半导体装置(101)具备第1电源端子(1)、第2电源端子(2)以及输出端子(3)和连接于第1电源端子与输出端子之间的第1开关元件(51a～51c)以及连接于第2电源端子与输出端子之间的第2开关元件(61a～61c)。第1电源端子包括在X方向上与第2电源端子隔开间隔对置的第1对置部(12)、在Z方向上与第2电源端子隔开间隔对置的第2对置部(13、14)以及在Z方向上与第2对置部(13)隔开间隔对置的第3对置部(11b)。第1对置部以及第2对置部被设置成在通电时在和在第2电源端子中与第1对置部以及第2对置部的各个对置部对置的部分相反的方向上流过电流。第2对置部以及第3对置部被设置成在通电时在相互相反的方向上流过电流。相反的方向上流过电流。相反的方向上流过电流。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及电力变换装置
[0001]本专利技术涉及半导体装置以及电力变换装置。
技术介绍
[0002]以往，作为在电力变换装置中使用的半导体装置，提出了在半导体材料中使用碳化硅(SiC)的半导体装置。在这样的半导体装置中，相比于在半导体材料中使用硅(Si)的半导体装置，开关速度更快，所以在截止动作时电流迅速地减少而开关损耗被降低，但另一方面，开关时的浪涌电压增加。
[0003]因此，已知为了降低浪涌电压，正极端子以及负极端子的各一部分构成为相互层叠的平行平板区域的半导体装置(参照例如专利文献1)。在这样的半导体装置中，在层叠的2个平行平板区域的一方中流过与另一方相反的方向的电流，所以正极端子以及负极端子的电感被降低。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2013
‑
222885号公报
技术实现思路
[0007]然而，在专利文献1记载的半导体装置中，正极端子以及负极端子仅具有相互对置的部分、并且该对置的部分仅具有在上下方向对置的第1平板区域和在第1平板区域的长度方向对置的弯曲区域。
[0008]在上述半导体装置中，在正极端子以及负极端子相互对置的部分被限制，所以难以实现开关速度的进一步高速化并且抑制与其相伴的浪涌电压增大。
[0009]本专利技术的主要的目的在于提供能够相比于以往的半导体装置，实现针对半导体装置的开关速度的进一步高速化并且抑制与其相伴的浪涌电压增大的半导体装置以及电力变换装置。
[0010]本专利技术所涉及的半导体装置具备第1电源端子、第2电源端子以及输出端子和连接于第1电源端子与输出端子之间的至少1个第1开关元件以及连接于第2电源端子与输出端子之间的至少1个第2开关元件。第1电源端子包括在第1方向上与第2电源端子隔开间隔配置并且沿着与第1方向交叉的第2方向配置的第1对置部、在第2方向上与第2电源端子隔开间隔配置并且沿着第1方向配置的第2对置部以及在第2方向上与第2对置部隔开间隔配置并且沿着第1方向配置的第3对置部。第1对置部以及第2对置部被设置成在通电时在和在第2电源端子中与第1对置部以及第2对置部的各个对置部对置的部分相反的方向上流过电流。第2对置部以及第3对置部被设置成在通电时在相互相反的方向上流过电流。
[0011]根据本专利技术，能够提供能够相比于以往的半导体装置，实现针对半导体装置的开关速度的进一步高速化并且抑制与其相伴的浪涌电压增大的半导体装置以及电力变换装置。
附图说明
[0012]图1是实施方式1所涉及的半导体装置的立体图。
[0013]图2是图1所示的第1电源端子以及第2电源端子的分解立体图。
[0014]图3是图1所示的第1电源端子以及第2电源端子的侧面图。
[0015]图4是图1所示的第1电源端子以及第2电源端子的底面图。
[0016]图5是图1所示的第1电源端子的底面图。
[0017]图6是图1所示的第2电源端子的底面图。
[0018]图7是实施方式2所涉及的半导体装置的立体图。
[0019]图8是图7所示的第1电源端子以及第2电源端子的分解立体图。
[0020]图9是图7所示的第1电源端子以及第2电源端子的侧面图。
[0021]图10是图7所示的第1电源端子以及第2电源端子的底面图。
[0022]图11是图7所示的第1电源端子的底面图。
[0023]图12是图7所示的第2电源端子的底面图。
[0024]图13是图7所示的第1电源端子以及第2电源端子的侧面图。
[0025]图14是实施方式3所涉及的半导体装置的立体图。
[0026]图15是图14所示的第1电源端子以及第2电源端子的分解立体图。
[0027]图16是图14所示的印刷基板的俯视图。
[0028]图17是图14所示的印刷基板的底面图。
[0029]图18是图14所示的第1电源端子以及第2电源端子的底面图。
[0030]图19是图14所示的第1电源端子以及第2电源端子的侧面图。
[0031]图20是图14所示的第1电源端子以及第2电源端子的侧面图。
[0032]图21是图14所示的印刷基板的立体图。
[0033]图22是实施方式4所涉及的半导体装置的立体图。
[0034]图23是图22所示的第1电源端子以及第2电源端子的分解立体图。
[0035]图24是示出图22所示的第1电源端子以及第2电源端子的电流路径的立体图。
[0036]图25是实施方式5所涉及的半导体装置的立体图。
