半导体存储装置中产生初始化信号的方法制造方法及图纸

一种用于产生初始化信号的方法，该初始化信号能够防止由于施加外部电源引起的安装在半导体存储装置中的内部电路的初始不稳定运行。该方法包括步骤：（ａ）接收用于对半导体存储装置进行预充电的预充电指令；（ｂ）根据所接收的预充电指令激活初始化信号达到第一电平；（ｃ）在收到预充电指令后接收用于刷新半导体存储装置的刷新指令；（ｄ）在收到刷新指令后接收用于设置半导体存储装置的运行模式的模式设置指令；以及（ｅ）根据所接收的模式设置指令去激活初始化信号达到第二电平。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体存储装置，特别涉及到一种产生初始化信号的方法，该初始化信号能够在半导体存储装置加电时防止内部电路的不稳定运行。
技术介绍
加电是将外部电源施加到半导体存储装置，用于运行该装置。半导体存储装置包括初始化电路，以防止在加电期间内部电路的不稳定运行。在此，内部电路装置的不稳定运行指的是，由于外部电源不完全稳定，所以在加电运行阶段中难以确定电路中的数据是逻辑“高”还是逻辑“低”。通过利用初始化信号来锁定内部电路可以防止内部电路的不稳定运行，该初始化信号暂时是逻辑“高”，但在加电期间下降到逻辑“低”。图1是初始化电路100的示意图，它能在加电时防止半导体存储装置内部电路的不稳定运行。参考图1，初始化电路100包括P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体三极管MP1、电容CAP、电阻R1和反相器I11至I13。在初始化电路100的运行过程中，当来自外部电源的外部电源EVC被施加到电路100并且外部电源EVC的电平升高时，由于电平的增加，从初始化电路100输出的初始化信号VCCHB就变大。如果外部电源EVC的电平超过预定电平，就调整初始化电路100的电压，这样，第一节点N11变成逻辑“高”电平。只要第一节点N11被识别为逻辑“高”，就通过反相器I11至I13产生逻辑“低”的初始化信号VCCHB。在此，初始化脉冲信号VCCHB在加电运行期间被用来防止半导体存储装置内部电路的不稳定运行。图2显示了一个利用初始化信号来初始化半导体存储装置内部电路的方法的例子。在图2所示的电路运行中，输入信号IN在加电期间是无效的，因此，第一节点N21处于不稳定状态。此时，当输入逻辑“高”的初始化信号VCCHB时，就通过反相器I21将PMOS晶体三极管MP2打开，并且第一节点N21被锁定到逻辑“高”电平且使其稳定。因此，可以防止输出信号OUT中的变化。当初始化信号VCCHB被转变为逻辑“低”电平时，PMOS晶体三极管MP2被断开，并且第一节点N21保持锁定到逻辑“高”电平。如上所述，初始化信号VCCHB在加电期间设置半导体存储装置内部电路的每个节点达到预定的逻辑电平。然而，初始化电路100具有这样的问题，即它具有大的布置面积和在半导体存储装置运行时的能量消耗，即使在产生初始化信号VCCHB之后。而且，当前趋势是减小外部电源EVC的电压(以节省电源并提高速度)，这样，减小了初始化信号VCCHB的电平。这使得初始化信号VCCHB不能完成防止内部电路的不稳定运行的功能。与此相反，根据本专利技术的产生初始化信号的方法可以减小初始化电路的布置面积和在加电期间的能量消耗。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术的一个目的是提供一种产生初始化信号的方法，该方法能够减少初始化电路的布置面积和在加电期间的能量消耗。