半导体材料真空多温区控制方法及系统技术方案

本发明专利技术涉及一种半导体材料真空多温区控制方法及系统，其中该方法包括设置第一制冷装置和第二制冷装置，第一制冷装置用以控制第一温区的温度，第二制冷装置用以控制第二温区的温度，设置第一散热机构和第二散热机构，第一散热机构与第二散热机构并排设置，第一散热机构用以对第一制冷装置进行散热，第二散热机构用以对第二制冷装置进行散热，根据第三存储位和第四存储位的温度差调整第一散热机构和第二散热机构的工作功率。通过第一散热机构和第二散热机构对第一制冷装置和第二制冷装置产生的热量进行散发，以保证第一制冷装置和第二制冷装置散热的效率，保证第一温区和第二温区始终存在温度差，以避免二者的温度趋于一致。以避免二者的温度趋于一致。以避免二者的温度趋于一致。

【技术实现步骤摘要】
半导体材料真空多温区控制方法及系统


[0001]本专利技术涉及工业生产
，尤其涉及一种半导体材料真空多温区控制方法及系统。

技术介绍

[0002]半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。通常半导体材料用以多温区控制，实现在冰箱或是冰柜中进行各个温区的温度控制。
[0003]但是由于温区的设置均是利用隔热板进行分隔，降低热量的传递，通常采用上下分区的方式进行分区温度的控制，使得对于多温区的温度的有效控制。
[0004]但是现有的冰箱或是冰柜中，对于温度的控制调节具有局限性。

