【技术实现步骤摘要】
技术介绍
专利
本专利技术涉及半导体显示设备的设计方法和制造方法、采用所述制造方法制造的半导体显示设备和采用所述制造方法制造的半导体显示设备的订单接收系统(order receiving system)。
技术介绍
最近几年来,在一个玻璃衬底上形成TFT的技术有着迅速的进展,开发了这种技术在有源矩阵型半导体器件中的应用。特别是,采用多晶体硅薄膜的TFT(聚-Si TFT)具有比传统的采用非晶态薄膜的TFT更高的场效应移动性(field effect mobility),而且能快速操作。因此,采用聚-Si TFT,可以实现将驱动电路和控制器与像素部分一起集成在玻璃衬底上的基于玻璃的系统。迄今为止半导体显示设备的驱动电路都是在一个硅衬底上形成的,通过FPC之类连接到显示设备的像素部分上。然而,如果IC通过FPC连接到形成像素部分的玻璃衬底上,就会出现连接部分抗机械冲击较弱的问题。这个缺点随着FPC布线的增多越来越严重。为了避免这些问题,通过将驱动电路与像素部分一起配置在玻璃衬底上可以减少FPC布线,从而可以减小显示设备。例如,在作为半导体器件之一的有源矩阵型液晶显示器的情况下,它通常具有依次选择像素部分内多个像素中的一个或几个像素的扫描线驱动电路和将具有图像信息的信号(视频信号)输入一个所选的像素的信号线驱动电路。在玻璃衬底上与像素部分一起形成所述驱动电路可以提高液晶显示器的抗机械冲击的性能,而且可以减小液晶显示器的尺寸。此外,最近几年中,也试验了在玻璃衬底上象驱动电路那样地形成迄今在硅衬底上形成的控制器。如果可以在同一个玻璃衬底上与像素部分一起形成控制器和驱动 ...
【技术保护点】
一种设计包括一个控制器的半导体显示设备的方法,所述方法包括下列步骤:使事先形成的多个TFT中的一些TFT的源极、漏极或栅极通过布线相互连接,形成多个逻辑元件;以及用这些逻辑元件形成控制器。
【技术特征摘要】
JP 2001-10-11 313931/011.一种设计包括一个控制器的半导体显示设备的方法,所述方法包括下列步骤使事先形成的多个TFT中的一些TFT的源极、漏极或栅极通过布线相互连接,形成多个逻辑元件;以及用这些逻辑元件形成控制器。2.一种设计包括一个控制器的半导体显示设备的方法,所述方法包括下列步骤事先形成多个包括多个有些源极、漏极和栅极相互连接的TFT的基本单元;使每个基本单元中的一些TFT的源极、漏极或栅极通过布线相互连接,形成多个逻辑元件;以及用这些逻辑元件形成控制器。3.一种设计包括一个控制器的半导体显示设备的方法,所述方法包括下列步骤事先形成多个包括多个TFT的逻辑元件;以及使这些逻辑元件中的一些逻辑元件的接线端通过布线连接,形成控制器。4.一种设计包括一个控制器的半导体显示设备的方法,所述方法包括下列步骤蚀刻一层覆盖事先形成的多个TFT的隔层绝缘薄膜,暴露这些TFT中的一些TFT的源极、漏极和栅极之一;形成一层导电薄膜,覆盖隔层绝缘薄膜;蚀刻导电薄膜,形成使所述一些TFT中的一些源极、漏极和栅极相互连接的布线;通过形成布线,形成多个逻辑元件;以及用这些逻辑元件形成控制器。5.一种设计包括一个控制器的半导体显示设备的方法,所述方法包括下列步骤事先形成多个包括多个有些源极、漏极和栅极相互连接的TFT的基本单元;蚀刻一层覆盖这些基本单元的隔层绝缘薄膜,暴露这些TFT中的一些TFT的源极、漏极和栅极之一;形成一层导电薄膜,覆盖隔层绝缘薄膜;蚀刻导电薄膜,形成使所述一些TFT中的一些源极、漏极和栅极相互连接的布线;通过形成布线,形成多个逻辑元件;以及用这些逻辑元件形成控制器。6.一种制造包括一个控制器的半导体显示设备的方法,所述方法包括下列步骤形成多个TFT;使这些TFT中的一些TFT的源极、漏极或栅极通过布线相互连接,形成多个逻辑元件;以及用这些逻辑元件形成控制器。7.一种制造包括一个控制器的半导体显示设备的方法,所述方法包括下列步骤形成多个包括多个有些源极、漏极和栅极相互连接的TFT的基本单元;使每个基本单元中的一些TFT的源极、漏极或栅极通过布线相互连接,形成多个逻辑元件;以及用这些逻辑元件形成控制器。8.一种制造包括一个控制器的半导体显示设备的方法,所述方法包括下列步骤形成多个包括多个TFT的逻辑元件;以及使这些逻辑元件中的一些逻辑元件的接线端通过布线连接,形成控制器。9.一种制造包括一个控制器的半导体显示设备的方法,所述方法包括下列步骤形成多个TFT;蚀刻一层覆盖这些TFT的隔层绝缘薄膜,暴露这些TFT中的一些TFT的源极、漏极和栅极之一;形成一层导电薄膜,覆盖隔层绝缘薄膜;蚀刻导电薄膜,形成使所述一些TFT中的这些源极、漏极或者栅极相互连接的布线;通过形成布线,形成多个逻辑元件;以及用这些逻辑元件形成控制器。10.一种制造包括一个控制器的半导体显示设备的方法,所述方法包括下列步骤形成一个包括多个有些源极、漏极和栅极相互连接的TFT的基本单元;蚀刻一层覆盖这个基本单元的隔层绝缘薄膜,暴露这些TFT中的一些TFT的源极、漏极和栅极之一;形成一层导电薄膜,覆盖隔层绝缘薄膜;蚀刻导电薄膜,形成使所述一些TFT中的这些源极、漏极或栅极相互连接的布线;通过形成布线,形成多个逻辑元件;以及用这些逻辑元件形成控制器。11.一种制造包括一个控制器的半导体显示设备的方法,所述方法包括下列步骤;在一个绝缘表面上形成多个布线;...
【专利技术属性】
技术研发人员:山崎舜平,秋叶麻衣,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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