所以，为了实现上述目的的一个方面，提供了一种产生初始化信号的方法，该方法包括步骤(a)接收用于对半导体存储装置进行预充电的预充电指令；(b)根据所接收的预充电指令激活初始化信号达到第一电平；(c)在收到预充电指令后，接收用于刷新半导体存储装置的刷新指令；(d)在收到刷新指令后，接收用于设置半导体存储装置的运行模式的模式设置指令；以及(e)根据所接收的模式设置指令去激活初始化信号达到第二电平。为了实现上述目的另一个方面，提供了一种产生初始化信号的方法，该方法包括步骤(a)接收用于对半导体存储装置进行预充电的预充电指令；以及(b)根据所接收的预充电指令，产生自动脉冲作为初始化信号。为了实现上述目的另一方面，提供了一种产生初始化信号的方法，该方法包括步骤(a)接收用于设置半导体存储装置的运行模式的模式设置指令；以及(b)根据所接收的模式设置指令，产生自动脉冲作为初始化信号。为了实现上述目的再另一方面，提供了一种产生初始化信号的方法，该方法能够防止安装在半导体存储装置中的内部电路的初始不稳定运行，该半导体存储装置包括用于防止由于外部电源的施加而引起的内部电路的初始不稳定运行的初始化电路。该方法包括步骤(a)初始化电路根据外部电源产生预初始化信号；(b)接收用于设置半导体存储装置的运行模式的模式设置指令；以及(c)根据预初始化信号和所接收的模式设置指令产生自动脉冲。该方法还可以包括根据所产生的初始化信号关闭初始化电路的步骤(d)。为了实现上述目的的再另一方面，根据本专利技术的第五实施例，提供了一种关闭用于产生初始化信号的初始化电路的方法，该方法能够防止由于外部电源的施加而引起的安装在半导体存储装置中的内部电路的初始不稳定运行。该方法包括步骤(a)初始化电路根据外部电源产生初始化信号；(b)接收用于对半导体存储装置进行预充电的预充电指令；以及(c)根据预充电指令关闭初始化电路。为了实现上述目的的再另一方面，提供一种关闭用户产生初始化信号的初始化电路的方法，该方法能够防止由于外部电源的施加而引起的安装在半导体存储装置中的内部电路的初始不稳定运行。该方法包括步骤(a)初始化电路根据外部电源产生初始化信号；(b)接收用于设置半导体存储装置的运行模式的模式设置指令；以及(c)根据模式设置指令关闭初始化电路。为了实现上述目的再另一方面，提供了一种产生初始化信号的方法，该方法用于初始化半导体存储装置中的内部电路，该方法包括步骤(a)接收用于初始化内部电路的模式设置指令；以及(b)根据所接收的模式设置指令产生控制信号，并将其作为初始化信号使用。模式设置指令是一种通过外部引脚施加到半导体存储装置的信号。模式设置指令也是一种同步动态随机访问存储器(DRAM)中的模式寄存器设置(MRS)指令，并且是异步动态随机访问存储器(DRAM)中的行地址选通(RAS)前之写列地址选通(CAS)。为了实现上述目的再另一方面，提供了一种产生初始化信号的方法，该方法用于初始化半导体存储装置中的内部电路，该方法包括步骤(a)接收用于对半导体存储装置进行预充电的预充电指令；(b)在收到预充电指令之后，接收用于初始化内部电路的模式设置指令；以及(c)根据所接收的模式设置指令产生控制信号，并将控制信号作为初始化信号使用。模式设置指令是一种通过外部引脚施加到半导体存储装置的信号。模式设置指令也是一种同步动态随机访问存储器(DRAM)中的模式寄存器设置(MRS)指令，并且是异步动态随机访问存储器(DRAM)中的行地址选通(RAS)前之写列地址选通(CAS)。