衬底处理装置和衬底处理方法制造方法及图纸

利用一边由移动机构从溶剂喷嘴排出冲淡剂，一边沿衬底的各边移动例如２个来回或３个来回，去除衬底的仅周边部的光刻胶膜，使在进行粘附处理时形成的ＨＭＤＳ气体的处理膜露出。其次，利用一边由光纤辐照紫外线，一边沿衬底的各边移动例如２个来回或３个来回，去除仅在衬底的周边部露出的处理膜。这样，因为不从衬底周边部上露出的处理膜产生胺系气体，所以能防止使曝光装置中的曝光透镜和反射镜及其他的机器类产生白色污浊。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及去除形成在使用于液晶显示装置等的玻璃衬底上的处理膜等的。
技术介绍
在LCD(即，液晶显示)等的制造工艺中，为了在用于LCD的被处理体玻璃衬底上形成ITO(即，铟锡氧化物)的薄膜和电极图形，利用与用于半导体装置的制造一样的光刻法技术。在光刻法技术中，在玻璃衬底上涂覆光刻胶，曝光，再显影。此外，在这些光刻胶涂覆和曝光及显影的各工序的前后，进行规定的加热处理和冷却处理，特别是，在光刻胶的涂覆处理前的工序中，进行粘附处理。该粘附处理为了使玻璃衬底与光刻胶膜紧密性提高，使氨系的气体(一般地，使用HMDS气体)为蒸气状，涂覆在玻璃衬底上。然后，涂覆该粘附处理后的光刻胶膜，但为了防止其后产生微粒，在光刻胶膜涂覆处理之后用冲淡剂等溶剂去除涂覆在玻璃衬底周边部上的多余的光刻胶膜(例如，日本语公开公报、平成6-333819号公报(第〔0019〕段，图5))。但是，在进行了该周边部的光刻胶去除处理之后，玻璃衬底被搬运到曝光装置进行曝光处理，但这时就产生曝光装置中的曝光透镜和反射镜白色污浊的问题。考虑到其原因是在去除衬底周边部的光刻胶膜之后，在该周边部露出涂覆在光刻胶膜下面的HMDS气体的膜，从这部分产生构成HMDS气体的胺系的气体，例如硫化铵，该产生的气体附着在曝光装置的透镜和反射镜等上。根据这样的问题，就发生例如不能按规定的曝光量曝光等不合适于曝光处理的情况。
技术实现思路
为了达到上述目的，本专利技术涉及的衬底处理装置的特征在于，包括向形成了处理膜和涂覆在该处理膜上的涂覆膜的衬底的衬底周边部排出溶剂，去除该周边部的涂覆膜的涂覆膜去除装置；去除在上述涂覆膜已被去除的衬底周边部上露出的上述处理膜的处理膜去除装置。根据这样的结构，由涂覆膜去除装置去除涂覆膜之后，由处理膜去除装置去除露出的处理膜。这样，能消除曝光装置中的曝光透镜和反射镜等白色污浊的原因，例如，由于能去除由粘附处理形成的处理膜，因此能不对曝光装置产生坏影响地去除衬底周边部的涂覆膜。作为涂覆膜处理装置，可以考虑利用使溶剂喷嘴一边沿衬底周边部移动一边排出溶剂，去除涂覆膜。此外，作为处理膜去除装置，可以考虑利用例如一边使光纤沿衬底周边部移动一边从光纤辐照光，去除处理膜，另外，也可以考虑利用向处理膜供给臭氧水来去除该处理膜。根据本专利技术的一个实施方式，光纤的光最好使用包含用于曝光上述涂覆膜的曝光光的波长成分的光。此外，也可以包括在去除涂覆膜之后加热露出的处理膜的加热装置。象这样，利用在光辐照之前预先加热处理膜，能促进用光辐照的处理膜的剥离作用。根据本专利技术的一个实施方式，上述涂覆膜去除装置的特征在于，包括保持排出上述溶剂的溶剂喷嘴的保持部件；使上述保持部件沿上述衬底的周边部移动的周层移动机构，一边由上述周层移动机构使上述保持部件移动，一边排出上述溶剂。根据这样的结构，由于能一边使保持部件移动一边排出溶剂，因此能高效率地去除涂覆膜和处理膜。