过程中多余金属的方法,是在原工艺过程中的APM和SPM溶液中溶入臭氧气体或者用臭氧替代APM和SPM溶剂中双氧水。具体而言,在两步形成硅化物的工艺中,在第一步快速热退火后,采用上述新型溶剂将场氧化层(如LOCOS(局部氧化隔离)或者STI(浅沟槽隔离))上以及栅极边墙侧壁(spacer)上的残余金属,如Co(钴)或者Ti(钛)、TiN(氮化钛),去除,然后通过第二步高温快速热退火形成低电阻的硅化物。在向APM和SPM溶液中充入臭氧时,通入臭氧的流量在4-8L/min之间;在用臭氧替代APM和SP ...
【技术保护点】
一种去除在硅化物形成过程中多余金属的方法,其特征在于在两步形成硅化物的工艺中,在第一步快速热退火后,采用在APM和SPM溶液中溶入臭氧或者用臭氧替代APM和SPM溶剂中双氧水的方法将场氧化层上以及栅极边墙侧壁上的残余金属去除,然后通过第二步高温快速热退火形成低电阻的硅化物。
【技术特征摘要】
1.一种去除在硅化物形成过程中多余金属的方法,其特征在于在两步形成硅化物的工艺中,在第一步快速热退火后,采用在APM和SPM溶液中溶入臭氧或者用臭氧替代APM和SPM溶剂中双氧水的方法将场氧化层上以及栅极边墙侧壁上的残余金属去除,然后通过第二步高温快速热退火形成低电阻的硅化物。2.根据权利要求1所述的去除在硅化物形成过程中多余金属的方法,其特征在于在向APM和SPM溶液中充入臭氧时,通入臭氧的流量在4-8L/min之间。3.根据权利要求1所述的去除在硅化物形成...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡恒生,
申请(专利权)人:上海华虹集团有限公司,上海集成电路研发中心有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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