技术实现思路

[0005]为此，本专利技术提供一种半导体材料真空多温区控制方法及系统，可以解决现有的温区温度控制存在局限性的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供一种半导体材料真空多温区控制方法，包括：设置第一制冷装置和第二制冷装置，所述第一制冷装置用以控制第一温区的温度，所述第二制冷装置用以控制第二温区的温度，所述第一温区用以存放若干第一存储物质，所述第二温区用以存放若干第二存储物质，第一温区设置在第二温区的侧面，且第一温区的温度与第二温区的温度不同，所述第一温区设置有第一存储位、第二存储位和第三存储位，所述第二温区设置有第四存储位、第五存储位和第六存储位，所述第一存储位、第二存储位和第三存储位内存放第一存储物质，第四存储位、第五存储位和第六存储位内存放第二物质；设置第一散热机构和第二散热机构，所述第一散热机构与所述第二散热机构并排设置，所述第一散热机构用以对所述第一制冷装置进行散热，所述第二散热机构用以对所述第二制冷装置进行散热，所述第一制冷装置和第二制冷装置在运行过程中会产生热量堆积，致使对第一温区和第二温区内的实时温度产生影响；根据第三存储位和第四存储位的温度差调整所述第一散热机构和第二散热机构的工作功率；所述第一温区设置有第一温度范围，所述第一存储位、第二存储位和第三存储位内保存的第一存储物质的温度均处于第一温度范围T11
‑
T12内，其中T11表示第一温度范围的温度极小值，T12表示第一温度范围内的温度极大值，且T11<T12，所述第一温区的各存储位均处于第二温度范围T21
‑
T22内，其中T21表示第二温度范围的温度极小值，T22表示第二温度范围内的温度极大值，且T21<T22，第一温区的温度大于第二温区的温度；预先设置有标准温度差值ΔT0，若第三存储位和第四存储位的温度差ΔT=T3
‑
T4，其中T3表示第三存储位的温度，T4表示第四存储位的温度，若温度差ΔT≤标准温度差值ΔT0，则提高第一散热机构的工作功率且维持第二散热机构的工作功率，或，维持第一散热机构的工作功率且降低第二散热机构的工作功率；
若温度差ΔT>标准温度差值ΔT0，则维持第一散热机构和第二散热机构的工作功率。
[0007]进一步地，当提高第一散热机构的工作功率时，根据第三存储位内的实际温度与第一温区内的最低温度值的温度差值以及第四存储位内的实际温度与第二温区内的最高温度值的温度差值确定第一散热机构的功率调整系数k1；所述第一散热机构的第一功率调整系数k1=（T3
‑
T11）/（T22
‑
T4）。
[0008]进一步地，当降低第二散热机构的工作功率时，根据第三存储位内的实际温度与第一温区内的最高温度值的温度差值以及第四存储位内的实际温度与第二温区内的最低温度值的温度差值确定第二散热机构的第二功率调整系数k2；所述第二散热机构的功率调整系数k2=（T12
‑
T3）/（T4
‑
T21）。
[0009]进一步地，采用第一功率调整系数对第一散热机构的工作功率进行调整时，调整后的第一散热机构的工作功率为P1
′
=P1
×
（1+k1），其中P1为第一散热机构的标准工作功率。
[0010]进一步地，采用第二功率调整系数对第二散热机构的工作功率进行调整时，调整后的第二散热机构的工作功率为P2
′
=P2
×
|1
‑
k1|，其中P2为第二散热机构的标准工作功率。
[0011]进一步地，所述第一散热机构和第三散热机构的结构相同，所述第一散热机构包括电机箱、主轴、连接件和扇叶，且电机箱的一侧活动连接有主轴，且主轴与电机箱之间通过轴联动构成旋转结构；所述主轴的一侧固定连接有连接件，且连接件的一端固定连接有扇叶，且扇叶均匀分布在连接件的上下两端，所述第一散热机构、第二散热机构、第一制冷装置、第二制冷装置、第一温区、第二温区均设置在保护箱内。
[0012]进一步地，所述保护箱的箱底还设置有支撑架，用以对保护箱进行支撑，所述保护箱上还通过卡合柱活动连接有密封门，所述密封门设置在保护箱的侧板上，用以对保护箱进行密封，所述保护箱的箱体上设置有安装板，所述安装板上设置有所述卡合柱，用以安装所述密封门，所述密封门上还设置有拿持块，用以抓握打开所述密封门，所述密封门包括三个主视板，用以对箱体内的结构进行检查。
[0013]本专利技术还提供一种应用如上所述的半导体材料真空多温区控制方法的半导体材料真空多温区控制系统，第一制冷装置、第二制冷装置、第一散热机构、第二散热机构，所述第一制冷装置用以控制第一温区的温度，所述第二制冷装置用以控制第二温区的温度，所述第一温区用以存放若干第一存储物质，所述第二温区用以存放若干第二存储物质，第一温区设置在第二温区的侧面，且第一温区的温度与第二温区的温度不同，所述第一温区设置有第一存储位、第二存储位和第三存储位，所述第二温区设置有第四存储位、第五存储位和第六存储位，所述第一存储位、第二存储位和第三存储位内存放第一存储物质，第四存储位、第五存储位和第六存储位内存放第二物质；所述第一散热机构与所述第二散热机构并排设置，所述第一散热机构用以对所述第一制冷装置进行散热，所述第二散热机构用以对所述第二制冷装置进行散热，所述第一制冷装置和第二制冷装置在运行过程中会产生热量堆积，致使对第一温区和第二温区内的实时温度产生影响；根据第三存储位和第四存储位的温度差调