此外，在保持部件上固定光纤的情况下，由于一边使保持部件移动一边辐照光，因此能高效率地去除处理膜。该光纤的投射面最好构成具有一个边的长度与上述露出的处理膜的宽度大致相同的矩形。这样，例如，利用由保持部件仅移动1个衬底周边部的进程，就能高效率地去除处理膜露出的区域。此外，也可以从涂覆了上述涂覆膜的衬底面的背面一侧进行光纤的光辐照。例如，在衬底是玻璃衬底的情况下，即使从背面一侧辐照光，也能使光透射在玻璃衬底的表面一侧。根据本专利技术的一个实施方式，其特征在于，上述光纤和溶剂喷嘴与上述保持部件的移动方向大致平行地配置。该情况下，最好在保持部件上设置使之在与上述移动方向正交的方向上移动的正交移动机构。这样，就能使保持部件在上述正交方向上移动，使溶剂喷嘴和光纤位于处理膜上，在该处理膜的宽度方向上移动。因而，利用溶剂喷嘴和光纤去除处理膜的范围变宽，就能确切地去除处理膜。根据本专利技术的一个实施方式，其特征在于，上述光纤配置在比上述溶剂喷嘴更在衬底的外侧的位置上。根据这样的结构，只进行保持部件的沿衬底周边部的移动，能防止在去除了衬底周边部的涂覆膜之后，由光纤的光辐照曝光剩余的涂覆膜的情况。根据本专利技术的一个实施方式，其特征在于，还包括使上述保持部件在与上述移动方向正交的方向上移动的正交方向移动机构，利用上述周层移动机构和正交方向移动机构使保持部件交替地移动，在去除上述周边部的涂覆膜的同时，去除依次露出来的处理膜。象这样，由于光纤追着溶剂排出之后去除依次露出来的处理膜，因此由光纤去除处理膜的范围变宽，就能确切地去除处理膜，能有效且迅速地去除涂覆膜和处理膜。根据本专利技术的一个实施方式，其特征在于，还包括向着上述光纤的投射面喷出洗涤液的清洗喷嘴。考虑到由光辐照而气化的处理膜附着在光纤的投射面上，使光纤的投射面产生白色污浊，及，因光纤的投射面上的其附着物而衬底上不能得到一定的光辐照的可能性。本专利技术中，利用用洗涤液清洗光纤投射面的白色污浊，就能回避有关情况。此外，本专利技术的清洗喷嘴也可以装配在保持部件上，与保持部件一体地移动。根据本专利技术的一个实施方式，其特征在于，还包括在去除上述处理膜之际排出从该处理膜产生的气体的装置。根据这样的结构，能排出由光辐照而气化了的处理膜。这样，能防止上述的光纤投射面的白色污浊，此外，能防止装置和机器类的沾污。此外，由于设置该排出装置，因此能在排出去除的涂覆膜和处理膜及从该处理膜产生的气体等的同时，排出在该清洗时飞溅的洗涤液，另外，也能使光纤投射面干燥。根据本专利技术的一个实施方式，其特征在于，上述光纤多个并列安设在与利用周层移动机构的上述保持部件的移动方向不同的方向上。这样，能在保持部件的1个进程上去除处理膜，在能更准确地去除处理膜的同时，能提高生产率。根据本专利技术的一个实施方式，其特征在于，在保持部件上夹衬底地装配2个以上的上述溶剂喷嘴。因此，不仅能在衬底的表面一侧，而且能转进背面一侧去除附着的涂覆膜。本专利技术涉及的衬底处理方法的特征在于，包括下述工序向形成了处理膜和涂覆在该处理膜上的涂覆膜的衬底的衬底周边部排出溶剂，去除该周边部的涂覆膜的工序；去除在上述涂覆膜已被去除的衬底周边部上露出的上述处理膜的工序。附图说明图1是示出本专利技术的一个实施方式涉及的涂覆显影处理系统的总结构的平面图。图2是图1示出的涂覆显影处理系统的正视图。图3是图1示出的涂覆显影处理系统的后视图。图4是第一实施方式涉及的光刻胶处理块的平面图。图5是图4示出的光刻胶处理块的侧视图。图6是本专利技术的第一实施方式涉及的边缘去膜器(リム—バ)的概略斜视图。图7是示出第一实施方式涉及的去膜器头的剖面图。