一种集成式复合型局域导电芯板及其应用制造技术

本发明专利技术公布一种集成式复合型局域导电芯板及其应用，集成式复合型局域导电芯板包含自上而下依次设置的第二背面导电箔、第二背面高透绝缘聚合物、第一背面导电箔、第一背面高透绝缘聚合物，其中，第二背面导电箔上设有圆环状区域；第二背面高透绝缘聚合物中设有圆孔，背面负极点位于圆孔正中；第一背面导电箔为格状导电线路，格状导电线路的格点与背面负极点通过背面负极点顶部的导电胶进行粘接导电；在第一背面导电箔的外侧面覆盖第一背面高透绝缘聚合物。本申请电池组件将MWT结构正面低遮光面积和低银耗的特点发挥到背面，大幅缓解了产业化HIT电池中高银耗量的问题，也可搭配超细栅技术，利于产业化HIT电池的降本增效。利于产业化HIT电池的降本增效。利于产业化HIT电池的降本增效。

【技术实现步骤摘要】
一种集成式复合型局域导电芯板及其应用


[0001]本专利技术属于光伏组件生产
，具体涉及一种双面MWT
‑
HIT电池组件及其应用。

技术介绍

[0002]MWT电池具有背接触结构，由于正面没有主栅，可有效降低遮光面积，同时大幅降低银浆耗量。且相较于其他背接触结构如IBC，工艺简单成本低，具有较好的性价比。但目前受制于背面封装方式，难以实现低成本的双面化。HIT电池具有高转换效率、低温度系数、低衰减、弱光性好等优点，但目前低温银浆耗量及其单价较高，占据BOM成本最高比例，性价比相对较差。

