【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是有关于一种内存的制造方法,且特别是有关于一种氮化硅只读存储器(Nitride Read Only Memory,NROM)的制造方法。在只读存储器中,可擦除且可编程只读存储器具有可编程、可擦除、以及断电后仍可保存数据的优点,对于需要能够保存数据以及能够将所保存的数据更新的设备,例如是个人计算机和电子设备中的基本输入输出(Basic Input Output System,BIOS)而言,为一种所广泛采用的内存元件。而其中尤其是电气擦除式可编程只读存储器,较之可擦除且可编程只读存储器更具有在电路内(in-circuit)进行电编程以及电移除的优势,因此为将来研究发展的主要方向。典型的电气擦除式可编程只读存储器是以掺杂的复晶硅制作浮置闸与控制闸。在进行编程(Program)时,射入于浮置闸的电子会均匀分布于整个复晶硅浮置栅极层中。一旦复晶硅浮置栅极层下方的穿隧氧化层有缺陷存在,则容易造成元件的漏电流,影响元件的可靠度。目前已发展出一种氮化硅只读存储器的结构,此氮化硅只读存储器是在基底上形成一个陷入介电层夹层结构(Trapping dielectricsandwiched),此陷入介电层夹层结构由绝缘层-电荷陷入层(Chargetrapping layer)-绝缘层所组成,其材质例如是氧化硅-氮化硅-氧化硅(ONO),其中电荷陷入层的功能等同一般可电除且可程序只读存储器的浮置栅极,而控制闸则仍然是以复晶硅来制作。当此元件在控制闸与源极区施加电压进行程序化时,信道区中接近于漏极区之处的电子会射入于电荷陷入层中,而且,由于氮化硅材质具有捕捉电子的特 ...
【技术保护点】
一种氮化硅只读存储器的制造方法,其特征为:该方法至少包括: 提供一基底; 在该基底上形成一第一绝缘层; 在该第一绝缘层上形成一氮化硅电荷陷入层(Charge trapping layer); 在该氮化硅电荷陷入层上形成一第二绝缘层; 在该第二绝缘层上形成一图案转移层; 以该图案转移层为罩幕,蚀刻去除部份该第二绝缘层、该氮化硅电荷陷入层以形成一开口; 去除该图案转移层; 去除该开口侧壁的部份该氮化硅电荷陷入层,以使该开口侧壁形成一内凹(Notch)结构; 在该开口中形成一热氧化层以作为一埋入式漏极绝缘层,其中该热氧化层与该开口侧壁密合;以及 在该基底上形成一导电层,以作为控制闸。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种氮化硅只读存储器的制造方法,其特征为该方法至少包括提供一基底;在该基底上形成一第一绝缘层;在该第一绝缘层上形成一氮化硅电荷陷入层(Charge trappinglayer);在该氮化硅电荷陷入层上形成一第二绝缘层;在该第二绝缘层上形成一图案转移层;以该图案转移层为罩幕,蚀刻去除部份该第二绝缘层、该氮化硅电荷陷入层以形成一开口;去除该图案转移层;去除该开口侧壁的部份该氮化硅电荷陷入层,以使该开口侧壁形成一内凹(Notch)结构;在该开口中形成一热氧化层以作为一埋入式漏极绝缘层,其中该热氧化层与该开口侧壁密合;以及在该基底上形成一导电层,以作为控制闸。2.如权利要求1所述的氮化硅只读存储器的制造方法,其特征为其中去除该开口侧壁的部份该氮化硅电荷陷入层,以使该开口侧壁形成一内凹结构的方法包括一湿式蚀刻法。3.如权利要求2所述的氮化硅只读存储器的制造方法,其特征为其中该湿式蚀刻法所使用的一蚀刻液包括磷酸。4.如权利要求3所述的氮化硅只读存储器的制造方法,其特征为其中该蚀刻液的温度为摄氏20度至180度左右。5.如权利要求3所述的氮化硅只读存储器的制造方法,其特征为其中该湿式蚀刻法的操作时间为0.5分钟至5分钟左右。6.如权利要求1所述的氮化硅只读存储器的制造方法,其特征为其中形成该热氧化层的方法包括热氧化法。7.如权利要求1所述的氮化硅只读存储器的制造方法,其特征为其中还包括于形成该图案转移层后,对该基底进行一埋入式漏极掺杂步骤。8.一种氮化硅只读存储器的制造方法,其特征为该方法包括下列步骤提供一基底;在该基底上形成一第一绝缘层;在该第一绝缘层上形成一氮化硅电荷陷入层;在该第一绝缘层上形成一第二绝缘层;在该第二绝缘层上形成一图案转移层;以该图案转移层为罩幕,蚀刻去除部份该第二绝缘层、该氮化硅电荷陷入层以及该第一绝缘层以形成露出该基底的一开口;去除该图案转移层;去除该开口侧壁的部份该氮化硅电荷陷入层,以使该开口侧壁形成一内凹(Notch)结构;在该开口中形成一热氧化层以作为一埋入式漏极绝缘层,其中该热氧化层与该开口侧壁密合;以及在该基底上形成一导电层,以...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘建宏,潘锡树,黄守伟,
申请(专利权)人:旺宏电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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