【技术实现步骤摘要】
所属领域本专利技术涉及半导体新型材料领域，是用化学气相沉积技术生产的新型材料---热解氮化硼(PBN)涂层基座。该涂层基座成功的应用于MOCVD生长技术制备GaN及其相关化合物半导体材料。热解氮化硼材料是用化学气相沉积工艺制备的，该材料无毒、无孔隙、易加工、高纯度、气密性好，有良好的导热性和高温化学稳定性，与III-V族化合物半导体材料不反应，抗NH3气的腐蚀性极佳。图中序号及名称1密闭容器，2、待涂层石墨基座，3、石墨发热体、4、铜感应线圈、5、BCI3管道，6、NH3管道，7、排气管道，8、PBN涂层石墨基座。现参照以上附图，将其特征作如下描述热解氮化硼涂层基座是用化学气相沉积技术生产的新型材料---热解氮化硼(PBN)涂层基座，该涂层基座应用于MOCVD生长技术制备GaN及其相关化合物半导体材料，它包含有密闭容器1、待涂层石墨基座2、石墨发热体3、铜感应线圈4、BCI3管道5、NH3管道6、排气管道7、PBN涂层石墨基座8，其特征是PBN涂层基座制作时是将高纯待涂层石墨基座2放置在密闭容器1中，置于载物台上，抽成6×10-2帕真空，通电经铜感应线圈4感应，将石墨发热体3加热至1600℃-2000℃的高温，尔后在BCI3管道5中通入BCI3气，在NH3管道6中通入NH3气，其NH3/BCI3＝7.2-6.2L/4.8-4.2L；容内压力在2mmHg，保持一段时间停电，冷却至室温即可从容器中制备出PBN涂层石墨基座8。所述的PBN涂层石墨基座8可应用在英国Thomas Swan的MOCVD设备上生产，在MOCVD技术中可生产6×2英寸至19×2英寸/8×4...
【技术保护点】
热解氮化硼涂层基座是用化学气相沉积技术生产新型材料－－－热解氮化硼（ＰＢＮ）涂层基座，该涂层基座应用于ＭＯＣＶＤ生长技术制备ＧａＮ及其相关化合物半导体材料，它包含有密闭容器（１）、待涂层石墨基座（２）、石墨发热体（３）、铜感应线圈（４）、ＢＣＩ↓［３］管道（５）、ＮＨ↓［３］管道（６）、排气管道（７）、ＰＢＮ涂层石墨基座（８），其特征是ＰＢＮ涂层基座制作时是将高纯待涂层石墨基座（２）放置在密闭容器（１）中，置于载物台上，抽成６×１０↑［－２］帕真空，通电经铜感应线圈（４）感应，将石墨发热体（３）加热至１６００℃－２０００℃的高温，尔后在ＢＣＩ↓［３］管道（５）中通入ＢＣＩ↓［３］气，在ＮＨ↓［３］管道（６）中通入ＮＨ↓［３］气，其ＮＨ↓［３］／ＢＣＩ↓［３］＝７．２－６．２Ｌ／４．８－４．２Ｌ；容内压力在２ｍｍＨｇ，保持一段时间停电，冷却至室温即可从容器中制备出ＰＢＮ涂层石墨基座（８）。
【技术特征摘要】
1.热解氮化硼涂层基座是用化学气相沉积技术生产新型材料---热解氮化硼(PBN)涂层基座，该涂层基座应用于MOCVD生长技术制备GaN及其相关化合物半导体材料，它包含有密闭容器(1)、待涂层石墨基座(2)、石墨发热体(3)、铜感应线圈(4)、BCI3管道(5)、NH3管道(6)、排气管道(7)、PBN涂层石墨基座(8)，其特征是PBN涂层基座制作时是将高纯待涂层石墨基座(2)放置在密闭容器(1)中，置于载物台上，抽成6×10-2帕真空，通电经铜感应线圈(4)感应，将石墨发热体(3)加热至1600℃-2000℃的高温，尔后在BCI3管道(5)中通入BCI3气，在NH3管道(6)中通入NH3气，其N...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵凤鸣，江凤益，
申请(专利权)人：赵凤鸣，江凤益，
类型：发明
国别省市：97[中国|宁波]
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