基板处理装置制造方法及图纸

本文披露了提高产量的基板处理装置。根据本发明专利技术的基板处理装置包括以并行方式排列的抗反射薄膜形成块，光刻薄膜形成块和显影块。各个块都包括化学处理舱，热处理舱和单个主传送机构。主传送机构将基板在各个块内传送。在相邻块的基板传送是通过基板台来进行的。各个块的主传送机构不受相邻块主传送机构的移动影响。从而，基板的有效传送提高了基板处理装置的产量。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基板处理装置，它可适用于对诸如半导体晶圆、用于液晶显示器的玻璃基板、用于掩膜板的玻璃基板以及用于光盘的基板(下文中简称“基板”)等基板进行一系列处理。
技术介绍
这类基板处理装置通常应用在诸如在基板上形成光刻胶薄膜、对已经具有光刻胶薄膜的基板进行曝光、以及对曝光的基板进行显影的光刻工艺中。该装置将参照图1所示的平面图进行讨论。该基板处理装置包括分拣器103和传递机构108a，其中，分拣器103具有一个盒子架子101，可以用于容纳多个盒子C，各个盒子都可包含多个(例如，25个)待处理的晶圆W或在下文所要讨论的处理舱104中已经处理过的晶圆W；而传递结构108a可沿着盒子C水平移动，用于在盒子C和处理舱104之间传递晶圆W。除了处理舱以外，该装置还包括主基板传递路径105以及接口106，晶圆W沿着主基板传递路径从一个处理舱传递到另一个处理舱104，接口106用于在处理舱104和外部处理装置107之间传递晶圆。外部处理装置107是与基板处理装置分离的装置，并且是可拆卸地安装在基板处理装置的接口106上。在将所设计的基板处理装置应用于上述敷光刻膜和显影的情况中，外部处理装置107是一台曝光晶圆W的曝光装置。基板处理装置进一步包括主传递结构108b和传递结构108c，其中，主传递结构108b可沿着主基板传递路径105移动，而传递结构108c可沿着接口106的传递路径移动。此外，在分拣器103和主基板传递路径105之间的连接处设置了架子109a，以及在主基板传递路径105和接口106之间的连接处设置了架子109b。上述基板处理装置通过以下步骤进行基板处理。传递结构108a从含有待处理晶圆W的盒子C中取出晶圆W，并且将该晶圆W传递给架子109a，使得该晶圆W传到主传递结构108b。主传递结构108b，在接受到放置在架子109a的晶圆W之后，将晶圆W传递到各个处理舱104，在处理舱104中进行预定的处理(例如，涂覆光刻胶)。一旦完成了各自预定的处理之后，主传递结构108b就从处理舱104中取出晶圆W，并将其传递到另一个处理舱，进行下一步处理(例如，热处理)。在一系列预曝光处理完成之后，主传递结构108b就将在处理舱104中处理的晶圆W传递到架子109b，并且放置在架子109b的晶圆W传到传递结构108c。传递结构108c接受到放置在架子109b上的晶圆W，并将该晶圆W传递到外部处理装置197。传递结构108c将晶圆W卸载到外部处理装置107，并且在完成预定处理(例如，曝光)之后，从外部处理装置取出晶圆W，并放置在架子109b上。接着，主传递结构108b将晶圆W传递到进行一系列预曝光加热和冷却以及显影处理的处理舱104中。由传递结构108a将已经通过所有处理的晶圆W卸载到预定的盒子C中。从盒子架101上取出盒子C，以完成一系列基板处理。采用这种结构的常规装置会存在以下一些缺点。在常规的基板处理装置中，只有单个主传递结构108b可沿着主基板传递路径105移动，将晶圆W传递到或取自于所有的处理单元104。由于它的工作速度，主传递结构108b不能在较短的时间内访问许多处理单元104。此外，常规基板处理装置不能满足目前对提高产量的需求。
技术实现思路