技术实现思路

[0003]为了解决上述
技术介绍
中的问题，本专利技术的目的是提供一种双面MWT
‑
HIT电池组件产品制备方法，将MWT结构正面低遮光面积和低银耗的特点发挥到背面，大幅缓解了产业化HIT电池中高银耗量的问题，也可搭配超细栅技术，利于产业化HIT电池的降本增效。
[0004]本专利技术为一种集成式复合型局域导电芯板，所述集成式复合型局域导电芯板包含自上而下依次设置的第二背面导电箔、第二背面高透绝缘聚合物、第一背面导电箔、第一背面高透绝缘聚合物，其中，所述第二背面导电箔上设有圆环状区域，所述圆环状区域完全覆盖背面正极电极环，并通过背面正电极环上的导电胶进行有效连接导电，所述圆环状区域避开背面的负极点重叠；所述第二背面高透绝缘聚合物中设有圆孔，所述背面负极点位于圆孔正中，所述第二背面高透绝缘聚合物的圆孔直径小于第二背面导电箔中圆环内径，仅在第二背面高透绝缘聚合物的圆孔中漏出背面负极点区域；所述第一背面导电箔为格状导电线路，所述格状导电线路的格点与背面负极点通过背面负极点顶部的导电胶进行粘接导电；在所述第一背面导电箔的外侧面覆盖第一背面高透绝缘聚合物。
[0005]进一步的，在所述集成式复合型局域导电芯板、背面超白高透玻璃之间还设有改色膜层，所述改色膜层的形状为第二背面导电箔的等比例放大，覆盖时要求完全覆盖住第二背面导电箔和第一背面导电箔。
[0006]本申请还提供一种双面MWT
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HIT电池组件，所述电池组件采用上述导电芯板制成，该电池组件自上而下依次包括正面超白高透玻璃、正面封装聚合物、正面电极、正面TCO层、正面N+型掺杂的非晶硅层、正面本征非晶硅钝化层、N型单晶硅衬底、背面本征非晶硅钝化层、背面P型掺杂非晶硅发射层、背面TCO层、背面正电极环、集成式复合型局域导电芯板、背面超白高透玻璃；其中，所述正面TCO层上设有正面细栅，所述背面TCO层上设有背面细栅，所述正面
细栅图形与背面细栅图形高度一致；所述背面细栅在电极点处为套圈结构，形成包围背面正极电极点的背面正电极环，所述背面电极环与背面正极电极点设有印刷刻蚀浆料进行隔离绝缘；所述N型单晶硅衬底上设有通孔，所述通孔内有浆料，浆料贯穿正面TCO层、正面N+型掺杂的非晶硅层、正面本征非晶硅钝化层、N型单晶硅衬底、背面本征非晶硅钝化层、背面P型掺杂非晶硅发射层、背面TCO层、背面电极环、集成式复合型局域导电芯板，所述通孔内为低温银浆作为堵孔浆料，所述通孔构成背面负极点。
[0007]本申请的有益效果包含：本专利技术设计了一种集成式的复合型局域导电芯板，赋予MWT电池双面发电特性,将HIT电池的制备与MWT背接触组件封装工序想结合，开创了一条双面MWT
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HIT电池组件产品新的工艺路线，与HIT电池组件产品相比，本专利技术提出的双面MWT
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HIT电池组件产品结构以及工艺制备方法，具备如下有益效果：1.使MWT电池也能发挥双面发电的特性，打破MWT电池组件户外应用的局限性，提高综合发电量，降低度电成本；2. 与传统MWT组件封装相比，特殊设计的复合型局域导电芯板降低了导电箔的用量，可大幅降低成本；3.MWT和HIT具有结构性优势，可适配100微米厚度硅片，进一步降低成本；4.与HIT电池相比，大幅降低了正背面低温银浆用量，将焊带式连接改进为复合型局域导电芯板连接，简化焊接工艺的同时也提高了封装良率。
附图说明
[0008]图1：本专利技术提供的双面MWT
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HIT电池组件成品结构示意图；图2：本专利技术设计第二背面导电箔铺设在电池片背面时的对位关系示意图；图3：第一背面高透绝缘聚合物层示意图；图4：背面改色膜层示意图；图5：第一背面导电箔层示意图；图6：第二背面高透绝缘聚合物层示意图；图7：第二背面导电箔层示意图；图8：本专利技术设计的集成式复合型局域导电芯板的俯视图；图中，1
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N型单晶硅衬底、2
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背面本征非晶硅钝化层、3
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正面本征非晶硅钝化层、4
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背面P型掺杂非晶硅发射层、5
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正面N+型掺杂的非晶硅层、6
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正面TCO层、7
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背面TCO层、8
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背面负极点、9
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正面细栅、10
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背面细栅、11
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背面正电极环、12
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第一背面高透绝缘聚合物、13
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第二背面高透绝缘聚合物、14
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第一背面导电箔、15
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第二背面导电箔、16
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背面超白高透玻璃、17
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背面改色膜、18
‑
导电胶、19
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绝缘区域。
具体实施方式
[0009]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域的技术人员在没有做出创造性劳动
前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0010]实施例1本实施例为一种双面MWT
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HIT电池组件，该电池组件依次包括正面超白高透玻璃、正面封装聚合物、正面电极、正面TCO层、正面N+型掺杂的非晶硅层、正面本征非晶硅钝化层、N型单晶硅衬底、背面本征非晶硅钝化层、背面P型掺杂非晶硅发射层、背面TCO层、背面电极环、第二背面导电箔、第二背面高透绝缘聚合物、第一背面导电箔、背面改色膜、第一背面高透绝缘聚合物、背面超白高透玻璃。其中电池背面细栅图形与正面图形高度一致，背面细栅图形仅在电极点处为套圈设计，形成包围背面正极电极点的背面电极环。背面电极环与背面正极电极点间由印刷刻蚀浆料来进行隔离绝缘。此电极环由与正面细栅图形高度一致的背面细栅线汇集电流，并作为后续通过印刷导电胶与复合型局域导电芯板形成接触的结合点。除局域导电箔占据的位置，其他区域对背面入射光无遮挡，充分利用背面入射光进行双面发电。电池端完成正面电极和空洞内浆料贯穿，正背面电极为丝网印刷低温银浆，同时使用低温银浆作为堵孔浆料，通过制绒前在硅片上激光打的孔洞，汇集引导到背面。背面正极电极环和背面负极电极点，通过在自身上印刷导电胶后与集成式复合型本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成式复合型局域导电芯板，其特征在于，所述集成式复合型局域导电芯板包含自上而下依次设置的第二背面导电箔、第二背面高透绝缘聚合物、第一背面导电箔、第一背面高透绝缘聚合物，其中，所述第二背面导电箔上设有圆环状区域，所述圆环状区域完全覆盖背面正极电极环，并通过背面正电极环上的导电胶进行有效连接导电，所述圆环状区域避开背面的负极点重叠；所述第二背面高透绝缘聚合物中设有圆孔，所述背面负极点位于圆孔正中，所述第二背面高透绝缘聚合物的圆孔直径小于第二背面导电箔中圆环内径，仅在第二背面高透绝缘聚合物的圆孔中漏出背面负极点区域；所述第一背面导电箔为格状导电线路，所述格状导电线路的格点与背面负极点通过背面负极点顶部的导电胶进行粘接导电；在所述第一背面导电箔的外侧面覆盖第一背面高透绝缘聚合物。2.根据权利要求1所述的一种集成式复合型局域导电芯板，其特征在于，在所述集成式复合型局域导电芯板、背面超白高透玻璃之间还设有改色膜层，所述改色膜层的形状为第二背面导电箔的等比例放大，完全覆盖住第二背面导电箔和第一背面导电箔。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴仕梁，王飞，王伟，张凤鸣，刘晓瑞，罗西佳，王浩，
申请(专利权)人：南京日托光伏新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：