[0037]图26是图25所示的第1电源端子、第2电源端子以及绝缘部件的分解立体图。
[0038]图27是图25所示的第1电源端子、第2电源端子以及绝缘部件的俯视图。
[0039]图28是图25所示的第1电源端子、第2电源端子以及绝缘部件的侧面图。
[0040]图29是示出实施方式1～5所涉及的第1电源端子以及第2电源端子的变形例的分解立体图。
[0041]图30是示出应用实施方式6所涉及的电力变换装置的电力变换系统的结构的框图。
[0042](符号说明)
[0043]1：第1电源端子；2：第2电源端子；3：输出端子；4：基体板；10：第1外部连接部；11、12、13、14：第1中间连接部；11：第1部分；11a：第1竖立部分；11b、21b：水平延伸部分；12：第2部分；13：第3部分；14：第4部分；14a：第1区域；14b：第2区域；15：第1内部连接部；20：第2外部连接部；21、22：第5部分；21：第2竖立部分；21、22、23、24：第2中间连接部；21a：垂直延伸部分；22：第3竖立部分；23：第6部分；24：第7部分；24a：第3区域；24b：第4区域；25：第2内部
连接部；30：基板；40：绝缘层；50：第1导体图案；50a：第1导体；50b：第5导体；50c：第6导体；51a、51c：第1开关元件；52a、52c：第1二极管元件；60：第2导体图案；60a：第3导体；60b：第7导体；61a、61b、61c：第2开关元件；62a、62b、62c：第2二极管元件；70：第3导体图案；70a：第4导体；70b：第2导体；80：印刷基板；80a：第1焊盘；80b：第2焊盘；80c：第3焊盘；90：绝缘部件；91：第1绝缘部；92：第2绝缘部；101、102、103、104、105、302：半导体装置；200：电源；301：主变换电路；300：电力变换装置；303：控制电路；400：负载。
具体实施方式
[0044]以下，参照附图，说明本专利技术的实施方式。此外，在以下的附图中对同一或者相当的部分附加同一参照编号，不反复其说明。另外，在以下的说明中，为方便起见，使用作为第1方向的X方向、作为第2方向的Z方向以及作为第3方向的Y方向。另外，从X方向的一方侧朝本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，具备：第1电源端子、第2电源端子以及输出端子和连接于所述第1电源端子与所述输出端子之间的至少1个第1开关元件以及连接于所述第2电源端子与所述输出端子之间的至少1个第2开关元件，所述第1电源端子包括在第1方向上与所述第2电源端子隔开间隔配置并且沿着与所述第1方向交叉的第2方向配置的第1对置部、在所述第2方向上与所述第2电源端子隔开间隔配置并且沿着所述第1方向配置的第2对置部以及在所述第2方向上与所述第2对置部隔开间隔配置并且沿着所述第1方向配置的第3对置部，所述第1对置部以及所述第2对置部被设置成在通电时在和在所述第2电源端子中与所述第1对置部以及所述第2对置部的各个对置部对置的部分相反的方向上流过电流，所述第2对置部以及所述第3对置部被设置成在通电时在相互相反的方向上流过电流。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第2对置部以及所述第3对置部经由所述第1对置部连接。3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其中，所述第2对置部具有与所述第1对置部在所述第1方向上连结的部分。4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体装置，其中，所述第1电源端子包括与外部连接的第1外部连接部、与所述至少1个第1开关元件连接的至少1个第1内部连接部以及连接所述第1外部连接部与至少1个所述第1内部连接部之间的第1中间连接部，所述第1中间连接部具有与所述第1外部连接部连接并且沿着所述第1方向延伸的第1部分、与所述第1部分连接并且沿着所述第2方向延伸的第2部分、与所述第2部分连接并且沿着所述第1方向延伸的第3部分以及连接所述第3部分与所述至少1个第1内部连接部之间并且沿着与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向延伸的第4部分，所述第2电源端子包括与外部连接的第2外部连接部、与所述至少1个第2开关元件连接的至少1个第2内部连接部以及连接所述第2外部连接部与所述至少1个第2内部连接部之间的第2中间连接部，所述第2中间连接部具有与所述第2外部连接部连接并且沿着所述第2方向延伸的第5部分、与所述第5部分连接并且沿着所述第1方向延伸的第6部分以及连接所述第6部分与所述第2内部连接部之间并且沿着所述第3方向延伸的第7部分，所述第1对置部具有所述第2部分，所述第2对置部具有所述第3部分以及所述第4部分，所述第3对置部具有所述第1部分的至少一部分。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第1电源端子还包括在所述第3方向...
【专利技术属性】
技术研发人员：森崎翔太，冈诚次，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。