一种高压VDMOS器件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高压VDMOS器件，包括CP测试Ron为2.77Ω的晶圆，晶圆上每片晶圆的芯片数量为2808颗，芯片面积为2316um

【技术实现步骤摘要】
一种高压VDMOS器件


[0001]本技术涉及半导体的
，特别是涉及一种高压VDMOS器件。

技术介绍

[0002]目前通用的高压VDMOS产品4N65的面积为2460um
×
2460um，对应的Ron为2.3Ω左右，在每片六英寸晶圆上的芯片数量为2482颗。上述设计在实际使用中，Ron完全满足使用要求，并远低于使用标准，因此对于当前的芯片面积还有减小的空间，可以进一步的提升晶圆的使用效率。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提出一种提升晶圆使用效率的高压VDMOS器件，解决上述问题。
[0004]本技术通过以下技术方案来实现上述目的：一种高压VDMOS器件，芯片面积为2316um
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2256um，每片六寸晶圆上的芯片数量为2808颗。
[0005]作为本技术的优选，所述VTH（V）值为3.2。
[0006]作为本技术的优选，所述BVDSS（V）值为685。
[0007]作为本技术的优选，所述Ron（Ω）值为2.77。
[0008]与现有技术相比，本技术的有益效果如下：本技术基于合理性、成本和经济效益的考虑，在不改变结构分布只改变芯片面积大小的情况下，通过计算对芯片的面积大小进行重新设计，在满足客户使用要求的前提下充分利用晶圆的使用率，降低成本和增加效益。
附图说明
[0009]图1是现有技术示意图；
[0010]图2是本技术示意图。
具体实施方式
[0011]下面结合附图对本技术作进一步说明：
[0012]本技术通过以下技术方案来实现上述目的：一种高压VDMOS器件，芯片面积为2316um
×
2256um，每片六寸晶圆上的芯片数量为2808颗。作为本技术的优选，所述VTH（V）值为3.2。作为本技术的优选，所述BVDSS（V）值为685。作为本技术的优选，所述Ron（Ω）值为2.77。
[0013]现有同系列平面高压VDMOS产品的面积和ron（漏源导通电阻）成反比，芯片面积越大，对应的ron越小；芯片面积越小，对应的ron越大。在本技术中，改变的是S（源）区的面积大小，也就是其中元胞的数量，对于G（栅）区及其它位置还是沿用现有结构设计。
[0014]与现有技术的技术数据对比如下表一所示：
[0015]设计参数现有技术本技术芯片面积2460um
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2460um2316um
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2256um芯片数量（颗）24822808VTH（V）3.23.2BVDSS（V）685685Rdson（Ω）2.472.77
[0016]本技术在不影响产品的使用性能同时，提升每片晶圆上单个芯片的数量，有效提升芯片生产的实用性和经济性。
[0017]与现有技术相比，本技术的有益效果如下：本技术基于合理性、成本和经济效益的考虑，在不改变结构分布只改变芯片面积大小的情况下，通过计算对芯片的面积大小进行重新设计，在满足客户使用要求的前提下充分利用晶圆的使用率，降低成本和增加效益。
[0018]以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压VDMOS器件，其特征在于，包括晶圆上每片晶圆的芯片数量为2808颗，芯片面积为2316um
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2256um。2.根据权利要求1所述的一种高压VDMOS器件，其特征在于，所述VT...

【专利技术属性】
技术研发人员：王恒亮，冯羽，张峰，
申请(专利权)人：杭州华芯微科技有限公司，
类型：新型
国别省市：