本专利技术主要是针对以上所提及的问题，其主要目标是提供提高产量的基板处理装置。根据本专利技术，采用能对基板进行一系列化学处理和加热处理的基板处理装置可以满足上述目标，该基板处理装置包括多个以并列位置相排列的处理舱，每一个块可以进行不同的化学处理，每一个处理舱又包括适用于进行不同化学处理的化学处理舱，适用于进行与不同化学处理有关热处理的热处理舱，以及适用于在化学处理舱和热处理舱之间传递基板的单个的主传送机构。根据本专利技术，基板接受在多个以并列方式排列的处理舱中持续进行的一系列化学和热处理。在各自的处理舱中，主传送机构将基板并行地传入和传出化学处理舱和热处理舱。即，能够同时和并行操作各个处理舱的主传送机构，将基板传入和传出处理舱是相当畅通的，因而能够提高基板处理装置的产量。在上述基板处理装置中，每一个处理区的主传送机构能较佳地共享基本相同数量的传送步骤，在这些步骤中，一个传送步骤就是将各个基板从指定的位置传送到不同的位置的步骤。当利用多个传送机构来连续进行一系列基板处理时，指定的传送机构可以具有一个增加的传送负载，使得在单位时间中不能处理多于一定数量的基板。随后，即使其它传送机构具有活动空间，但是从整体上基板处理装置不能期望提高它的处理效率。根据本专利技术，每一个处理舱的主传送机构共享基本相等数量的传送步骤。这就避免了只有指定的主传送机构能比其它主传送机构更早达到传送处理极限的状态。因此，基板处理装置提供了提高的产量。在根据本专利技术的基板处理装置中，每一个处理块的主传送机构能较佳地通过用于接受待传送基板的基板架将基板传送到相邻的一个处理块。随后，只是通过把在处理块已经完成处理的基板放置在基板架上，使一些处理块的主传送机构可以继续下一步的处理。即，无论相邻处理块的主要机构的操作状态怎样，都可以继续进行处理。于是，就可以进一步提高基板处理装置的产量。基板架能较佳地包括至少两个基板架，例如，用于将基板送入到一个处理块中的基板送入架，以及用于将基板从一个处理块中去除的基板取回架。采用这样的结构，这两个基板架可以用于将基板送入到某些处理块(没有负载)，以及用于几乎同时将基板从处理块中取回(有负载)。于是，可以进一步提升基板处理装置的产量。基板送入架和基板取回架能较佳地相互垂直和相互接近地排列。当有负载和没有负载地基板都采用单个主传送机构时，该推荐地排列可以实现主传送机构地较短输送距离，从而能提高基板处理装置的产量。本专利技术并不限制基板架的位置。在相邻处理块之间设置大气屏蔽隔板的地方，基板架能较佳地沿着该隔板部分延伸。这种结构减小了在相邻处理块之间的大气相互影响，并且实现了基板在处理块之间平稳地传输。最好基板架能包括用于检测基板的传感器。随后，传感器输出检测的信号，以允许确定主传送机构是否能向基板架传输基板。这就有效地避免了将一块基板放置在基板架上的另一块基板上的故障，以及主传送机构的无效移动，例如“空拾取”。化学处理舱，热处理舱和主传送机构可以在各个处理块中以任何要求的设计来排列。然而，最好是将化学处理舱和热处理舱设计在主传送机构的两边。在这种结构中，化学处理舱和热处理舱是相互分开的。于是，化学处理舱可以减小热处理舱的热影响。在本专利技术中，各个处理舱能较佳地包括多个垂直排列的化学处理舱和多个垂直排列的热处理舱。采用多级分别垂直排列化学处理舱和热处理舱的设计能够减小基板处理装置所占用的面积。热处理舱最好是采用多个塔式一个按一个地垂直排列。这种结构便于热处理舱的维修，以及能消除将热处理舱所需的通道系统、管道系统以及功率电源线延伸得很高的需求。本专利技术并不限制热处理舱的特殊结构。然而，热处理舱最好是具有临时基板堆放的热处理舱，以及具有用于支撑和加热基板的加热平台，临时基板堆放用于将基板保持在离开加热平台上方或下方位置上，并且局部传送机构用于在加热平台和临时基板堆放之间的基板传送。采用具有临时基板堆放的热处理舱，可以在不考虑主传送机构的操作状态的条件下，将经过热处理的基板从加热的平台移动到临时基板堆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于对基板进行一系列化学处理和热处理的基板处理装置，它包括： 多个以并行方式排列的处理块，各个块用于进行不同的化学处理； 所述每一个处理块都包括用于进行所述不同化学处理的化学处理舱，用于进行与所述不同化学处理有关热处理的热处理舱，以及用于在所述化学处理舱和所述热处理舱之间传送基板的单个主传送机构。

【技术特征摘要】
