【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种微探针的制造方法。通过本专利技术的方法,可以制造出适用于0.5um以下撩接点的探针,而且可以将它与微机械成功地连接,以进行探测的功能。图2a-图2h是为本专利技术第一实施例制程剖面图,其中图2d为实施例中导电层的俯视图。图3a-图3i是为本专利技术第二实施例制程剖面图,其中图3d为实施例中导电层的俯视图。符号说明10、310矽基板;101、3101第一面向;102、3102第二面向;20、320氧化层;30a、30b、30c、330a、330b、330c光阻图案;201、3201第一接触孔;202、3202第二接触孔;40、340导电层;401、341第二导电层;50、350夹具;401突出部;71针头部分;73基座;74探测系统; 351、352插塞。第一实施例首先,参考图2a,形成一氧化层20于具有一第一面向101以及一第二面向102的一矽基板10的上述第一面向101上,举例而言,上述氧化层的厚度大约为1微米的氧化矽、氮化矽或氢氧化矽所构成。接着,参考图2b,利用微影技术进行涂布光阻材料、曝光、显影、烘烤等步骤,以形成接触孔蚀刻用的光阻图案30a、30b及30c,透过上述光阻图案30a、30b及30c当作蚀刻罩幕,蚀刻上述氧化层20形成一第一接触孔201及一第二接触孔202于上述氧化层20中,由于在后续步骤中填入上述第二接触孔202中的导体,将为微探针的针头部分,所以所形成的上述第二接触孔202必须小于上述第一接触孔201,最好为0.13um或更小的蚀刻技术所能达到最小的尺寸。然后,再去除上述光阻罩幕30a、30b及30c ...
【技术保护点】
一种微探针的制造方法,步骤包括 形成一氧化层于具有一第一面向以及一第二面向的一矽基板的上述第一面向上; 形成一第一接触孔及一第二接触孔于上述氧化层中,其中上述第二接触孔小于上述第一接触孔; 形成一导电层于上述第一接触孔、第二接触孔及整个表面上;以及 使用一夹具夹住该基板,以上述夹具当作蚀刻罩幕,对上述矽基板的上述第二面向进行蚀刻,直到露出上述导电层。
【技术特征摘要】
1.一种微探针的制造方法,步骤包括形成一氧化层于具有一第一面向以及一第二面向的一矽基板的上述第一面向上;形成一第一接触孔及一第二接触孔于上述氧化层中,其中上述第二接触孔小于上述第一接触孔;形成一导电层于上述第一接触孔、第二接触孔及整个表面上;以及使用一夹具夹住该基板,以上述夹具当作蚀刻罩幕,对上述矽基板的上述第二面向进行蚀刻,直到露出上述导电层。2.如权利要求1所述的方法,其中形成上述导电层的步骤,更包括形成至少一第二导电层于部份上述导电层上。3.如权利要求1所述的方法,其中上述第二导电层是为逐层变宽,且随着逐层宽度增加而变厚的结构。4.如权利要求1所述的方法,其中对上述矽基板的第二面向进行蚀刻,直到露出上述导电层的步骤,还包括于上述矽基板的上述第二面向形成一光阻,用以该光阻当作蚀刻罩幕,对上述矽基板进行蚀刻,直到露出上述导电层。5.如权利要求1所述的方法,其中对上述矽基板的第二面向进行蚀刻,直到露出上述导电层的步骤,更包括一蚀刻上述氧化层的步骤。6.如权利要求2所述的方法,其中上述导电层以及至少一第二导电层为一同一材料。7.如权利要求2所述的方法,其中上述导电层以及至少一第二导电层由铝所构成。8.如权利要求2所述的方法,其中上述导电层以及至少一第二导电层为钨所构成。9.如权利要求4所述的方法,其中蚀刻上述氧化层的步骤,使用湿式蚀刻的方式蚀刻上述氧化层。10.如权利要求4所述的方法,其中蚀刻上述氧化层...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘醇明,李正汉,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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