【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制备铁磁性半导体薄膜材料的方法,特别是指一种。迄今为止,已有大量的磁体/半导体异质结构以及磁体/半导体/磁体三层结构制备成功,磁体/半导体超晶格的研制也取得了进展。但由于磁体/半导体间晶格失配的影响,异质结构的应变较大、稳定性不好。组份渐变铁磁性半导体材料很好地解决了晶格失配的问题,在分立器件和集成电路中必将得到广泛应用,因此对其制备和研究具有重要意义。离子束外延技术的优点是利用其磁分析器的离子提纯分析功能,在超高真空条件下可制备其它工艺不易实现的、难提纯、难化合、易氧化的特殊材料。磁性元素如锰通常是很易氧化、很难提纯的物质,用这种方法就可克服这种弱点,使离子达到同位素纯度。本专利技术一种,其特征在于,其步骤包括步骤1选择半导体单晶片,该半导体单晶片作为基底材料;步骤2将所述的基底材料加热,为下一步工艺作好准备;步骤3在基底上生长组份渐变的磁性半导体材料;步骤4对上述磁性半导体材料进行热处理。其中步骤1中的基底材料为半导体单晶片,如砷化镓、锑化镓、硅、磷化铟、锗、磷化镓。其中步骤2所述的加热的温度范围是0-800度。其中步骤3所述的组份渐变的磁性半导体材料为掺入过渡族金属或土族金属的半导体材料,如镓锰砷、镓锰锑、锰硅。其中步骤4所述的热处理温度范围在100-800度。其中步骤1也可根据需要在衬底上先外延一层或多层缓冲层后再生长组份渐变的磁性半导体材料。其中步骤3的磁性半导体可以是单晶形式也可以是多晶形式。组份渐变磁性半导体材料制备方法一、以GaSb(锑化镓)、GaAs(砷化镓)、Si(硅)等单晶片为衬底;二、根据需要可以在GaSb、 ...
【技术保护点】
一种组份渐变铁磁性半导体制备方法,其特征在于,其步骤包括:步骤1:选择半导体单晶片,该半导体单晶片作为基底材料;步骤2:将所述的基底材料加热,为下一步工艺作好准备;步骤3:在基底上生长组份渐变的磁性半导体材料;步骤4:对上述 磁性半导体材料进行热处理。
【技术特征摘要】
1.一种组份渐变铁磁性半导体制备方法,其特征在于,其步骤包括步骤1选择半导体单晶片,该半导体单晶片作为基底材料;步骤2将所述的基底材料加热,为下一步工艺作好准备;步骤3在基底上生长组份渐变的磁性半导体材料;步骤4对上述磁性半导体材料进行热处理。2.根据权利要求1所述的组份渐变铁磁性半导体制备方法,其特征在于,其中步骤1中的基底材料为半导体单晶片,如砷化镓、锑化镓、硅、磷化铟、锗、磷化镓。3....
【专利技术属性】
技术研发人员:陈诺夫,张富强,杨君玲,刘志凯,杨少延,柴春林,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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