JP 2002-5-1 2002-1298171.一种用于对基板进行一系列化学处理和热处理的基板处理装置，它包括多个以并行方式排列的处理块，各个块用于进行不同的化学处理；所述每一个处理块都包括用于进行所述不同化学处理的化学处理舱，用于进行与所述不同化学处理有关热处理的热处理舱，以及用于在所述化学处理舱和所述热处理舱之间传送基板的单个主传送机构。2.如权利要求1所述基板处理装置，其特征在于，各个处理舱的所述主传送机构都共享基本相同数量的传送步骤，其中一个传送步骤是将各个基板从一个指定的位置传送到不同的位置的步骤。3.如权利要求1所述基板处理装置，其特征在于，各个处理舱的所述主传送机构将基板通过基板台传送到相邻的一个处理舱，其中，提供基板台用于接受待处理的基板。4.如权利要求3所述基板处理装置，其特征在于，所述基板台包括至少两个基板台，即，用于从一个处理舱送入基板的基板送入台，以及用于向一个所述处理舱返回基板的基板返回台。5.如权利要求4所述基板处理装置，其特征在于，所述基板送入台和所述基板返回台是垂直排列的且相互接近的。6.如权利要求3所述基板处理装置，其特征在于，所述处理舱分成部分，所述基板台部分延伸通过所述的各个部分。7.如权利要求3所述基板处理装置，其特征在于，所述基板台包括用于检测基板的传感器。8.如权利要求3所述基板处理装置，其特征在于，所述化学处理舱和所述热处理舱是相互面对面地排列在所述主传送机构的两边。9.如权利要求8所述基板处理装置，其特征在于，所述处理舱包括多个垂直排列的化学处理舱，以及多个垂直排列的热处理舱。10.如权利要求9所述基板处理装置，其特征在于，所述热处理舱是以一个接一个的并排安装的塔垂直排列的。11.如权利要求1所述基板处理装置，其特征在于，所述热处理舱包括具有临时基板堆放的热处理舱，具有用于支撑和加热基板的加热平台，临时基板堆放用于将基板保持在离开所述加热平台的上部或下部位置上，以及局部传送机构用于在所述加热平台和所述临时基板堆放之间传送基板。12.如权利要求11所述基板处理装置，其特征在于，所述局部传送机构包括在将基板从所述加热平台传送到所述临时基板堆放的同时用于冷却基板的冷却部件。13.如权利要求11所述基板处理装置，其特征在于，所述主传送机构将基板传送进或出所述临时基板堆放。14.如权利要求11所述基板处理装置，其特征在于，至少所述加热平台封闭在一个外壳中，该外壳具有允许所述局部传送机构能向/从所述加热平台装载和卸载基板的开孔，所述开孔位于远离所述主传送机构能接近的另一边。15.一种用于对基板进行一系列化学处理和热处理的基板处理装置，它包括包括用于接受多个盒子的盒子架的分拣块，每一个盒子可以多级方式包含多个基板，并且分拣传送机构用于连续从各个盒子中送入待处理的基板以及连续将处理后的基板堆放在盒子中；设置在邻近所述分拣块的抗反射薄膜形成块，并包括用于在基板表面上涂覆抗反射薄膜的抗反射薄膜涂覆舱，用于热处理与抗反射薄膜涂覆有关的基板的抗反射薄膜热处理舱，以及用于将基板传送于所述抗反射薄膜涂覆舱和所述抗反射薄膜热处理舱的第一主传送机构；设置在邻近所述抗反射薄膜形成块的光刻薄膜形成块，并包括用于对在其表面形成抗反射薄膜的基板涂覆光刻胶薄膜的光刻薄膜涂覆舱，用于热处理与光刻薄膜涂覆有关的基板的光刻薄膜热处理舱，以及用于将基板来回传送于所述光刻薄膜涂覆舱和所述光刻薄膜热处理舱的第二主传送机构；设置在邻近所述光刻薄膜形成块的显影块，并包括用于对在其表面形成光刻薄膜并已曝光的基板进行显影的显影舱，用于热处理与显影有关的基板的热处理舱，以及用于将基板来回传送于所述显影舱和用于显影的热处理舱的第三主传送机构；以及，设置在邻近所述显影块的接口块，并包括用于基板在曝光装置中来回传送的接口传送机构，所提供曝光装置是分列设置在基板处理装置外部的。16.如权利要求15所述基板处理装置，其特征在于，至少所述分拣块和所述抗反射薄膜形成块是被确定允许基板传送的开孔部分所分开，并且所述抗反射薄膜形成块具有比所述分拣块高的大气压力。17.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：福冨義光，杉本憲司，伊藤隆，岡本健男，稻垣幸彦，吉岡勝司，三橋毅，
申请(专利权)人：日本网目版制造株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]