倒装片衬底设计制造技术

一种芯片器件包括具有管芯连接空腔（１１）的框（１０）、位于该空腔内的管芯（１３）和焊球（２１，２２）。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片器件，特别是诸如MOSFET之类的离散电源元件，以及诸如包括引线框的存储电路之类的IC，该引线框包括用于接纳管芯的空腔。2.现有技术的描述芯片器件通常包括引线框和与之连接的凸形管芯。许多封装是多片的，而且依赖于作为管芯和封装之间互连的导线连接。另外，许多BGA(球栅阵列)衬底不具有接受被预先连接的焊球或在衬底上的被磨成空腔以有助于管芯连接的能力。这些现有技术的封装限制了形成薄封装的能力。另外，这些器件的生产过程的效率也不高。
技术实现思路
本专利技术提供了一种芯片器件，它包括管芯和引线框。该引线框包括管芯连接空腔。该管芯连接空腔的厚度基本与管芯的相同。该管芯位于该空腔内并用标准的管芯连接工艺连接在其中。根据本专利技术的一个方面，沿引线框的周围确定多个凹座以容纳焊球。根据本专利技术的另一个方面，该引线框由铜合金构成。根据本专利技术的还有一个方面，该引线框包括可焊接的涂层。本专利技术还提供了一种制作存储器件的方法。该方法包括提供一管芯和提供一包括管芯连接空腔的引线框。该引线框包括多个沿引线框的周围确定的凹座。该管芯连接空腔具有的厚度与管芯基本相同。焊球被设置入该凹座内。该管芯被倒装入管芯连接空腔。由于热量除了因为与引线框结构接触而从管芯底部散发，还从管芯的表面(热量产生的位置)散发，所以得到的芯片器件提高了热性能。存储器件还具有与当今小型化趋势的TSSOP支座可相比拟的较薄封装。通过删除诸如导线连接、铸模、成形和电镀之类的步骤，与常规组装过程相比，该生产过程被简化了。本专利技术的其它特征和优点将在以下参考相同数字表示相同元件的附图中通过对较佳典型实施例的阅读和理解得到认识。附图说明图1是根据本专利技术的倒装片引线框架的立体图；图2是在包括焊球和管芯的图1中所示的倒装片引线框架的立体图；以及图3是凸形的管芯的侧视图。对较佳典型实施例的详细描述图1示出了根据本专利技术用于生产芯片器件的引线框架10。该引线框架包括限定于引线框架中的管芯连接空腔11。在较佳的实施例中，沿引线框架的周围确定多个凹座12。如图2所示，在空腔内设置管芯13以完成芯片器件。管芯13较佳为单片产品，在本技术中通常被称为“凸形管芯”。如图3所示，凸形管芯包括管芯13、作为管芯顶层和焊块21之间中间层20的“下块材料”以及焊块本身。较佳地，下块材料是TiW、Cu、Au或等价物中的一种。在图3所示的例子中，下块材料被分成三层-镀铜层20a、铜溅射层20b和钛溅射层20d。将管芯连接片区域蚀刻出来，以使空腔的深度与管芯的厚度相同。较佳地，引线框架由诸如铜基Eftec 3S之类的导热导电合金制成的材料构成。另外，在较佳的实施例中，对引线框架用诸如NiPd之类的可焊涂层进行涂层。焊球22被置于凹座内。由于引线框架是导电的，所以这些焊球起到连接漏极区的作用。焊块21起到连接源区和栅区的作用。在引线框生产厂家或在IC封装的组装中，可用产品代码和其它的生产代码来标记引线框的反向侧。作为该结构的结果，凸形管芯可以是通过常规管芯连接工艺连接入引线框空腔内的管芯。凸形管芯上的焊球(在空腔和凹座内的)形成了源和栅到PCB的连接，在引线框上的焊球形成了漏极连接。从而，本专利技术提供了一种改进的芯片器件，诸如MOSFET BGA，该器件的热性能得到了改进。热性能的改进是由于热量既从管芯的表面(热量产生的位置)散发又因为与引线框结构接触而从管芯的底部散发。另外，本专利技术提供了一种芯片器件，由该器件得到了与TSSOP支座可比拟的较薄封装(通常小于1毫米)，这是当今用于小型化的趋势。由于已去除了引线框引线的焊球连接，并排除了诸如导线连接、铸模、成形和电镀之类常规的组装加工步骤，生成过程也得到了简化。虽然已参考特定的典型实施例描述了本专利技术，但可以理解的是，该描述是旨在覆盖所有在所附权利要求范围之内的修改及其等效文件。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片器件，包括： ａ．一管芯；以及 ｂ．一包括管芯连接空腔的引线框，该管芯连接空腔的厚度与管芯的基本相同； ｃ．其中，该管芯位于该管芯连接空腔内并连接于其中。

【技术特征摘要】
US 2000-7-19 09/619,1151.一种芯片器件，包括a.一管芯；以及b.一包括管芯连接空腔的引线框，该管芯连接空腔的厚度与管芯的基本相同；c.其中，该管芯位于该管芯连接空腔内并连接于其中。2.根据权利要求1所述的芯片器件，其特征在于，还包括多个在在引线框边缘的周围确定的凹座，用以容纳焊球。3.根据权利要求1所述的芯片器件，其特征在于，该引线框由铜合金组成。4.根据权利要求3所述的芯片器件，其特征在于，该引线框包括可焊接的涂层。5.根据权利要求1所述的芯片器件，其特征在于，该管芯为凸形管芯。6.一种芯片器件，包括a.一凸形管芯；b...

【专利技术属性】
技术研发人员：小HT格拉纳达，R乔希，C坦浦兹，
申请(专利权)人：费查尔德半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]