【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关一种半导体元件的结构，且特别是有关一种不易被清洗溶液冲倒的电容器下电极的结构。附图说明图1为公知电容器下电极的侧视图。请参照图1，首先在基底100上形成数个金氧半导体(MOS)，其中每一个皆包含位于基底100上的栅极102、位于栅极102的侧壁上的间隙壁104、以及在栅极102两侧的基底100中的源极/漏极(source/drain)区106。接着，在基底100上形成介电层108以覆盖住上述金氧半导体，再于介电层108上形成位线110，其是与源极/漏极区106其中之一电性耦接。接着，在基底100上形成介电层112以覆盖位线110，再于介电层112上形成多个下电极114，其是与源极/漏极区106的另一者电性耦接。图2为公知电容器下电极阵列的俯视图。公知电容器下电极114的形状大致为一长方体，而其俯视图大致为一长方形。请参照图3，在电容器下电极114作进一步处理之前，例如是形成半球形硅晶粒以增加其表面积之前，或是形成电容器介电层之前，必须以RCA溶液清洁其表面，此RCA溶液的组成中包含去离子水、硫酸(H2SO4)与过氧化氢(H2O2)等。然而，随着存储单元的尺寸日益减小，电容器下电极114的高度亦须日渐增加，借以增加其表面积，并提供足够的储存电容。由于电容器下电极114的高度增加，所以在使用RCA溶液冲洗之时，电容器下电极114容易被水流冲倒或抽倒，如图3所示的断裂的下电极114a，如此将使工艺的合格率降低。本专利技术的另一目的则是提出一种能够提高电容器下电极的工艺合格率的方法。本专利技术所提出的电容器下电极的俯视图呈一狭长形，此狭长形具...
【技术保护点】
一种电容器下电极的结构，其特征是，该电容器下电极的俯视图呈一狭长形，该狭长形具有两端及两侧边，其中该两端皆呈一尖凸状，且该两侧边皆向内凹入。
【技术特征摘要】
US 2001-6-14 09/882,7471.一种电容器下电极的结构，其特征是，该电容器下电极的俯视图呈一狭长形，该狭长形具有两端及两侧边，其中该两端皆呈一尖凸状，且该两侧边皆向内凹入。2.如权利要求1所述的电容器下电极的结构，其特征是，该电容器下电极的材质包括多晶硅。3.一种提高电容器下电极工艺合格率的方法，其特征是，该方法包括在形成多个电容器下电极时，将其中每一个电容器下电极皆定义成俯视图呈一狭长形，且具有相同的指向，其中该狭长形具有两端及两侧边，该两端...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙嘉骏，林思闽，王泉富，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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