附图说明参考附图，通过对优选实施例的详细描述，本专利技术的上述目的和优点会变得更加明显，其中图1是初始化电路的电路图，该电路在加电期间能够防止半导体存储装置的内部电路的不稳定运行；图2是使用初始化信号的初始化电路的电路图；图3是说明根据本专利技术的第一实施例产生初始化信号的方法的流程图；图4是说明根据本专利技术的第二实施例产生初始化信号的方法的流程图；图5是说明根据本专利技术的第三实施例产生初始化信号的方法的流程图；图6是说明根据本专利技术的第四实施例产生初始化信号的方法的流程图；图7是说明根据本专利技术的第五实施例关闭初始化电路的方法的流程图；图8是说明根据本专利技术的第六实施例关闭初始化电路的方法的流程图；图9是说明根据本专利技术的第七实施例产生初始化信号的方法的流程图；图10是说明根据本专利技术的第八实施例产生初始化信号的方法的流程图；图11是解释图9中说明的本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于产生初始化信号以初始化半导体存储装置的内部电路的方法，该方法包括步骤： （ａ）接收用于对半导体存储装置进行预充电的预充电指令； （ｂ）根据所接收的预充电指令激活初始化信号达到第一电平； （ｃ）在收到预充电指令后接收用于刷新半导体存储装置的刷新指令； （ｄ）在收到刷新指令后接收用于设置半导体存储装置的运行模式的模式设置指令；以及 （ｅ）根据所接收的模式设置指令去激活初始化信号达到第二电平。

【技术特征摘要】
KR 2001-7-18 43111/01;KR 2002-7-5 38893/021.用于产生初始化信号以初始化半导体存储装置的内部电路的方法，该方法包括步骤(a)接收用于对半导体存储装置进行预充电的预充电指令；(b)根据所接收的预充电指令激活初始化信号达到第一电平；(c)在收到预充电指令后接收用于刷新半导体存储装置的刷新指令；(d)在收到刷新指令后接收用于设置半导体存储装置的运行模式的模式设置指令；以及(e)根据所接收的模式设置指令去激活初始化信号达到第二电平。2.如权利要求1的方法，其中，模式设置指令是同步动态随机访问存储器(DRAM)中的模式寄存器设置(MRS)指令。3.如权利要求1的方法，其中，模式设置指令是异步动态随机访问存储器(DRAM)中的行地址选通(RAS)前之写列地址选通(MRS)指令(WCBR)。4.用于产生初始化信号以初始化安装在半导体存储装置中的内部电路的方法，该方法包括步骤(a)接收用于对半导体存储装置进行预充电的预充电指令；以及(b)根据所接收的预充电指令产生自动脉冲作为初始化信号。5.用于产生初始化信号以初始化半导体存储装置内部电路的方法，该方法包括步骤(a)接收用于设置半导体存储装置的运行模式的模式设置指令；以及(b)根据所接收的模式设置指令产生自动脉冲作为初始化信号。6.如权利要求5的方法，其中，模式设置指令是同步动态随机访问存储器(DRAM)中的模式寄存器设置(MRS)指令。7.如权利要求5的方法，其中，模式设置指令是异步动态随机访问存储器(DRAM)中的行地址选通(RAS)前之写列地址选通(MRS)指令(WCBR)。8.如权利要求5的方法，其中，在步骤(a)之前，用于产生初始化信号的方法还包括接收用于对半导体存储装置进行预充电的预充电指令；以及在接收预充电指令后接收用于刷新半导体存储装置的刷新指令；9.用于产生初始化信号以初始化半导体存储装置的内部电路的方法，该半导体存储装置包括初始化电路，该方法包括步骤(a)产生预初始化信号的初始化电路；(b)接收用于设置半导体存储装置的运行模式的模式设置指令；以及(c)根据预初始化信号和模式设置指令产生自动脉冲。10.如权利要求9的方法，其中，模式设置指令是同步动态随机访问存储器(DRAM)中的模式寄存器设置(MRS)指令。11.如权利要求9的方法，其中，模式设置指令是异步动态随机访问存储器(DRAM)中的行地址选通(RAS)前之写列地址选通(MRS)指令(WCBR)。12.如权利要求9的方法，还包括根据在步骤(c)之后所产生的初始化信号关闭初始化电路的步骤(d)。13.如权利要求9的方法，在步骤(a)...

【专利技术属性】
技术研发人员：裵壹万，金载勋，李在鎣，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]