整所述第一散热机构和第二散热机构的工作功率；所述第一温区设置有第一温度范围，所述第一存储位、第二存储位和第三存储位内保存的第一存储物质的温度均处于第一温度范围T11
‑
T12内，其中T11<T12，所述第一温区的各存储位均处于第二温度范围T21
‑
T22内，其中T21<T22，第一温区的温度大于第二温区的温度；预先设置有标准温度差值ΔT0，若第三存储位和第四存储位的温度差ΔT=T3
‑
T4，其中T3表示第三存储位的温度，T4表示第四存储位的温度，若温度差ΔT≤标准温度差值ΔT0，则提高第一散热机构的工作功率且维持第二散热机构的工作功率，或，维持第一散热机构的工作功率且降低第二散热机构的工作功本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体材料真空多温区控制方法，其特征在于，包括：设置第一制冷装置和第二制冷装置，所述第一制冷装置用以控制第一温区的温度，所述第二制冷装置用以控制第二温区的温度，所述第一温区用以存放若干第一存储物质，所述第二温区用以存放若干第二存储物质，第一温区设置在第二温区的侧面，且第一温区的温度与第二温区的温度不同，所述第一温区设置有第一存储位、第二存储位和第三存储位，所述第二温区设置有第四存储位、第五存储位和第六存储位，所述第一存储位、第二存储位和第三存储位内存放第一存储物质，第四存储位、第五存储位和第六存储位内存放第二物质；设置第一散热机构和第二散热机构，所述第一散热机构与所述第二散热机构并排设置，所述第一散热机构用以对所述第一制冷装置进行散热，所述第二散热机构用以对所述第二制冷装置进行散热，所述第一制冷装置和第二制冷装置在运行过程中会产生热量堆积，致使对第一温区和第二温区内的实时温度产生影响；根据第三存储位和第四存储位的温度差调整所述第一散热机构和第二散热机构的工作功率；所述第一温区设置有第一温度范围，所述第一存储位、第二存储位和第三存储位内保存的第一存储物质的温度均处于第一温度范围T11
‑
T12内，其中T11表示第一温度范围的温度极小值，T12表示第一温度范围内的温度极大值，且T11<T12，所述第一温区的各存储位均处于第二温度范围T21
‑
T22内，其中T21表示第二温度范围的温度极小值，T22表示第二温度范围内的温度极大值，且T21<T22，第一温区的温度大于第二温区的温度；预先设置有标准温度差值ΔT0，若第三存储位和第四存储位的温度差ΔT=T3
‑
T4，其中T3表示第三存储位的温度，T4表示第四存储位的温度，若温度差ΔT≤标准温度差值ΔT0，则提高第一散热机构的工作功率且维持第二散热机构的工作功率，或，维持第一散热机构的工作功率且降低第二散热机构的工作功率；若温度差ΔT>标准温度差值ΔT0，则维持第一散热机构和第二散热机构的工作功率。2.根据权利要求1所述的半导体材料真空多温区控制方法，其特征在于，当提高第一散热机构的工作功率时，根据第三存储位内的实际温度与第一温区内的最低温度值的温度差值以及第四存储位内的实际温度与第二温区内的最高温度值的温度差值确定第一散热机构的功率调整系数k1；所述第一散热机构的第一功率调整系数k1=（T3
‑
T11）/（T22
‑
T4）。3.根据权利要求2所述的半导体材料真空多温区控制方法，其特征在于，当降低第二散热机构的工作功率时，根据第三存储位内的实际温度与第一温区内的最高温度值的温度差值以及第四存储位内的实际温度与第二温区内的最低温度值的温度差值确定第二散热机构的第二功率调整系数k2；所述第二散热机构的功率调整系数k2=（T12
‑
T3）/（T4
‑
T21）。4.根据权利要求3所述的半导体材料真空多温区控制方法，其特征在于，采用第一功率调整系数对第一散热机构的工作功率进行调整时，调整后的第一散热机构的工作功率为P1
′
=P1
×
（1+k1），其中P1为第一散热机构的标准工作功率。5.根据权利要求4所述的半导体材料真空多温区控制方法，其特征在于，采用第二功率调整系数对第二散热机构的工作功率进行调整时，调整后的第二散热机构的工作功率为P2
′
=P2
×
|1
‑
k1|，其中P2为第二散热机构的标准工作功率。
6.根据权利要求5所述的半导体材料真空多温区控制方法，其特征在于，所述第一散热机构和第三散热机构的结构相同，所述第一散热机构包括电机箱、主轴、连接件和扇叶，且电机箱的一侧活动连接有主轴，且主轴与电机箱之间通过轴联动构成旋转结构；所述主轴的一侧固定连接有连接件，且连接件的一端固定连接有扇叶，且扇叶均匀分布在连接件的上下两端，所述第一散热机构、第二散热机构、第一制冷装置、第二制冷装置、第一温...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟明，
申请(专利权)人：广州市腾嘉自动化仪表有限公司，
类型：发明
国别省市：