图8是图7示出的去膜器头的平面图。图9是图7示出的去膜器头的正视图。图10(a)是示出衬底周边部的光刻胶膜去除作用，(b)是示出粘附处理涉及的处理膜的去除作用的剖面图。图11是示出在去膜器头上装配压气缸的状态的侧视图。图12(a)是示出溶剂喷嘴与光纤的位置关系的平面图，(b)是示出其处理膜的去除作用的侧视图。图13是示出使衬底周边部由去膜器头扫描的状态的平面图。图14是设置了清洗喷嘴的去膜器头的剖面图。图15是另一个实施方式涉及的边缘去膜器的概略斜视图。图16是图15示出的框架部件的剖面图。图17是示出对加热器的衬底周边部加热作用的斜视图。图1 8是示出其他实施方式的光纤部分的扩本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理装置，其特征在于，包括： 向形成了处理膜和涂覆在该处理膜上的涂覆膜的衬底的衬底周边部排出溶剂，去除该周边部的涂覆膜的涂覆膜去除装置； 去除在上述涂覆膜已被去除的衬底周边部上露出的上述处理膜的处理膜去除装置。

【技术特征摘要】
JP 2002-1-22 13236/021.一种衬底处理装置，其特征在于，包括向形成了处理膜和涂覆在该处理膜上的涂覆膜的衬底的衬底周边部排出溶剂，去除该周边部的涂覆膜的涂覆膜去除装置；去除在上述涂覆膜已被去除的衬底周边部上露出的上述处理膜的处理膜去除装置。2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，上述处理膜由粘附处理形成。3.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，上述处理膜去除装置包括向上述露出的处理膜辐照包含用于曝光上述涂覆膜的曝光光的波长成分的光的装置。4.如权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，上述涂覆膜去除装置包括保持排出上述溶剂的溶剂喷嘴的保持部件；使上述保持部件沿衬底的周边部移动的周层移动机构，一边由上述周层移动机构使上述保持部件移动，一边排出上述溶剂。5.如权利要求4所述的衬底处理装置，其特征在于，在上述保持部件上一体地装配上述溶剂喷嘴，包括辐照上述光的光纤，上述处理膜去除装置一边通过上述周层移动机构使上述保持部件移动，一边辐照光。6.如权利要求5所述的衬底处理装置，其特征在于，上述光纤和溶剂喷嘴与上述保持部件的移动方向大致平行地配置。7.如权利要求6所述的衬底处理装置，其特征在于，还包括使上述保持部件在与上述移动方向正交的方向上移动的正交方向移动机构；在去除了上述周边部的涂覆膜之后，由上述正交方向机构使上述保持部件移动，去除该周边部的处理膜的装置。8.如权利要求5所述的衬底处理装置，其特征在于，上述光纤配置在比上述溶剂喷嘴更在衬底的外侧的位置上。9.如权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于，还包括使上述保持部件在与上述移动方向正交的方向上移动的正交方向移动机构，利用上述周层移动机构和正交方向移动机构使保持部件交替地移动，在去除上述周边部的涂覆膜的同时，去除依次露出来的处理膜。10.如权利要求5所述的衬底处理装置，其特征在于，还包括向着...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛岛满，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]