【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机薄膜晶体管(以下简称OTFT)。本专利技术还涉及这种结构有机薄膜晶体管的制备方法。本专利技术的另一个目的是提供一种高性能OTFT的制备方法。为实现上述目的,有机薄膜晶体管包括衬底1、在衬底1上形成的栅极2,在栅极上面形成栅绝缘层,在绝缘层上形成源电极5和漏电极6,在源电极5及漏电极6上形成半导体有源层7,所述的绝缘层为不同介电常数的第一绝缘层3和第二绝缘层4。按照本专利技术的另一方面,有机薄膜晶体管的制备方法包括第一步,在衬底上溅射或蒸发一层金属(Ta、Ti、W、MO等)并光刻成栅电极。见附图6.(a)第二步,溅射或蒸发一层栅绝缘膜(Ta2O5、Al2O3、TiO2、BZT等)和旋涂一层高分子聚合物(聚甲基丙烯酸甲脂、聚酰亚胺、聚乙烯醇、聚偏氟乙烯等)或溅射或蒸发一层低介电无机膜(SiO2、SiNx等)作为双栅绝缘膜。见附图6.(b)第三步,真空热蒸发一层金属(Au、Ag、Mo、Al等)并光刻成源、漏电极。见附图6.(c)第四步,以源、漏电极为掩模用反应性离子刻蚀(RIE)方式干法刻蚀掉沟道区的第二绝缘膜。见附图6.(d)第五步,真空热蒸发有机半导体材料作为有源层并光刻和刻蚀(RIE方式)成型。本专利技术在不增加光刻等常规复杂工艺仅增加旋涂或蒸镀第二层绝缘膜和自对准干法刻蚀两步简单工序的情况下,就可以改善载流子的注入特性从而提高OTFT器件的性能,而且还可以阻断栅绝缘膜的漏电流、降低器件的寄生电容。这样,既可以采用高介电材料作为栅绝缘层,增大沟道电容,降低器件的开启电压,同时,降低栅源和栅漏漏电流对器件的不利影响。实施例1如图6所示 ...
【技术保护点】
一种有机薄膜晶体管,包括衬底(1)、在衬底(1)上形成的栅极(2),在栅极上面形成栅绝缘层,在绝缘层上形成源电极(5)和漏电极(6),在源电极(5)及漏电极(6)上形成半导体有源层(7),其特征在于所述的绝缘层为不同介电常数的第一绝缘层(3)和第二绝缘层(4)。
【技术特征摘要】
1.一种有机薄膜晶体管,包括衬底(1)、在衬底(1)上形成的栅极(2),在栅极上面形成栅绝缘层,在绝缘层上形成源电极(5)和漏电极(6),在源电极(5)及漏电极(6)上形成半导体有源层(7),其特征在于所述的绝缘层为不同介电常数的第一绝缘层(3)和第二绝缘层(4)。2.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管,其特征在于所述第一绝缘层(3)的介电常数高于第二绝缘层(4)。3.根据权利要求2所述的有机薄膜晶体管,其特征在于所述第一绝缘层(3)的介电常数比第二绝缘层(4)的介电常数高3倍以上。4.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管,其特征在于所述第一绝缘层(3)的材料为有机材料、无机材料或铁电材料。5.根据权利要求4所述的有机薄膜晶体管,其特征在于所述的有机材料是聚偏氟乙烯。6.根据权利要求4所述的有机薄膜晶体管,其特征在于所述的无机材料是金属氧化物Ta2O5、AL2O3、TiO2。7.根据权利要求4所述的有机薄膜晶体管,其特征在于所述的铁电材料是钛酸钡。8.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管,其特征在于所述第二绝缘层(4)的材料为有机高分子材料或无机材料。9.根据权利要求8所述的有机薄膜晶体管,其特征在于所述的有机高分子材料是PMMA或聚酰氩胺或环氧树脂。10.根据权利要求8所述的有机薄膜晶体管,其特征在于所述的无机材料是SiO2或SiNx。11.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:闫东航,袁剑峰,
申请(专利权)人:中国科学院长春应用化学研究所,
类型:发明
国别省市:82[中国|长春]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。